L波段高效小尺寸功率放大器载片设计

为了应对当前市场对功率器件更低成本、更小尺寸和更优性能的要求，设计了一款工作频率为1.2～1.4GHz的高效率小尺寸氮化镓（gallium nitride,GaN）基功率放大器载片。使用有源时域负载牵引系统对GaN管芯进行在片测试并提取管芯的非线性行为模型，在先进设计系统（advanced design system,ADS）软件中利用模型进行阻抗匹配电路设计和仿真，将功率放大器端口匹配到了目标阻抗50Ω。该载片采用谐波控制技术使功率放大器附加效率提高了6%～8%，采用高介电常数的陶瓷材料将载片电路集成在8mm×8mm。实测结果显示，放大器在漏源电压28V、100us脉宽和10%占空比脉冲输入的工作条件下，在小尺寸的载体上实现了输出功率大于56W，功率附加效率大于78%的高效率指标。     

纳米SiO2填充杂萘联苯聚醚酮复合材料的性能研究

采用悬浮液共混法制备了纳米SiO2填充新型含二氮杂萘酮结构聚芳醚酮(PPEK)复合材料,并对其力学性能、摩擦性能和热学性能进行了研究。结果表明：当纳米SiO2含量为1％时,复合材料的综合力学性能最佳;纳米SiO2的加入,使得复合材料的摩擦性能比纯树脂有了明显提高,当纳米SiO2含量达到7％时,摩擦磨损综合性能最好,且在大载荷下纳米SiO2更能有效改善复合材料的摩擦磨损性能。DSC测试表明,7％纳米SiO2填充PPEK的玻璃化转变温度与纯PPEK相当。     

后排转子直径对对转螺旋桨气动和声学特性的影响

基于非线性谐波法和声类比模型，研究了不同后排转子直径对对转螺旋桨气动特性和噪声的影响规律。首先，利用单排螺旋桨风洞试验结果验证了数值计算方法的可靠性。随后，以某型对转螺旋桨为研究对象，研究了6种具有不同后排转子直径的对转螺旋桨模型。研究发现，对转螺旋桨后排转子直径“裁剪”会降低后排螺旋桨的拉力系数和功率系数，但对效率的影响不明显。随着后排转子直径的减小，前排转子的叶片通过频率下的噪声几乎没有变化，但高阶噪声变化幅度较大。后排转子减小0.25倍直径，后排转子的叶片通过频率下的噪声降低约为9 dB。后排转子直径“裁剪”不仅可以降低后排转子噪声，在一定程度上也可以降低前排转子的噪声。通过叶片“裁剪”，对转螺旋桨气动噪声降低5~6 dB。对转螺旋桨后排转子直径的减小，减弱了对转螺旋桨叶尖涡干涉和尾迹干涉，并减弱了前后排桨叶的势流场干涉，进而降低了对转螺旋桨的噪声辐射。     

外圆无心磨削工艺对轴承套圈成型质量的影响

为了得到取消外圆修磨的外圆无心磨削工艺对轴承套圈外圈的影响规律，本文以6202深沟球轴承套圈外圈为研究对象，通过外圆无心磨削试验，分析了取消外圆修磨后新无心外圆磨削工艺对套圈圆度、直径的影响，并利用谐波控制原理分析磨削加工中谐波对轴承套圈外圈圆度的控制。研究结果表明：新工艺可以满足6062轴承套圈的尺寸精度要求，外圆无心磨削时采用加工余量先大后小的方法，有助于改善轴承套圈的外圆圆度，缩短工艺流程，减少生产时间，提高生产效率；无心磨削可以降低轴承套圈表面低次谐波的幅值，外圆超精加工可以有效降低套圈表面高次谐波，从而达到控制圆度的目的。取消外圆修磨的新磨削工艺不但能提高产品质量，还能提升生产效率。     

基于分段互质采样的谐波和间谐波频率估计方法（英文）

电力系统中电力电子产生的谐波数量不断增加，谐波问题是一个重要的问题。本文提出了一种改进的互质采样（Coprime sampling, CS）方案，用于谐波和间谐波频率估计。所提方案使用稀疏采样来降低采样率，并将其与现代频谱估计算法相结合。特别是，使用分段互质采样（Segmented coprime sampling, SCS）方法，然后使用求根多重信号分类（Root-multiple signal classification, root-MUSIC）算法代替常用的MUSIC算法可以减少计算工作量并获得准确的频率估计。仿真结果表明，该方法在估计精度上优于传统的均匀采样（Uniform sampling,US）方法。     

太赫兹相位噪声测量技术研究

相位噪声是太赫兹波技术应用中的一项关键技术指标，如何精确测量太赫兹波的相位噪声是太赫兹技术的重要研究方向之一。采用太赫兹下变频技术实现相位噪声测量系统的频率扩展，搭建(110～500)GHz太赫兹相位噪声测量系统，实现对太赫兹频率源相位噪声的测量。实验结果表明，所研制的太赫兹相位噪声测量系统的底部噪声优越，可用于(110～500)GHz频段太赫兹频率源相位噪声的测试，在太赫兹相位噪声的计量测试、标准研制及相关产品转化等方面具有广泛的应用前景。     

太阳活动下降年昆明地区TEC变化特征与IRI-2020模拟比较分析

利用昆明低纬度测站（24.7°N,102.9°E，磁纬15.1°N）2016-2019年的观测数据和最新版的国际参考电离层（IRI-2020）模拟结果，对昆明地区电离层总电子含量（TEC）在太阳活动下降年期间的变化特征及与模型输出进行对比研究。结果表明,昆明TEC存在明显的春秋高值、夏冬低值的半年异常；白天高值、夜间低值的日变化特点突出，日峰值出现在06:30-08:00 UT（约13:00-15:00 LT）;TEC随太阳活动减弱而明显下降，年平均峰值在2016-2019年分别为48,33,27,24 TECU；日峰值TEC与F10.7存在显著相关，月均值相关系数达到0.86，而与Ap指数则表现为弱相关；IRI-2020能较好地模拟昆明地区TEC的季节变化，但与观测值存在较大差异；均方根偏差值多集中在2～15 TECU，相对偏差百分比值主要在–85%～50%范围变化。对比结果表明IRI-2020的预测精度仍有待提高。