利用金属间化合物增强陶瓷钎焊接头强度

研究了Ag-Cu-Ti/加Ti/N i/Ti复合层钎焊S i3N4陶瓷的接头组织与性能。结果表明,钎缝中形成了以金属间化合物为高熔点相和Ag-Cu作为基体的组织。对界面反应层的观察表明,反应层分为两层结构。保温时间、连接温度、Ti箔和N i箔厚度及Ag-Cu-Ti钎料厚度均能影响接头组织和强度。在本实验范围内,其它参数一定的条件下,分别在30m in,970℃,Ti箔30μm和N i箔60μm及Ag-Cu-Ti片150μm时取得了最大强度值。     

电子束钎焊简化温度场模拟

针对毛细管板结构特点,建立了一个简化的二维有限元分析模型,利用ANSYS软件进行钎焊温度场模拟,计算了7种电子束扫描轨迹对钎焊接头周围温度场的影响,获得了最佳扫描轨迹。同时,讨论了最佳扫描轨迹下电子束钎焊工艺参数对温度场的影响。     

Д-30发动机导向器叶片缘板的钎焊修复

针对Д-30发动机运行过程中部分导向器叶片缘板出现磨损变薄的缺陷,本文探讨了缺陷修复工艺,制定了切实可行的缘板钎焊修复工艺流程,同时也为其他叶片缘板的钎焊修复提供借鉴。     

Д-30发动机涡轮工作叶片的钎焊补焊

针对Д-30发动机大修对ЖС6У(国产化牌号为K465)合金涡轮工作叶片的修复要求,采用B-Ni73Cr Si B-40Ni-S混合粉末钎料和BNi82Cr Si B非晶态箔状钎料对K465铸造高温合金与ВКНА-2М耐磨合金块进行了真空钎焊试验研究,测定了钎焊接头的力学性能,并对实际叶片进行了钎焊补焊。结果表明,两种钎料都可用于ЖС6У合金涡轮工作叶片的钎焊修复。     

结合钎焊和氩弧焊方法对钛合金/Nb/不锈钢接头的连接

利用AgCu-1.8Ti和AgCu-4.4Ti两种钎料对Nb与0Cr17N i4Cu4Nb不锈钢进行润湿性研究,并钎焊Nb与0Cr17N i4Cu4Nb接头。AgCu-1.8Ti在Nb与0Cr17N i4Cu4Nb上的润湿角均小于AgCu-4.4Ti。分析接头组织发现,AgCu-4.4Ti钎料接头中在靠近不锈钢侧存在约50μm宽的富Ti层,而AgCu-1.8Ti钎料接头中未发现该富Ti层。利用氩弧焊将TC4与Nb预先焊好后再用两种钎料钎焊Nb和不锈钢,测定TC4/Nb/0Cr17N i4Cu4Nb接头的室温拉伸强度。数据显示,AgCu-1.8Ti钎料接头的室温拉伸强度平均值达到222.2MPa,而AgCu-4.4Ti钎料接头强度仅有133.8MPa,所有接头均断于Nb与0Cr17N i4Cu4Nb界面。     

钎缝中合金粉对组织的影响

主要研究了Ｋ３合金钎缝中加入合金粉后组织的变化,尤其是硼化物的变化,并讨论了合金粉的作用和加入方式。研究结果表明,由于加入合金粉,减少了钎缝中Ｂ和Ｓｉ元素的浓度,显著减少了Ｂ和Ｓｉ的共晶相,改善了钎缝组织。显然,这是提高钎焊接头性能的有效途径。     

钎焊式离心轮加工工艺研究

离心轮水力性能的优劣对泵的效率影响最大，离心轮加工质量好坏直接影响泵的特性。针对钎焊式离心轮加工的技术要求与技术难点进行分析、研究，结合现有数控设备对离心轮的加工工艺进行改进、优化及数控加工转化。     

航天器异种金属钎焊接头静态裂纹行为分析

采用高频感应钎焊方法连接了航天推进系统的异种金属(钛合金与不锈钢)薄壁小直径导管结构,结构的质量和性能远远优于螺栓连接的导管结构.钎焊接头静态拉伸试验发现,银基钎料钎焊的接头承载能力要优于铜基钎料.对静态拉伸断裂接头的微观组织进行了分析,结果发现,银基钎料钎焊的接头区域出现的裂纹仅在钎缝区域萌生和扩展,当裂纹扩展到钎缝与母材的界面位置时停止扩展.铜基钎料钎焊的接头区域的裂纹从3个位置萌生:钎缝2种组织的交界处,钎缝与钛合金、不锈钢的界面.裂纹驱动力主要是由静态拉伸载荷和异种金属钎焊接头失配行为构成的,而裂纹扩展抗力主要与钎焊接头的微观组织有关.     

磨料有序排布钎焊金刚石砂轮磨削硬质合金的性能研究

通过优化排布金刚石磨料研制出钎焊单层金刚石端面砂轮.以硬质合金为加工对象,研究了该砂轮的磨削性能.结果显示连续干磨时,金刚石磨粒的失效形式主要是磨耗磨损和断裂两类,没有出现传统的电镀和烧结工具磨粒大量脱落的现象.这表明钎料合金对磨粒的高强度把持和砂轮的高耐用度.此外,工件的磨削表面获得了良好的粗糙度,理论预测的粗糙度数值和试验数值基本一致.     

Pd-Co-Ni-V钎料钎焊SiC陶瓷的接头组织及性能

采用座滴法研究了PdCo合金及PdCo-V合金对SiC陶瓷的润湿性.设计的PdCo-(4～20)V-(2～4)Ni-Si-B钎料可用于SiC的连接,在1463 K,1493 K两个温度,保温时间均为10 min的连接条件下得到的接头室温三点弯曲强度分别为52.0 MPa和56.8 MPa.微观分析表明,接头中在紧靠SiC的界面交叉分布着Pd2Si相与CoSi (或Co2Si) 石墨的混合相,而元素V只在接头的中央富集,形成了弥散分布的V2C相.