全文获取类型
收费全文 | 80篇 |
免费 | 9篇 |
国内免费 | 24篇 |
专业分类
航空 | 22篇 |
航天技术 | 38篇 |
综合类 | 6篇 |
航天 | 47篇 |
出版年
2023年 | 2篇 |
2022年 | 7篇 |
2021年 | 4篇 |
2020年 | 5篇 |
2019年 | 5篇 |
2018年 | 1篇 |
2017年 | 5篇 |
2016年 | 4篇 |
2015年 | 4篇 |
2014年 | 5篇 |
2013年 | 3篇 |
2012年 | 10篇 |
2011年 | 10篇 |
2010年 | 6篇 |
2009年 | 3篇 |
2008年 | 7篇 |
2007年 | 3篇 |
2006年 | 1篇 |
2004年 | 2篇 |
2003年 | 2篇 |
2001年 | 7篇 |
1999年 | 1篇 |
1997年 | 1篇 |
1996年 | 1篇 |
1995年 | 5篇 |
1994年 | 2篇 |
1993年 | 2篇 |
1991年 | 1篇 |
1990年 | 2篇 |
1988年 | 2篇 |
排序方式: 共有113条查询结果,搜索用时 265 毫秒
31.
32.
鉴于锂电池与传统的碱性或酸性电瓶的地面维护不同,本文在说明锂电池原理的基础上,论述了航空锂电池在地面充放电和容量检测的要求和方法,供维护人员参考. 相似文献
33.
美国空军在财政吃紧环境下越来越强调少花钱多办事的做法已在GPS项目上取得了成效。工程技术人员正在实施一项计划,使GPS星座中60%的卫星都能延长工作寿命。该计划涉及采用一项新的充电办法,能降低卫星蓄电池性能退化的速度,从而使卫星寿命得到延长。目前空军正就这一方法进行在轨测试。若 相似文献
34.
35.
最严重充电条件下航天器的瞬态充电模拟研究 总被引:2,自引:1,他引:2
运用等效电路模式理论推导出随时间变化充电问题的微分方程组,针对最严重情况构造了解决瞬态充电问题的程序,对ATS-6卫星的二种情况运用这个程序进行了计算。讨论了航天器不同材料对充放电的影响。 相似文献
36.
37.
文章利用1989-2004年间"Los Alamos"7 颗地球同步轨道卫星的数据对不同磁暴条件下处于地球同步轨道高度等离子体片区域的卫星表面充电电位和热电子(0.03~45 keV)温度随地方时的分布及随磁暴发生时间的变化规律进行统计分析.根据对磁层顶电流修正后的Dst指数(Dst*)将磁暴分成弱磁暴、强磁暴以及超大磁暴.在随地方时的分布上,弱磁暴时卫星最可能在午夜后侧负向强充电(>800 V);随着磁暴强度的增加,在超大磁暴情况下该区域会沿东西方向扩展到夜晚21时到凌晨4时的区域.在随磁暴发生时间的分布上,弱磁暴下卫星表面充电到高负电位主要发生在Dst*最低点前3 h和后2 h的时刻,强磁暴下主要发生在Dst*最低点时刻,而超大磁暴下主要发生在恢复相,持续时间达十几个小时.表面电位的分布规律和热电子温度的分布规律表现一致:卫星表面负电位超过100 V的区域主要集中在热电子温度大于2 keV的区域,而表面负电位最可能超过800 V的区域主要集中在热电子温度大于2.5 keV的区域.通过统计分析看出,对于那些极可能发生高负电位充电(>8 kV)情况下的卫星表面电位分布与磁暴的强弱并无明显的相关性,但发现在弱磁暴情况下明显集中在正午前侧区域. 相似文献
38.
航天器表面介质材料易遭受表面充放电危害。利用30keV单能电子对几种不同的航天介质材料进行了表面充放电模拟试验,测量了不同电子通量辐照下的表面充电电位以及放电脉冲。试验结果表明,聚酰亚胺薄膜在接地处理不当时表面可充至千伏以上,易发生表面放电,且辐照强度越大,放电频率越高。表面镀铝的聚酰亚胺薄膜在不接地时,铝膜成为悬浮导体更加剧了放电的危害。而通过渗碳处理的聚酰亚胺薄膜,其良好的导电性能可有效抵御nA/cm~2量级电子的表面充电。聚四氟乙烯天线罩表面未进行防静电处理时,表面充电电位可达万伏量级,极易发生放电。 相似文献
39.
纳米颗粒场致发射推力器(NFET)是一种用于微小卫星的固体工质静电推力器,为促进NFET的工程研制,提出一种新的自中和技术——反向充电中和策略。为研究这种自中和技术的设计方法,建立相应的数值模型以模拟该中和技术下羽流输运过程,并且,在真空舱中开展NFET的羽流测量试验来验证中和模型的正确性。以比色温度计和"打靶法"装置来分别测量羽流温度分布和推力,通过试验与仿真结果的对比,羽流温度变化的试验结果与仿真结果在定性规律上一致,推力的计算误差在9%~10%。在验证模型正确性的基础上,利用该数值模型对关键设计参数进行数值分析。结果表明:引出极与发射极的内径比变化会导致外加电场对剩余电荷颗粒作负功,引起推力下降,该物理参数在0.94附近时,推力达到极大值;而随着颗粒直径的增加,羽流中和区域整体向下游推移,推力升高。本文结论可为NFET的反向充电中和策略提供设计参考。 相似文献
40.