金属间化合物Ho_2Co_(17-x)Si_x的磁性能机制研究

研究了非磁性原子Si替代Co对Ho2 Co17金属间化合物结构和磁性的影响。X射线衍射表明 ,所有Ho2 Co17 xSix(x =0 .5 ,1.0 ,1.5 ,2 .0 ,2 .5 ,3.0 )化合物都为Th2 Ni17型六角结构 ;化合物的晶格常数和单胞体积都随Si含量的增加而呈线性下降。磁性测量表明 ,Ho2 Co17 xSix 化合物的居里温度和饱和磁化强度均随Si含量的增加而呈线性下降。从热磁曲线测量观察到 ,当 0 .5≤x≤ 3.0时Ho2 Co17 xSix 化合物出现由易面到易轴的自旋重取向 ,自旋重取向温度Tsr随Si原子含量的增加先下降 ,而后又上升 ,在x =2 .5处出现最低点。     

2214铝合金摇臂等温成形工艺

根据摇臂锻件技术条件要求．确定了等温成形工艺为最佳成形工艺方案。简要介绍了在5×104kN液压机上实现新工艺时模具结构特性．经工艺试验确定了变形温度约为450℃，应变速率为4×10－4S－1～1．4×10－3S－1，及较佳的坯料形状、尺寸及润滑剂。分析了该模锻件产生缺陷的原因和消除缺陷的方法。用新工艺研制的锻件冶金质量符合AIR3385、Z9－J冶－324、Z9－J冶－325技术条件要求，并且锻件的冶金质量有所提高，满足了生产要求。     

可控枝晶生长法制备二维多孔金属

将分形几何与电化学原理相结合,编程模拟了射流电沉积中枝晶的分形生长。以平行板金属镍为阳极,石墨板为阴极,用自行设计的实验设备,通过定点喷射电沉积法制备了二维分形的镍枝晶,并采用扫描喷射电沉积法成功地改变了枝晶的分形生长,实现了枝晶的可控交织生长,进而制备了二维多孔金属材料。结果表明,扫描喷射电沉积是可以成功制备多孔金属,从而为高性能多孔金属材料的制备提供了一种全新的方法。     

高强铝合金复合脉冲VPTIG焊缝组织和性能

采用超快速变换复合超音频脉冲方波变极性TIG电弧焊接工艺进行2219-T87高强铝合金焊接,研究分析了焊缝显微组织和接头拉伸性能变化.结果表明,2219-T87铝合金复合超音频脉冲电流变极性焊接接头的组织和性能均发生显著变化,焊缝区显微组织明显细化,由粗大柱状晶向细小等轴晶转变,接头抗拉强度和断后伸长率显著提高.接头断口由脆性断裂主要特征转变为"韧性+脆性"的混合型断裂模式.在一定范围内,脉冲电流频率越高,脉冲占空比越小,作用效果越明显.复合超音频脉冲电流频率为40 kHz,脉冲电流占空比为20%时,接头抗拉强度和断后伸长率分别达到母材金属的70%和58%.     

细晶铸造真空炉及其应用

北京航空材料研究院研制了我国第一台细晶铸造真空炉,该炉可用铸型搅动法浇注整体细晶涡轮和双性能整体涡轮。细晶铸造能够改善铸件中低温下的力学性能。     

喷涂粉末对Al-Cu-Fe准晶涂层组织结构的影响

准晶材料具有低热导率、低磨擦系数、良好的耐磨性和抗氧化性、高硬度、高温塑性等优异性能,使之适于作为表面防护涂层.为了提高钛合金的抗高温氧化性能和耐磨性能, 采用低压等离子喷涂方法LPPS (Low Pressure Plasma Spraying)在钛合金表面制备了Al-Cu-Fe准晶涂层.通过改变喷涂粉末的成分和粒度大小,研究了喷涂粉末对制备态涂层相结构及微观形貌的影响. 由X-射线衍射XRD(X-Ray Diffraction)、扫描电镜SEM(Scanning Electronic Microscope)分析得出:采用原子比为Al70Cu20Fe10、粒度为-325目的粉末制备的涂层,在800℃下真空退火处理2?h后,结构均匀致密,二十面体准晶相(I相)含量高,并只含有少量的β相.     

碳/Me(Co,RE)对W-Ni-Fe高密度合金性能和显微组织的影响

采用高能球磨机械合金化、模压成型和真空烧结法制备了添加碳、钴和稀土氧化物粉末的W-Ni-Fe高密度合金。分别用阿基米德排水法、洛氏硬度计、XRD、SEM和EDX等手段研究了几种合金试样的密度、硬度、钨晶粒度和组织形貌。结果表明:采用高能球磨制得纳米晶预合金粉可以降低合金的烧结温度;采用纳米晶预合金粉末烧制的W-Ni-Fe合金的最佳烧结工艺为1350℃×75 min。碳作为添加剂可以提高合金硬度和降低烧结温度;添加钴可以降低烧结温度,钴和稀土氧化物粉共同添加可以提高合金致密度和细化晶粒。     

Mg-Cu-Y非晶态合金的晶化动力学研究

通过差热分析仪(DTA)研究了非晶态合金M g65Cu25Y10的晶化动力学过程,根据K iss inger峰移法和A rrhe-n ius方程计算了其晶化激活能,发现等温晶化动力学在晶化体积转变分数x为0.15~0.85范围内符合J-M-A方程,493 K下的平均A vram i指数n大于3,而在553K和623 K下的A vram i指数n约为2。运用阶段A vram i指数和阶段激活能,研究了等温晶化过程中不同阶段的形核和长大过程。