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51.
利用电化学阻抗谱(EIS)技术研究了含有锌铬黄防锈颜料的环氧酯漆涂层的耐蚀性能。研究发现,当老化时间为4周时,涂层的耐蚀性能最佳,时间过长或过短都使得涂层性能下降。并且EIS技术可以用来研究涂层的老化。  相似文献   
52.
介绍了蒸气热等静压法制备B/Al复合管材的工艺过程,讨论了用该方法制备B/Al复合管材的影响因素,如装配工艺、复合工艺等。本试验在温度(490±10)℃、压力70MPa、保压时间为40min~45min的工艺条件下制得了Φ34mm×1mm×1020mm、Φ40mm×1mm×1020mm、Φ60mm×1mm×1200mm三种规格的带接头的B/Al复合管,并对管的物理性能、力学性能进行了测试,结果表明该工艺方案切实可行,在上述参数下可以制得高质量的B/Al复合管。  相似文献   
53.
低碳硅锰系TRIP钢热处理工艺的研究   总被引:1,自引:1,他引:1  
仅含碳、硅、锰合金元素的结构钢,采用临界区等温淬火热处理工艺,得到铁素体、贝氏体和残余奥氏体三相组织。该钢在 Ms(马氏体转变开始温度)~Md(马氏体转变终止温度)d温度之间形变,应变诱导相变,相变诱发塑性──TRIP,其力学性能指标大大提高。本文通过显微组织观察,力学性能结果分析,对这种低碳硅锰系TRIP钢三种不同的热处理工艺制度进行了研究。  相似文献   
54.
为研究等截面通道角形挤压过程中超细晶粒结构形成的机理及晶界变化过程 ,专门设计并熔铸了含微量Zr和B元素的Al 0 .2 7wt %Zr 0 .0 6 4wt%B合金 ,合金晶界上分布有大量的B2 Zr细小化合物颗粒 ,晶内几乎没有B2 Zr粒子。通过室温轧制、热锻以及随后的退火实验表明 ,B2 Zr具有很高稳定性 ,且再结晶后B2 Zr仍位于原变形后的位置 ,不随退火再结晶时新形成晶界的迁移而迁移 ,证明该合金可用于塑性变形时晶粒变形细化及晶界变化过程的研究  相似文献   
55.
一种飞机大仰角飞行的模糊控制方法   总被引:1,自引:0,他引:1  
提出了一种飞机大仰角飞行的动态逆模糊集成控制方法。首先使用动态逆方法求得系统的逆,使系统反馈线性化,然后,用具有在线规则自调整的模糊控制方法来确保系统的最终特性。该方法应用在高性能收音机俯仰机动指令系统的设计中,仿真结果表明,所设计的控制器满足操纵品质的要求,并且,在大仰角飞行时具有较好的鲁棒性。  相似文献   
56.
研究了不同热处理工艺与 K41 8B合金细晶铸件组织和性能的关系 ,结果表明 ,合金组织中的γ′相大小和晶界上次生碳化物的形态和分布对中温持久性能具有重要影响。提出了 K41 8Β合金细晶铸件合适的真空热处理制度为 :1 1 80℃ / 2 h,AC 93 0℃ / 1 6h,AC  相似文献   
57.
叙述了一种采用CAN总线通信来实现分布式数据采集的设计方法;介绍了用PIC16F877通过SPI方式直接对MCP2510进行操作,与带智能适配卡的PC机实现CAN通信,并对CAN控制器MCP2510作了分析;给出了系统结构框图与部分硬件图,以及给出了软件设计思路。该基于CAN总线的分布式数据采集系统是一种高可靠性、实时性的系统。  相似文献   
58.
F-12 纤维/RE14复合材料压力容器成型工艺研究   总被引:1,自引:0,他引:1       下载免费PDF全文
研究讨论了缠绕过程中几种主要工艺参数对F— 12纤维 /RE14配方Φ15 0mm压力容器复合材料性能的影响。结果表明 :采用“交替”铺层方式缠绕成型 ,含胶量控制在 30 %~ 4 0 % (质量分数 ) ,缠绕张力控制在 15 0N~ 2 0 0N ,采用GPC谱图控制固化时机 ,得到的复合材料综合性能较好 ;用优化出的工艺参数进行了Φ4 80mm压力容器试验 ,结果表明其容器特性系数PV/W值为 37.0 2km ,纤维强度转化率高达73.2 6 %。  相似文献   
59.
基于B参数的轴流压气机过失速稳定性分析   总被引:1,自引:1,他引:1  
陈策  李军 《航空动力学报》2004,19(5):678-683
基于2阶Greitzer模型,按照B参数的变化,通过对系统方程进行局部线性化,把从失速到喘振的过失速过程划分为4个阶段进行非线性分析,不仅观察到了临界点附近的系统变化规律,而且可以准确判定临界点的位置。在B参数大于临界点时的情况下,引入了Lyapunov稳定性理论和局部不变集定理对系统进行全局稳定性分析,结合仿真结果,表明系统轨迹趋近于稳定的喘振极限环。   相似文献   
60.
主要介绍了频率合成芯片MC145152—2的主要特征、功能以及工作原理。运用MC145152—2芯片设计1800MHz频率合成器电路,从器件选取、参数分析、硬件电路构成等方面介绍了1800MHz频率合成器电路,试验测试中验证电路具有较低的相位噪声和较高的频率稳定度,与传统的频率合成器电路相比,性能有了很大的提高。  相似文献   
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