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81.
    
采用无压烧结的方法,以V、Al、C混合粉末为原料制备V2AlC粉体材料。通过不同烧结温度下物相的演变过程对反应路径进行研究,同时探究了烧结助剂NaF对烧结过程的影响。实验结果表明,在1 300~1 500℃温度区间内V3Al2、C和VC发生反应生成V2AlC相,且无压烧结制备高纯V2AlC的最佳工艺为1 500℃保温2 h,元素摩尔配比为 V:Al:C=2:1.2:1。此外,烧结助剂NaF的使用加快了反应过程,并使得反应温度降至1 400℃。实验得到的高纯度、颗粒尺寸分布适中(40~100 μm)的V2AlC可用做提高材料耐磨性的增强体以及二维材料V2C的前驱体。  相似文献   
82.
由于传统气密封装方法在封装的过程中会给电子器件带来不利的影响,本文基于银焊膏电流烧结快速互连技术,提出了一种新型的气密封装方法,可用于航天功率分立器件的密封。本文研究了通电过程中接头温度、微观形貌以及剪切强度的变化。在银焊膏电流烧结的过程中,随着有机物的去除,烧结银层升温速率急剧下降,并且最初被有机物分离的银颗粒逐渐相互接触。随着通电时间延长,烧结银接头越来越致密,伴随着接头强度的不断提高。最终获得的烧结银密封接头可以满足封装器件对气密性的要求。  相似文献   
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