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451.
欧空局已选定由阿斯特里姆英国公司来建造“哨兵5前驱”对地观测卫星,合同价值6100万美元。卫星将采用“宇宙星”250平台,发射重量预计约500千克,定于2015年发射到800千米的极轨道,用于研究大气化学。  相似文献   
452.
将碳纳米管经过纯化、敏化、活化处理后,采用化学镀方法制备镀镍碳纳米管,利用DSC分析出合适的热处理温度,然后在惰性气体保护下进行退火处理.利用TEM、EDS、XRD对退火前后镀镍碳纳米管的形貌、元素组成、结构进行表征.结果表明:碳纳米管表面被成功镀上了一层镍磷合金,热处理后镀层更光滑,并发生晶化反应得到晶态镍,使得电磁性能得到较大提升.电性能测试表明,镀镍碳纳米管的电导率为450 S/m,热处理后提高到1400 S/m.磁性能测试表明,镀镍碳纳米管热处理前后均表现为软磁性,热处理前饱和磁化强度为2.753 emu/g,热处理后提高到11.254 emu/g.  相似文献   
453.
征稿启事     
《火箭推进》2010,36(1):F0004-F0004
<正>《火箭推进》是中国航天科技集团公司主管,航天推进技术研究院与中国宇航学会液体火箭推进专业委员会主办的学术刊物,主要刊载液体火箭发动机相关领域的研究论文、综述等,栏目分研究与设计、专论与综述、工艺与材料、测控与试验、燃料与推进剂等。本刊已被国外:美国《化学文摘》  相似文献   
454.
航天火工品爆炸引起的电磁干扰测量   总被引:1,自引:0,他引:1  
通过地面模拟试验测量了火箭分离时火工品的爆炸产生的电磁辐射.通过杆天线和实时频谱仪测量了不同种类的航天火工品的爆炸辐射,表明辐射随着爆炸能量的增加而增强.使用聚能炸药索时,在爆炸分离后的数十毫秒内都会有明显的电磁脉冲出现,其频率主要集中在兆赫兹量级,在单个频点上的电场峰值可达数个V/m.使用偶极子天线对爆炸时舱体内外的电磁环境进行了对比,并对舱内线路上的感应电流脉冲进行了测量,得到了一些初步结论.试验结果可为舱内电子设备的抗干扰设计提供参考.   相似文献   
455.
综述了高分子纳米复合材料的发展研究现状,将高分子纳米复合材料的制备方法分为四大类:纳米单元与高分子直接共混(内含纳米单元的制备及其表面改性方法);在高分子基体中原位生成纳米单元;在纳米单元存在下单体分子原位聚合生成高分子及纳米单元和高分子同时生成。介绍了高分子纳米复合材料的表征技术及其应用前景。  相似文献   
456.
综述了高分子纳米复合材料的发展研究现状,将高分子纳米复合材料的制备方法分为四大类:纳米单元与高分子直接共混(内含纳米单元的制备及其表面改性方法);在高分子基体中原位生成纳米单元;在纳米单元存在下单体分子原位聚合生成高分子及纳米单元和高分子同时生成.介绍了高分子纳米复合材料的表征技术及其应用前景.  相似文献   
457.
随着光电器件的进一步发展,陷光结构得到广泛关注,但是倒金字塔结构、尺寸与其陷光性能之间的关系有待深入研究。本文采用铜银共辅助腐蚀法制备倒金字塔结构并实现倒金字塔结构的尺寸在1μm以下调控,研究发现平均尺寸为1μm倒金字塔结构具有最优异的陷光性能。将具有优异陷光性能的倒金字塔结构硅衬底应用于Si/PEDOT:PSS异质结光电探测器,该光电探测器在外加0 V偏压条件下对980 nm波长的光具有61mA/W的响应度和9.20×1012 Jones的比探测率,实现了卓越的光电响应性能。本文为高性能Si/PEDOT:PSS异质结光电探测器的制备提供了一种新思路,证明了倒金字塔结构具有广阔的应用前景。  相似文献   
458.
一种快速制备C/C材料方法的探索研究   总被引:6,自引:0,他引:6       下载免费PDF全文
介绍了一种新的C/C材料制备方法--快速化学液气相渗透致密法。利用该技术,采用碳毡作预制体,以两种液态低分子有机物作碳源前驱体沉积时间在3h内,沉积温度在900℃ ̄1100℃范围内可获得密度达1.74g/cm^3的C/C材料。碳纤维表面最大沉积速率可达64μm/h,比传统的等温CVI沉积速率(0.1μm/h ̄0.25μm/h)提高了200倍以上,并初步分析了该技术快速致密多孔预制体的机理。  相似文献   
459.
研究了TA1,TA2纯钛和TC4 ,Ti- 15- 3钛合金平板在化学铣切中的吸氢及对其机械性能的影响。通过选择合适的腐蚀液 ,化铣后的含氢量均可控制在 0 .0 15%以内 ,抗拉强度基本不变或稍有下降 ,塑性有所提高  相似文献   
460.
界面相对3D-C/SiC复合材料热膨胀性能的影响   总被引:10,自引:0,他引:10  
利用减压化学气相浸渗(LPCVI)技术制备了3D C/SiC复合材料,从热解碳(PyC)界面相厚度对界面结合强度和热应力的影响出发,研究了界面相对复合材料热膨胀性能的影响。结果表明:①界面相厚度对3D C/SiC复合材料热膨胀性能的影响主要归因于其对界面结合强度和脱黏面上的滑移阻力的影响。在一定厚度范围(约70~220nm)内,材料的热膨胀系数随热解碳厚度的增加而逐渐降低;②热处理可提高材料的热稳定性,并通过改变材料内部结构,使热应力重新分布,对复合材料的高温热膨胀产生显著影响,但是,并没有改变基体裂纹的愈合温度(900℃)。  相似文献   
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