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941.
介绍了GB/T4459.5-1999《机械制图中心孔表示法》的主要内容中心孔符号、中心孔的标记,中心孔在图样上的表示法等;并与国内外有关同类标准进行了比较。  相似文献   
942.
通过对材料动态力学性能的测试,研究了采用快速凝固/粉末冶金工艺制备的Al-Fe-Mo-Si基复合阻尼材料Al-Fe-Mo-Si/Zn-Al和Al-Fe-Mo-Si/Al/Zn Al的阻尼性能,并对其阻尼机制进行了讨论。结果表明:在20~250℃的温度范围内,两种材料的阻尼性能(Q-1)处于(0.5~3.1)×10-2之间,复合有较多Zn Al且挤压比较大的Al Fe Mo-Si/Zn-Al的阻尼性能要优于Al-Fe-Mo-Si/Al/Zn-Al。低温时由大挤压变形引入的高密度位错阻尼在材料内耗机制中占据主导地位,而在高温区界面阻尼的影响逐渐增加,同时由于热激活作用,位错阻尼随着温度的升高表现出不同的作用机制,二者共同决定着材料的内耗特性。  相似文献   
943.
碳/环氧复合材料孔隙问题研究进展   总被引:2,自引:1,他引:2       下载免费PDF全文
对碳/环氧复合材料热压罐成型工艺中孔隙形成机理、孔隙率对复合材料力学性能的影响以及孔隙率检测方法的研究进行了总结和评述,并提出孔隙率的工艺控制方法及未来研究方向。  相似文献   
944.
复合BaTiO3对聚氨酯基互穿聚合物网络阻尼性能的影响   总被引:1,自引:0,他引:1  
分别采用BaTiO_3纳米粉和纤维为填料,以改性的聚氨酯(PU)和不饱和聚酯树脂(UP)制备的互穿聚合物网络(IPNs)为骨架材料,采用在位分散聚合法,制备了均匀性较高BaTiO_3/IPNs复合型阻尼材料,并研究了BaTiO_3形态及复合量对BaTiO_3/IPNs型复合材料阻尼性能的影响。结果表明,复合后材料的阻尼性能,除与无机填料的性质有关,主要受其形态影响,纤维状BaTiO_3对复合体系的阻尼损耗因子(tanδ)极值和阻尼损耗模量(E′)峰面积提升较为明显;BaTiO_3纳米粉的复合量增加到70%(V/V)),E′增加10~2倍,且tanδ曲线肩峰和主转变峰的位置均移向高温区,相应明显拓宽了室温区的阻尼损耗因子值。  相似文献   
945.
对某机前设备舱安装板的原金属加筋板、单层阻尼加筋板及双层阻尼加筋板等三 限元模型进行了实模态与复模态的动特性计算、动响应计算,。并将计算结果与试验结果进行比较。由计算与试验结果表明,阻尼减振效果比较显著,可以装机推广使用。  相似文献   
946.
压电作动器用于振动主动控制技术的研究   总被引:3,自引:1,他引:3  
 从理论和实验两方面分析了利用压电作动器进行柔性结构振动主动控制的机理,从能量的角度对施加控制时悬臂梁自由衰减振动的阻尼比进行了理论计算,得出了主动阻尼比与反馈增益之间的关系。建立相应的实验系统,对上述关系式进行了实验验证。  相似文献   
947.
基于低频轴向振动钻削理论和深孔振动钻削的工艺实践,在经过改造的深孔振动钻床上,成功地进行了材料为42CrNiMo的Φ9.5×2255mm超深孔振动粘削,获得了优良的加工质量。  相似文献   
948.
本文以复刚度模型为基础,采用材料动态力学性能测试系统和计算机系统研究了阻尼减振器动态力学性能对减振效果的影响,结果表明,在离散型阻尼系统中,刚频变化率S_f的大小和损耗因子随频率的变化对高频隔振效果均有较大影响,理想的阻尼材料应有较低的S_f值和几乎不随频率变化的较高的损耗因子。  相似文献   
949.
在尾流激振情况下叶片振动应力预估技术   总被引:7,自引:2,他引:5  
研究了前排静子叶片的尾流对后排转子叶片振动的影响.采用参数多项式方法和振荡流体力学理论, 求解静子叶片后的尾流场及尾流场作用下转子叶片通道内的非定常流场.把非定常气动分析给出的压力场, 转化为结构动力分析中的载荷压力场形式.根据试验结果得出响应分析中的阻尼, 先求解出各阶谐波作用下转子叶片的响应结果, 再把各阶响应结果进行叠加, 得到总响应.从流场求解到响应求解, 为工程应用初步建立起了一个尾流激振情况下叶片振动应力预估的半经验方法.   相似文献   
950.
带旋流杯的模型回流燃烧室主燃孔射流研究   总被引:1,自引:1,他引:0  
实验研究了带轴径向旋流杯、主燃孔和冷却气流的模型回流燃烧室在工作压力为300 kPa, 燃烧室压力损失为2.5%时主燃孔射流的特点以及其对燃烧室流场的影响.结果表明, 回流式燃烧室内外壁主燃孔射流进气方向与顺流式燃烧室不同, 即内壁主燃孔射流向流动方向下游倾斜, 外壁主燃孔射流向流动方向上游倾斜;主燃孔射流穿透深度很大, 几乎能穿透到对面火焰筒壁;中心回流区长度明显缩短, 其长度L与旋流杯出口直径D的比值(L/D)约为0.5, 而常规的顺流式燃烧室的L/D约为1.3.   相似文献   
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