化学气相沉积法制备纳米铁薄膜的实验研究

纳米铁薄膜是近年来国内外纳米材料科学关注的前沿领域之一,在诸多领域有广泛应用。目前大规模低成本制备方法还有待研究。以铁丝为原材料,利用羰基金属的化学特性,采用化学气相沉积法在石英基片上沉积纳米铁薄膜,利用扫描电子显微镜对不同条件下制备的薄膜进行了分析。结果表明采用以纯铁为原始材料,可以在较宽的实验条件下形成不同特点的纳米铁薄膜。     

CVI制备的Si3N4p/Si3N4复合材料及其性能

以SiCl4-NH3-H2为反应体系,采用化学气相渗透法制备Si3N4p/Si3N4复合材料.试样主要成分为α-Si3N4和非晶沉积物,并有微量的β-Si3N4和晶体Si.SEM和光学显微图片表明颗粒团间气孔偏大,Si3N4颗粒和CVI Si3N4之间界面弱结合,导致试样的弯曲强度最高只有71MPa.     

偏二甲肼中偏腙含量测量结果的可靠性研究

按照国家军用标准GJB753-89《偏二甲肼》中规定的气相色谱法测量了偏二甲肼中的偏腙含量,评定了测量结果的不确定度,确定了影响测量结果可靠性的主要因素,并就如何提高测量结果的可靠性提出了建议.     

Y2O3涂层的MOCVD法制备工艺

采用MOCVD法,通过金属有机先驱体Y(TMHD)3与O2反应在石英或CVD-SiC基片上制备Y2O3涂层,探索了制备工艺对沉积结果的影响.结果表明,先驱体气相浓度对Y2O3涂层生长方式和涂层与基片的结合强度有很大影响;沉积温度在600℃～700℃范围内,随着温度的升高涂层致密度提高,空洞缺陷减少.     

EB-PVD工艺制备Ti/Ti-Al超薄多层复合材料的微观结构与性能研究

利用大功率电子束物理气相沉积(EB-PVD)技术制备了Ti和Ti-48at%Al交替蒸发沉积形成的金属/金属间化合物型多层材料薄箔.研究了靶基距、微观结构参数及试样在制备材料的选取位置对其性能的影响,考察了Ti/Ti-Al微叠层材料在不同温度下的拉伸性能,结果表明材料的室温脆性得到了明显改善,高温下由于金属间化合物层的反常强化作用,使材料在500～800 ℃之间的性能较为理想.     

镍对C/SiC化学气相渗透碳的催化研究

用液相浸渗还原法将Ni渗入C/SiC复合材料,研究复合材料中Ni对化学气相渗透PyC过程的影响.用重量分析法研究Ni的催化作用,用扫描电子显微镜(SEM)、X射线衍射(XRD)技术分析材料的微观结构及组成.结果表明,Ni对化学气相渗透PyC具有催化作用,它加速了PyC的沉积,Ni含量为4.4%时增重率达最大值9.98%.沉积的PyC为细小颗粒聚集体.CVI过程中Ni与基体SiC反应生成Ni2Si,Ni3Si.     

石墨表面CVD SiC涂层微观结构研究

研究CH3SiCl3-H2-Ar体系中在石墨表面化学气相沉积SiC涂层工艺,并对涂层形貌进行SEM分析。考察沉积温度、气体比例、气体流量以及稀释气体含量对化学气相沉积SiC涂层的显微结构的影响。结果表明,在温度1100℃,H2∶MTS=5∶3,气体流量8L/min,稀释气体1L/min时,制备的涂层致密光滑。其中涂层的形貌对温度最敏感,当沉积温度达到1100℃时,CVD SiC涂层表面致密且光滑。     

C/C-SiC复合材料两种制备工艺及材料性能

以碳纤维整体毡为预制体,采用化学气相渗透法(CVI)制备出低密度碳/碳复合材料,再分别采用液相硅渗透工艺(LSI)制备出密度为2.1g/cm3的碳/碳-碳化硅复合材料(C/C-SiC),及先驱体转化工艺(PIP)制备出密度为1.9g/cm3的C/C-SiC.对2种工艺制备的C/C-SiC力学性能进行了比较,结果表明:PIP工艺制备的C/C-SiC弯曲强度为287MPa,明显高于LSI工艺制备的弯曲强度155MPa.     

新型近β钛合金Ti—5Al—2Sn—4Zr—3Cr—3Mo

近年来，在喷气发动机中，风扇及压气机盘采用了以断裂力学为基础的安全设计，不仅要求材料有高的疲劳强度及断裂韧性，还很重视疲劳裂纹的扩展速率。为此，日本学者研制出一种新型近β钛合金Ｔｉ－５Ａｌ－２Ｓｎ－４Ｚｒ－３Ｃｒ－３Ｍｏ。该合金通过热处理还可以得到比广泛应用的Ｔｉ－６Ａｌ－４Ｖ更好的综合性能。     

常压化学气相沉积SiC的组织结构及其稳定性

研究了CH3SiCl3-H2-Ar体系在常压条件下化学气相沉积SiC的组织结构及其高温稳定性。在一定沉积温度下,沉积物的形貌由H2流量所控制;而在H2流量一定的条件下,随着沉积温度的提高,沉积物的晶粒尺寸和致密度增加。本实验所得到的沉积物均为纳米级β-SiC,经高温热处理后发生明显的晶粒长大现象。