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1.
化学气相渗透法制备碳化硅陶瓷复合材料 总被引:1,自引:2,他引:1
综述了化学气相渗透法制备连续纤维增强碳化硅陶瓷复合材料的过程,以及碳化硅陶瓷复合材料的性能及应用。 相似文献
2.
提出了一种在空气中将工具电极丝黄铜材料沉积到工件上的新工艺方法。实现该方法的基本条件为:(1)工具电极接脉冲电源正极;(2)在空气中放电;(3)窄脉宽配合宽脉间。通过大量实验对微细电火花沉积加工的工艺规律进行了系统深入的研究,得出各主要工艺参数对沉积工艺效果的影响规律。最终以黄铜电极丝为工具电极,在高速钢工件表面上沉积出直径为0.19 mm、高度为7.35 mm的微小圆柱体。利用SEM、能谱分析和X射线衍射及显微硬度测试等方法对沉积物进行分析,得出该沉积物的组织结构、化学成分和硬度等方面的基本性质,为进一步研究三维沉积加工奠定了基础。 相似文献
3.
激光熔化沉积Ti-6Al-2Zr-Mo-V钛合金组织特征研究 总被引:4,自引:0,他引:4
采用激光熔化沉积快速制造工艺直接成形Ti-6Al-2Zr—Mo—V合金板材。激光熔化沉积过程中合金粉末充分熔化并在液态均匀混合以得到成分均匀、全致密的组织。SEM分析表明,激光沉积Ti-6Al-2Zr-Mo—V合金具有均匀细小的α/β双相片层组织,且片层取向随机多样,分布均匀。其组织特点与激光沉积过程中的快速凝固和固态相变有关。解释了其特征组织的形成机理,并讨论了其沉积层组织特征对性能的影响。 相似文献
4.
碳/碳复合材料表面纳米HAp/壳聚糖生物复合涂层的制备 总被引:3,自引:0,他引:3
以声化学法合成的纳米羟基磷灰石(HAp)为起始原料,以异丙醇作为分散介质,采用水热电泳沉积法在经壳聚糖(CS)溶液改性后的碳/碳复合材料(C/C)表面沉积纳米HAp/CS生物复合涂层.重点研究了水热条件下沉积电压对复合涂层的晶相组成、形貌和结构的影响规律.采用X-射线衍射仪(XRD)、透射电子显微镜(TEM)、傅立叶变换红外光谱分析仪(FTIR)和场发射扫描电子显微镜(FE-SEM)对所制备的涂层进行表征.结果表明:随着沉积电压的升高,涂层更加致密和均匀;同时水热环境有利于纳米HAp晶粒的生长,制备出的HAp/CS复合涂层不需要后续热处理. 相似文献
5.
以Al(NO3)3乙醇溶液为电解液,利用阴极微弧电沉积技术在纯钛表面制备了较厚的氧化铝涂层.分析了涂层的形貌、成分和相组成,测试了涂层的抗高温氧化、电化学腐蚀及抗热震性能,并探讨了阴极微弧沉积氧化铝涂层的机理.涂层由γ-Al2O3和少量的α-Al2O3组成.涂层中含有少量的钛元素,表明涂层/钛界面附近的钛基体在微弧放电作用下也参与氧化铝涂层的沉积和烧结过程.涂层经过100次(700 ℃水淬)热循环后仍与钛基体结合良好.700 ℃恒温氧化结果表明,具有氧化铝涂层的钛氧化速率降低了4倍. 相似文献
6.
Parylene真空涂覆新工艺研究 总被引:4,自引:0,他引:4
石红 《航空精密制造技术》2002,38(1):19-21
简述了Parylene真空沉积的机理,并对采用Parylene真空涂覆的涂层样件进行了全面的性能摸底试验。 相似文献
7.
8.
9.
LIN Jin-zhao WANG Jin-liang* ZHOU Bo WU Er-xing Department of Physics Beijing University of Aeronautics Astronautics Beijing China 《中国航空学报》2006,19(Z1)
Studies of nanoindentation were performed on nc-Si:H films to evaluate the effects of the fabrication processes on their mechani-cal properties. It is observed that with the decrease of the SiH4 contents, the grain size of the films increases gradually, and as does the crystalline volume fraction. The smaller the grains become, the more homogeneous the films, and the more even the hardness as well as the modulus will be. The hardness and the modulus will increase with the substrate’s temperature rising. The hardness and the modulus of the nc-Si:H films on the Si substrate prove to be higher than those on the glass substrate given the same technology parameters. How-ever, the films on the glass substrate appear to be more homogeneous. 相似文献
10.