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341.
斜孔式等离子体合成射流激励器静特性的实验   总被引:1,自引:1,他引:0  
设计了斜孔式等离子体合成射流激励器,采用电参数测量和高速纹影技术研究了其放电特性及瞬态流场特性。实验表明:相较直孔式等离子体合成射流激励器,斜孔式等离子体合成射流激励器的射流流动表现出明显的附壁效应和非对称性,这有利于提高射流对流动分离的控制能力。同时,实验中还观察到了浮力对等离子体高温射流流场演化的影响,特别是在射流演化的末期,其诱导的垂向速度分量显著地改变了射流的最终运动方向。   相似文献   
342.
等离子流点火是当今世界上行之有效的一种先进的点火方式,是航空航天以及劣质难燃烧燃料领域极有前途的点火技术之一。对该技术的机理及其发展现状做了简单的描述,并从情报信息角度对其在航空发动机领域的应用进行了探讨。  相似文献   
343.
高温气流中材料表面催化特性研究   总被引:1,自引:0,他引:1  
分析了在高温气流中材料表面催化复合反应的基本过程及它和各种因素的关系,同时阐述了用于研究材料表面催化特性的实验设备-高频感应等离子体内风洞。文中给出了在高频感应等离子体风洞中测得的三种材料的催化复合系数γ及催化复合反应速率常数kw,并对催化材料的选择等有关问题进行了讨论。  相似文献   
344.
用于飞行器的强电离放电非平衡等离子体隐身方法研究   总被引:9,自引:0,他引:9  
着重研究了等离子体临界电子密度、电子等离子体频率等参数对电磁波的折射、吸收、反射的影响。在此基础上,采用了强电场电离放电方法,在放电间隙内产生高密度、高能量的电子,它足以电离氮、氧等气体,在飞行器表面形成具有一定梯度的高密度等离子体层,能够吸收、折射电磁波,衰减雷达散射面积达千余倍。该等离子体器件是一个很薄的组合件,仅有百余克重,可贴附在电磁波强散射部位和进气道壁上。此方法具有吸收频带宽、吸收率高等特点,有望成为机载微型等离子体产生器件。  相似文献   
345.
微波等离子推力器(MPT)谐振腔只有在谐振状态下,微波能量才能被高效地用于加热工质产生推力。利用标量网络分析仪,采用微波无源器件回波损耗的测试方法对MPT谐振腔进行了精确地调谐,分析微波能量的吸收效率及谐振频率带宽,研究腔体的尺寸,微波耦合探针位置以及腔内的隔板材料等在同一谐振频率条件下的匹配性。调试结果可为腔体设计与提高系统效率提供参考。  相似文献   
346.
变极性等离子弧焊接系统的研制   总被引:1,自引:0,他引:1       下载免费PDF全文
主要介绍了所研制的变极性等离子弧焊接系统,包括:主弧电源、维弧电源、等离子焊枪、电源配套系统以及计算机控制系统等,对系统的设计和关键技术突破作了较为详细的阐述。采用该系统焊接了4mm、5mm、12mm厚铝合金试片和5mm厚筒形结构件,焊缝内部质量符合QJ2698-95中I级接头要求,气孔符合MIL-STD-2219标准。  相似文献   
347.
本文采用耗散系统的混沌动力学方法,分析处理了FD04电弧风洞超高速等离子体流场实验中多道扫描探针的实验数据。分别给出了无锥体流场和有锥体尾迹等离子体流场的相关维数和Kolmogorov熵值的分布。该分布清晰地刻划了流场的湍动和分层结构。用Kolmogorov熵极小值方法,观测到了锥体尾迹流场的主激波结构。  相似文献   
348.
质量偏心旋转机械碰摩故障特征及全息谱分析   总被引:3,自引:0,他引:3  
刘献栋  李其汉 《航空动力学报》1998,13(4):428-430,462
本文针对仅考虑质量偏心的Jefcot转子碰摩的动力学方程,用二维全息谱理论研究了各阶谐波特性,得出碰摩的重要特征;分析了摩擦系数、转速对进动规律的影响,发现在摩擦系数较小时不平衡力引起的规则正进动起决定作用,较大时一定转速下将出现拟周期运动及失稳。  相似文献   
349.
杜海  史志伟  耿玺  魏德宸 《航空学报》2012,33(10):1781-1790
在前期等离子体激励器基本流场特性研究的基础上,将等离子体激励器应用于微型飞行器(MAV)进行气动控制。当来流速度为9.1 m/s时,在微型飞行器机翼吸力面非对称布置不同的单介质阻挡放电(SDBD)等离子体激励器,通过对未施加激励的偏航、滚转力矩曲线和施加激励的偏航、滚转力矩曲线进行对比,发现横航向气动力距发生很大的改变,可以实现对横航向气动力矩的控制。在此基础上,采用图像测速(PIV)技术,对机翼背风面的流场进行研究,分析产生横航向控制力矩的流动机理。通过改变激励器的输入电压、占空比和调制频率,实现对横航向气动力矩的比例控制。  相似文献   
350.
为了探究CF4/SF6反应气体及其含量对大气压等离子体的温度的影响规律,采用红外热像仪记录等离子体反应区域的温度.实验结果表明在系统输入功率为260W时,对于CF4气体,等离子体区域的温度随着CF4含量的增加先升高然后降低;对于SF6气体,等离子体区域的温度随着SF6含量的增加而逐渐降低;在相同条件下,反应气体为SF6...  相似文献   
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