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261.
膏体富燃料推进剂配方研究   总被引:3,自引:0,他引:3  
研究了可用于双射程冲压发动机的膏体富燃料推进剂。结果表明,以PEPA/EG为粘合剂、无定型硼粉为燃料添加剂时,推进剂的实测热值可达28.7 M J/kg。使用经表面处理的无定型硼粉,加入量可在40%以上。膏体富燃料推进剂具有剪切变稀的性质,其流动指数和稠度系数随温度的上升呈下降趋势。配方的低压可燃极限为0.2~0.3 MPa,燃速r0.5MPa>12 mm/s,压强指数约为0.43。  相似文献   
262.
TiO2在光催化方面具有较好的应用前景,可望用于有害污染物的降解处理;但由于其禁带宽度对应的激发波长在紫外区,限制了其大规模应用。文章利用操作简便、易于控制的真空阴极电弧离子镀膜技术,制备了非掺氮和掺氮的TiO2薄膜。并分别在300℃和500℃退火后,获得了非晶态向锐钛矿结晶的转变。结果还表明,掺氮TiO2薄膜的相变温度比非掺氮的TiO2薄膜要高,其光吸收区也从紫外区扩展到了可见光区。  相似文献   
263.
通过有限元法研究了炭纤维无纬带与平纹布铺层的体积比λ对整体复合裙抗轴压性能的影响。分析表明,λ为7∶3时,复合裙的抗轴压性能较好。对用树脂传递模塑(RTM)工艺制备的具有优化铺层方式的复合裙进行了轴压性能试验,试验所得复合裙的轴压刚度与计算值的偏差为9.5%,试验的轴向应变-载荷曲线与计算的轴向应变-载荷曲线趋势基本一致。  相似文献   
264.
研究了不同增塑比和温度对硝酸酯(BG)增塑的聚乙二醇粘合剂(PEG)体系流变特性的影响。结果表明,聚乙二醇粘合剂体系存在临界增塑比,低于该临界增塑比时,体系粘度随增塑比增加而迅速降低;高于该临界增塑比时,体系粘度变化缓慢。当增塑比为2.8时,聚乙二醇粘合剂体系在50℃假塑性程度最高。  相似文献   
265.
文章介绍了自行研制的卫星表面放电效应模拟器。根据模拟器基本原理和应实现的主要功能,提出了模拟器的技术指标和具体设计方案;研制了模拟器标定系统,并利用该标定系统对模拟器放电电压和放电电流脉冲特性进行了测试标定。结果表明所研制模拟器的放电特性符合卫星表面放电效应模拟试验的要求,可以用于表面放电效应评估。  相似文献   
266.
多层隔热材料热物性参数工程计算方法   总被引:1,自引:0,他引:1  
有效发射率、有效太阳吸收比和当量热导率等多层隔热材料热物性参数的正确确定是进行航天器热分析和热设计的基础。对多层隔热材料的这些热物性参数的工程计算方法进行了介绍,通过计算分析获得了不同条件下这些热物性参数的定量值,可为航天器热控设计提供参考。  相似文献   
267.
轻型刚性陶瓷因其稳定的介电常数和良好的耐压性能,已经作为填充材料应用于航天器器件中。文章对介质陶瓷材料的结构、组织形貌、力学性能和微波介电性能开展了系统研究,探讨了结构的各向异性对力学性能和电性能的影响。重点对介质陶瓷的空间环境效应开展研究,试验结果发现其具有低的真空出气总质损和可凝挥发物含量,以及一定的空间总剂量辐照耐受能力。陶瓷经历湿热处理后,结构强度出现了一定程度的下降,分析发现是由陶瓷内部含有的少量B_2O_3黏结剂吸水生成硼酸导致。  相似文献   
268.
金属骨架陶瓷基复合材料涡轮导叶(金属骨架陶瓷导叶)耐高温、耐腐蚀、密度小,且韧性好,解决了高温合金难以承受越来越高的涡轮前温度的难题。介绍了金属骨架陶瓷导叶的国内外研究背景,分析了该导叶工程应用的关键技术:认为通过改变陶瓷叶型与金属骨架沿周向的接触方式(柔性接触和点/线接触)可缓解二者的周向热变形协调,尽量减少陶瓷叶型与金属支撑板的刚性接触有益于径向热变形协调;金属与陶瓷基复合材料之间的连接必须解决化学相容性与物理匹配性的问题;探讨了该导叶的力学性能计算及试验验证方法。最后指出了金属骨架陶瓷导叶未来的研究方向。  相似文献   
269.
石墨烯具有优异的物理、化学和热学性能,最近几年获得极大关注。简单介绍石墨烯的各项性能和制备方法,详细介绍了石墨烯在储能材料、复合材料和涂层等应用的最新进展,指出石墨烯在直升机上的应用前景。  相似文献   
270.
研究了热等静压温度对K447A合金显微组织及性能的影响。测试了合金的持久性能和室温拉伸性能。利用金相显微镜(OM)和扫描电镜(SUM)观察了合金显微组织。结果表明,1185~1210℃/180MPa/4h(+1185℃/2h,AC+1100℃/4h,AC+870℃/20h,AC)下,随热等静压温度的提高,合金中显微疏松逐步闭合,碳化物逐步细化和球化;γ-γ’共晶相尺寸和数量逐步减小,共晶特征趋于不明显;晶界呈不连续颗粒状;存在大、小两种尺寸的γ’相。经1185~1210℃HIP处理的合金980℃/200MPa持久性能大幅提高;经1195℃HIP的合金760℃/724MPa持久性能达到最高。经1210℃HIP处理的合金980℃/200MPa持久性能达到最高。180MPa/4h条件下,K447A合金合适的热等静压温度为1185~1210℃。  相似文献   
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