航空发动机燃气温度控制系统的设计研究及应用

介绍了某航空发动机燃气温度控制系统的设计方法,该系统已经应用于某型航空发动机,并配装某超音速战斗机完成了全包线考核试飞。该系统具有控制品质良好、可靠性高和外场使用维护方便等特点。该系统的安装使用,既可以防止因燃气温度超过规定值过早损伤发动机而节省经费,又可以使飞行员无忧虑地操作,减轻飞行员负担。      

一种考虑结构瞬态互辐射的有限元法

研究结构元件之间瞬态辐射过程及特点 ,对于元件温度未知时的瞬态辐射提出了一种有限元计算模型。通过广义边界条件简化了元件互辐射的数学描述 ,最后得到了广义互辐射元。所建模型具有简单、方便、实用和精度高等特点 ,使复杂的互辐射计算化为统一模式 ,并通过试验与实例计算证明其有效性。     

国外隐身材料研究进展

简单回顾了从二次世界大战至今几十年间,国外隐身材料的发展历程;系统综述了国外在陶瓷材料,导电高分子材料,晶须材料,纳米材料,手征材料等新型隐身材料研究方面所取得的进展,从耐高温隐身材料,智能隐身材料,等离子体隐身三个方面入手,重点介绍了国外近年来在隐身材料领域的最新进展;并且指出了隐身技术未来的发展方向。     

包渗法制备Cf/SiC陶瓷基复合材料MoSi2-SiC-Si防氧化涂层

采用包渗法制备了Cf/SiC陶瓷基复合材料MoSi2-SiC-Si防氧化涂层,研究了渗层同埋粉关系,包渗时间对包渗结果的影响,并对涂层防氧化性能进行了分析,结果表明：包渗法制得的涂层致密,无裂纹,涂层起到了良好的防氧化作用,1400度在空气中氧化1h后试样的质量保留率为94．1％,保留强度为294．0MPa。     

壁面加热湍流标度律的实验研究

用热线风速仪测量了风洞中壁面加热和不加热平板湍流边界层不同法向位置的流向速度和温度的时间序列信号，研究了壁面加热的边条件和不同法向位置的剪切作用对速度和温度增量的p阶结构函数的非线性反常标度律的影响，实验结果表明，壁面加热的边界条件不同法向位置的剪切作用对层次结构模型中间歇参数β和最奇异指数γ的影响明显存在，并初步分析了在具有强剪切作用的壁湍流中这种影响产生的原因。     

两种中温固化胶粘剂的剪切疲劳和蠕变性能研究

研究了SY 2 4B胶膜和SY H2糊状胶粘剂的剪切疲劳和蠕变性能。SY 2 4B胶膜和SY H2糊状胶粘剂同为中温固化的结构胶粘剂 ,SY 2 4B胶膜采用橡胶增韧 ,SY H2糊状胶粘剂采用热塑性树脂增韧。SY 2 4B胶膜虽然具有优异的韧性 ,但SY H2糊状胶粘剂的剪切疲劳和蠕变性能优于SY 2 4B胶膜 ,这与增韧剂种类与胶层厚度有一定关系。温度、应力和时间也是影响蠕变量的重要因素     

带肋壁与出流孔内流通道的流阻特性

采用根据相似理论几何放大的模型，在流动相似的条件下，实验研究了带肋壁与出流孔内流通道的流阻特性。在内流通道进口雷诺数为40000-80000，通道总出流比为0．30—0．60的范围内测量了通道压力损失系数Cp的分布，分析了通道进口雷诺数和通道总出流比对Cp的影响规律。结果显示：在通道进口雷诺数一定时，随总出流比的提高，通道内Cp减小，压力损失减小；在通道总出流比一定时，通道进口雷诺数对Cp无显著影响。另外，在比较了当前内流通道流阻工程算法与实验结果的基础上，提出了对当前流阻算法的改进措施。     

航空发动机轴承的滑蹭损伤与防止措施

分析了航空燃气涡轮发动机主轴承产生滑蹭损伤的机理与危害。并根据滑蹭损伤的机理，提出了防止轴承出现滑蹭损伤的两项措施：增加驱使滚子一保持架运动的拖动力；减小阻碍滚子一保持架运动的阻力。列举了国外一些发动机中防止滑蹭损伤采用的措施。     

月球着陆器用金属橡胶高低温力学性能试验研究

金属橡胶作为一种有弹性的阻尼元件首次用在月球着陆器原理样机中。采用Э 71型低温万能拉伸实验机对圆环状金属橡胶试件进行了月球温度范围内的准静态刚度实验,得出了力 位移实验曲线。采用最小二乘法对试验曲线进行了数据拟合,用Matlab编程计算得出了金属橡胶试件力 位移回归方程。采用自由衰减法和冲击实验法分别对金属橡胶试件高、低温阻尼比和动力学特性进行了测试,最后得出了金属橡胶适合于用做月球着陆器中缓冲元件的结论。     

CVD过程中温度对SiC涂层沉积速率及组织结构的影响

以CH3SiCl3 H2体系在1000～1300℃沉积了SiC涂层,研究了温度对涂层沉积速率的影响,应用自发形核理论解释了不同沉积温度下CVDSiC涂层的组织结构。结果表明,随着沉积温度的提高,CVDSiC涂层的沉积速率相应增大;1000～1200℃沉积过程为化学动力学控制过程,1200～1300℃沉积过程为质量转移控制,1000℃和1100℃沉积的SiC涂层表面光滑、致密;1200℃和1300℃沉积的SiC涂层表面粗糙、多孔;随着沉积温度的提高,CVDSiC涂层的晶体结构趋于完整,当温度超过1150℃时,涂层中除β SiC外还出现了少量α SiC。