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梁家昌 《中国民航学院学报》1994,12(3):79-87
通过变温与变激发强度的近红外光致发光研究了用MOCVD方法、生长在GaAs衬底上的Ga0.5In0.5P(GaInP2)外延薄膜的1.17eV发射带的发光特性。1.17eV发光带性质与0.99eV及0.85eV发光带的性质有着明显的差别。1.17eV发光带的机理可用施主-受主对的复合发光来解释,其中施主-受主对系白处在Ga格位上的Si(SiGa)及其最邻近的Ga空位(VGa)所组成,记作SiGa-VGa。考虑到GaInP2中存在着很强的电子-格子耦合作用及其Ⅲ族子格子为部分有序,所以在施主-受主对复合发光中应计及Franck-Condon位移△FC及该对在等效的部分有序势场中的相互作用能Es(DAP)。X—射线衍射实验表明,部分有序结构相当于成分调制,因而可用Kronig-Penney模型来计算Es(DAP)值。这样,我们就导出了施主-受主对复合发光的新的能量表示式。 相似文献
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介绍了我站的红外探测器参数(黑体响应率,噪声、黑体探测率)自动测试系统以及参数测试关键技术的解决分析了这些参数测量不确定度。 相似文献
534.
经过多年努力,1995年11月16日欧空局终于用阿里安—44P运载火箭把自行研制的“红外空间观测器”(ISO)送上了轨道。这比原计划发射时间推迟了两年半,主要原因之一是为高风险科学飞行任务的技术检查制定新的标准。 相似文献
535.
红外成像导弹的不断发展产生了这样一种需求即能完全表示红外场景的发生器。为了正确测试这些系统,就需要场景发生器具有非常大的动态范围。这是用电阻器加热元件阵列标准方法不易制成。本文描述了红外光学调制器的制造,它用于大动态范围及高帧速场景的生成。用加热可变反射率薄膜的方法产生调制,可通过反应溅射工艺,在一块适当厚度基片上生长一层二氧化钒(VO2)薄膜来实现。在大约68℃时,VO2历经了半导体向金属态的相变过程,就是利用反射率的相应变化制成了调制器。在生产高帧速器件过程中,VO2薄膜精确的化学成分至关重要。本文描述了透射型和反射型两种类型的调制器。 相似文献
536.
卓德保 《郑州航空工业管理学院学报(管理科学版)》2003,21(2):14-16
从传统的搜索、优化方法入手,分析了遗传算法对复杂、多峰函数优化的有效性;简单介绍了遗传算法;并归纳出从优化问题转化到用遗传算法求解的转化思路;最后,通过对一个多峰函数优化的遗传算法求解,验证了此方法在全局优化、鲁棒性等方面的更有效性。 相似文献
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