高码速率图像模拟源的设计和实现

介绍了一种基于PCI总线接口和WindowsNT4．0操作系统的高码速率图像模拟源的功能、技术指标及其软硬件设计实现方法，它具有大容量、可变图像、可变码速率、可变格式的优点，且操作简便，性能稳定，已被成功应用于863－2项目。     

升压式ZVT—PWM软开关变换器仿真研究

分析了零电压过渡脉宽调制型(ZVT-PWM)软开关变换器基本工作原理，利用PSPICE软件对升压式ZVT-PWM软开关变换器进行仿真，给出了仿真结果，并与一般的升压变换器进行了比较。仿真结果表明，ZVT—PWM软开关变换技术具有开关损耗小、电源电压和负载适应范围宽、恒频控制和变换效率高等优点。     

一般高速数据总线网络的吞吐量分析

分析了一般高速数据总线网络优先权方案的特性，建立了一般ＨＳＤＢ网络多优先权的平均吞吐量模型，导出了不同优先权的平均吞吐量解析表达式，并通过软件仿真验证了由得到的解析表达式。     

基于130nm 工艺嵌入式SRAM 单粒子软错误加固技术研究

在空间环境中,嵌入式SRAM 易受高能粒子的作用发生单粒子软错误,针对这一现象,文章研究了深亚微米工艺下嵌入式SRAM 的单粒子软错误加固技术,提出了版图级、电路级与系统级加固技术相结合的SRAM 加固方法以实现减小硬件开销、提高抗单粒子软错误的能力。并基于该方法设计了电路级与TMR(三模冗余)系统级加固相结合、电路级与EDAC(纠检错码)系统级加固相结合和只做电路级加固的3 种测试芯片。在兰州近物所使用Kr 粒子对所设计的测试芯片进行单粒子软错误实验,实验结果表明,系统级加固的SRAM 抗单粒子软错误能力与写入频率有关,其中当SRAM 的写入频率小于0. 1s 时,较只做电路级加固的芯片,系统级和电路级加固相结合的SRAM 可实现翻转bit 数降低2 个数量级,从而大大优化了SRAM 抗单粒子软错误的性能。并根据实验数据量化了加固措施、写频率和SRAM 单粒子翻转截面之间的关系,以指导在抗辐照ASIC(专用集成电路)设计中同时兼顾资源开销和可靠性的SRAM 加固方案的选择。     

北京轩宇空间科技有限公司

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基于USBee的ARINC 429总线数据分析

ARINC 429总线是一种应用广泛的航空数据总线,通过设计前端信号调理电路,开发ARINC 429总线解码插件,基于USBee多功能仪分析ARINC 429总线数据,通过了实际验证,为ARINC 429总线数据的分析提供了一种便捷的方法。