某型雷达导引头角度指示执行误差不合格故障分析

针对某型雷达导引头角度指示执行误差测试不合格并伴随加温冲击电流异常现象,通过功能和原理分析,建立故障树,逐节点故障排查确定故障部位,对故障件进行失效分析,最终定位故障点并分析其产生原因,为类似故障的排除提供参考。     

Micowind与HSpice设计CMOS D触发器

本文用Micowind与HSpice结合设计并分析了一个或非门D触发器。Micowind设计版图并提取Spice参数供HSpice使用,HSpice可以精确的仿真出D触发器的输出特性,并可以通过改变MOS管参数看到不同的MOS管对D触发器性能的影响。     

毫米波混合集成电路工艺

总结了毫米波混合集成电路的工艺技术。讨论了影响电路性能的关键工艺因素，优化了工艺条件，确定了最佳的工艺参数，从而研制成功了多种毫米波混合集成电路组件，为整机系统国产化及小批量生产创造了条件。     

浅析半导体集成电路的用户需要和标准要求

对半导体集成电路的国家标准、国家军用标准、“七专”技术条件和有关用户技术协议进行了对比分析,阐述了各种标准中规定的筛选、鉴定和质量一致性检验等各种要求的特点,说明了这些标准在不同应用场合的要求差别。     

硅片在快速热处理系统中的温度测量

国外为了提高计算机硅片的集成度和产品的合格率，开展了硅片快速热处理的研究，在这项新技术中温度测量起着关键的作用，由于地快速热化学蒸汽沉积过程中，硅片表面发射率变化影响了测温的准确性。本文介绍了在用辐射法测温时，同时测辐射量和反射率２个参数，然后由反射率计算发射率，通过计算机对测量结果进行了补偿的新技术，并介绍了原理，实验设备和初步实验结果。     

ASIC技术在弹载计算机小型化中的应用

扼要介绍了高层次设计方法和ＡＳＩＣ（ＡｐｐｌｉｃａｔｉｏｎＳｐｅｃｉｆｉｃＩｎｔｅｇｒａｔｅｄＣｉｒｃｕｉｔ）技术，并给出了一个在弹载计算机小型化设计中的应用实例。     

标准单元抗单粒子闩锁效应加固设计

文章针对130纳米CMOS工艺标准单粒子闩锁效应问题，开展了Complementary Metal Oxide Semiconductor(CMOS）器件单粒子闩锁效应产生的物理机理分析, 提出了一套适合于不同类型标准单元版图加固方法；基于SMIC0.13μm工艺进行了物理建模仿真和电路实现。仿真结果显示，在遭受LET值为120MeV/mg/cm2的重离子辐射时，所设计的电路未发生闩锁效应。     

日本开发成功高效光信号转换技术

据中国科技部网站2012年3月7日消息，日本独立行政法人产业技术综合研究所和NEC公司合作，成功研发出光纤与光电集成电路之间的高效光信号转换技术。该研究利用硅光电技术研制出的多路硅光波导转换器，可方便地安装在光电集成电路和光纤之间，