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集成电路芯片制造过程中,攻击者可以利用电路版图中的空白区域植入硬件木马。为此,提出了一种基于A2-RO电路版图填充的硬件木马抗植入方法, 以减小电路版图中的空白区域为防护目标,设计了能够动态监测稀有节点翻转情况的功耗表征结构A2-RO,并提出了迭代填充算法及路径构建算法,通过在电路版图的空白区域中智能化地构建A2-RO电路,提高了电路的安全防护水平。基于SMIC 180 nm工艺,以ISCAS’85和ISCAS’89中的基准电路作为研究对象进行仿真验证。仿真结果表明:版图填充后,芯片的面积利用率提高至95%以上,剩余空白区域无法填充最小尺寸的标准单元。A2-RO电路移除攻击后的侧信道电流变化值为1.921 mA,有效实现了对版图空白区域的防护。版图填充的额外布线资源开销可控制在7%以内,对关键路径延时的影响在1.2%以内。 相似文献
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由于γ射线对SiO2的电离作用,会引起MOS管阈值电压负漂移和二极管死区漏电变化,负漂移和漏电变化程度随MOS管栅氧厚度增加而加大。这样在设计高压直采ADC时,实现稳定基准和低漏电开关是个难点,通常的解决方法是优化电路参数裕量和版图,但很少考虑MOS管的反型和二极管的死区漏电。重点研究了MOS器件阈值和二极管死区漏电流变化对器件参数影响的机理,并提出一种不同电源电压MOS管结合设计思路,同时考虑了减小二极管死区漏电的影响。最后,通过使用不同电源电压MOS管设计和二极管死区漏电流分析,高压ADC在50krad(Si)总剂量条件下仍能达到设计要求。 相似文献