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本文基于半物理的飞管系统集成验证技术,详细介绍了基于半物理的飞管系统集成验证平台架构与实现,研究了基于半物理试验的飞管系统仿真建模方法,完成了用于飞管系统半物理试验的仿真模型开发。在某型飞管系统集成试验过程中,搭建了基于半物理的飞管系统集成验证平台,在完整的全系统仿真基础上,通过真件与仿真件之间的逐一替换,逐步完成飞管系统集成验证工作。该方法有效的提高了飞管系统集成效率,满足了飞管系统集成验证需求。 相似文献
692.
由于γ射线对SiO2的电离作用,会引起MOS管阈值电压负漂移和二极管死区漏电变化,负漂移和漏电变化程度随MOS管栅氧厚度增加而加大。这样在设计高压直采ADC时,实现稳定基准和低漏电开关是个难点,通常的解决方法是优化电路参数裕量和版图,但很少考虑MOS管的反型和二极管的死区漏电。重点研究了MOS器件阈值和二极管死区漏电流变化对器件参数影响的机理,并提出一种不同电源电压MOS管结合设计思路,同时考虑了减小二极管死区漏电的影响。最后,通过使用不同电源电压MOS管设计和二极管死区漏电流分析,高压ADC在50krad(Si)总剂量条件下仍能达到设计要求。 相似文献