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321.
确定失效机理一致性条件是保证加速试验正确性的前提之一.由于现有的一致性判定方法只能利用加速试验数据,不能指导加速试验设计,因此需要一种基于强化试验数据的一致性判定方法.针对工程中强化试验数据少的特点,选取可以处理少数据的灰色预测,给出了一致性判定的新方法及流程.该方法通过将灰色预测中的GM(1,1)和等维新息模型相结合,找出强化试验数据的趋势改变点,在加速试验之前得到机理一致性变化的条件.通过在加速度计中的应用案例,验证了该方法的可行性. 相似文献
322.
远程转换开关、无线电高度表、雷达角自动装置、陀螺仪和弹上电源是影响导弹长期贮存可靠性的关键部件.明确导弹贮存剖面,通过定期检测得到长期贮存条件下各关键部件的特征电压值,然后采用移动标准偏差方法描述了各特征电压值的贮存稳定性水平,并对其进行退化规律拟合求得各关键部件贮存寿命.提炼出10套导弹产品的各关键部件贮存寿命,通过分布假设检验和分布参数辨识,求得各关键部件的贮存可靠度模型,最后根据导弹产品随机性、分散性、多机理竞争特点,分析导弹产品在悲观和乐观情况下的可靠性结果.本文的研究思路和结论能为长期贮存条件下贮存类产品的贮存可靠性评估、贮存维护方案研究提供技术支撑. 相似文献
323.
324.
采用Ni/Ti中间层,部分瞬间液相法(Partial Transient Liquid-Phase,简称PTLP)连接C/C复合材料和GH3044,通过SEM+EDS对接头的微观结构和元素分布进行了表征,并分析了接头形成机理。研究表明,这种方法可实现C/C复合材料与中间层、中间层与GH3044界面处的良好结合;所得接头截面为GH3044/扩散层/残余Ni层/Ni-Ti金属间化合物层/炭化物反应层/C/C复合材料;随保温时间的延长,接头中金属间化合物Ni3Ti不断生长,同时两侧的Ni、NiTi被逐渐消耗。另外,因为C/C复合材料和GH3044的热膨胀系数(Coefficient of Thermal Expansion,CTE)差别很大,所以冷却过程中产生了较大的热应力,导致C/C复合材料/中间层界面附近出现了大尺寸裂纹,使接头性能下降,其剪切强度仅有9.78 MPa。 相似文献
325.
对不同耦合方式下产生的电磁干扰,从其耦合机理出发,分别探析了干扰形成的过程及防护措施与实现方法,在此基础上提出了按照功能分层进行综合设计来实现系统电磁防护的有效方法。 相似文献
326.
针对飞机起落架系统的故障机理及故障特点,总结分析了固定式起落架与可收放式起落架系统的故障类型,并概述了在日常检查和维护工作中所使用的方法及程序,为该系统的维护及检查提供了有力的依据。 相似文献
327.
328.
为了研究单晶硅电火花线切割(WEDM)表面损伤层的损伤形式和形成机理,以电火花线切割加工后的单晶硅表面为研究对象,采用表面形貌观察分析及择优腐蚀方法研究了单晶硅经过电火花线切割后的加工表面.研究结果表明单晶硅经电火花放电加工后表面损伤形式分为4种:热损伤、应力损伤、热与应力综合作用损伤及电解/电化学腐蚀损伤.热损伤使得硅表面形成多晶或非晶硅;应力损伤使硅表面产生裂纹;热与应力综合作用会产生小孔效应,且随着放电功率密度的增加,小孔会明显增多;电解/电化学作用会加快损伤区域及杂质元素富集区域的腐蚀. 相似文献
329.
一种多代路径通量分析化学机理简化方法 总被引:1,自引:1,他引:0
基于路径通量分析,在考虑组分间直接和间接多代相关反应的基础上,建立了一种新型化学机理简化方法。以预选组分为基础,通过计算预选组分直接参与,以及第二代、第三代和第四代间接参与的所有生成反应与消耗反应中其它组分相对于预选组分的路径通量之和,以此决定相关组分及其所参与反应的取舍。用该多代路径通量分析简化法对甲烷及正庚烷反应机理进行了简化,计算结果与详细化学机理、直接关系图简化法简化结果、二代路径通量分析简化法简化结果进行了对比,结果证明了该多代路径通量分析简化法具有更高的简化精度。多代路径通量分析简化法为反应流模拟中大型化学机理的精确简化提供了一种新的解决思路。 相似文献
330.
联合射流控制技术的增升效果和机理 总被引:4,自引:0,他引:4
数值模拟联合射流翼型的绕流,研究联合射流控制技术的增升效果和机理.主控方程选为定常可压缩流动的质量加权平均N-S方程和S-A湍流模型,使用Fluent软件进行数值求解.计算结果表明,联合射流控制技术可以有效地减小翼型的零升迎角、提高翼型的最大升力系数和失速迎角.通过理论分析,揭示了联合射流控制技术的增升机理,即通过增加翼型上表面的流速从而增大绕翼型的环量,通过向边界层内注入能量从而延迟翼型大迎角下的流动分离. 相似文献