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51.
阐述了SiCp/Al复合材料(PEA)焊接过程中的常见问题及相应的解决措施.对国内外PEA焊接的研究进展进行了综述及评价,并且对其发展前景进行了展望.  相似文献   
52.
预测了反应烧结SiC(RBSiC)的物理及部分力学性能与游离Si含量的变化关系,并对预测值与测量值进行比较以验证其符合程度。经预测,随Si含量的增加,RBSiC的密度呈线性下降,尤其是气孔对材料密度的影响非常明显;线膨胀系数和热导率均应呈加速上升趋势,比热容稍有下降;各模量均有下降趋势。随着气孔的增加,RBSiC的膨胀量变化不明显,比热容和热导率均呈减速下降趋势。RBSiC测量值与预测值产生偏差是因为材料中Si含量的增加导致缺陷增多以及计算性能用数据有偏差所致,但预测仍能较符合RBSiC性能随Si含量变化趋势,因此认为预测值较为合理可作为性能参考值使用。  相似文献   
53.
为了分析碳化硅颗粒增强铝基复合材料细观结构对其宏观力学性能的影响,针对无压渗透法制备的A356/SiCp复合材 料建立了表征其细观结构的2维代表性体积单元有限元模型,以建立复合材料宏观性能与细观结构之间的依赖关系。在周期性 边界条件和模拟单轴拉伸边界条件下研究了颗粒的形状(圆形、椭圆形)和体积分数(10%、15%、20%)对其有效弹性模量的影响, 并与无压渗透法制备的A356/SiCp复合材料试验值进行比较。结果表明:在2种条件下的预测结果相差不大,预测误差均不超过 5%;碳化硅颗粒体积分数对复合材料的力学性能影响显著,对颗粒形状的影响很小,在相同边界条件及体积分数下,圆形和椭圆 形颗粒的预测值相差不超过0.4%。  相似文献   
54.
本文运用TEM观察分析了多种碳化硅增强铝复合材料的显微组织结构,同时采用了电子衍射和宏观力学性能测试。结果表明,碳化硅纤维与液铝之间的界面反庆与制造工艺密切相关,直接影响复合材料的强度;碳化硅晶须与铝基体之间的界面结合良好。  相似文献   
55.
碳化硅颗粒增强铝基复合材料的研究   总被引:2,自引:0,他引:2  
采用加压浸渗法成功制备了SiC_p/Al(纯)复合材料,探讨了加压浸渗工艺并测定了复合材料的力学性能。试验结果表明,向SiC颗粒内加入适量添加剂后制成的预制件,更有利于铝液的渗透,从而能有效地提高复合材料的强度。试验结果还表明,在本试验范围内(SiC颗粒体积分数30%~50%,颗粒粒径0.1~5μm),复合材料的强度随SiC百分含量的增加而增加,随SiC颗粒粒径的减小而呈上升趋势。  相似文献   
56.
新型反射镜材料——碳化硅   总被引:24,自引:1,他引:24       下载免费PDF全文
对几种常用反射镜材料的物理性能和工艺性能进行了比较,研究了碳化硅轻质反射镜的制作工艺,结果认为:反应烧结是实现这种材料作为反射镜材料的巨大潜力的最有效的工艺,可以实现形状复杂产品的近净尺寸成型,样品在烧结过程中无收缩;样品处理时间短;无需特殊设备,在烧结过程中无需加压,样品尺寸原则上仅受烧结炉大小的限制,帛品近乎安全致密。这项研究的突破,主要依赖于反射镜成型方法及反射镜面光学加工的研究进展。最后简述了美国和俄罗斯在这方面的研究进展。  相似文献   
57.
Cf/SiC陶瓷基复合材料发展状况   总被引:13,自引:1,他引:13  
Cf/SiC陶瓷基复合材料作为高温结构材料,在高性能发动机上具有潜在的应用前景。本文综述了制备Cf/SiC陶瓷基复合材料增强相--碳纤维的发展;Cf/SiC复合材料的基本制备工艺及性能(包括力学性能、复合材料氧化性能、界面性性质等);复合材料当前的应用等各方面的发展。最后指出了有待解决的问题和今后努力的方向。  相似文献   
58.
防弹陶瓷的研究现状及发展趋势   总被引:3,自引:0,他引:3       下载免费PDF全文
孙志杰  吴燕 《宇航材料工艺》2000,30(5):10-14,23
综述了防弹陶瓷的研究现状,介绍了两种典型的防弹陶瓷。对于Al2O3防弹陶瓷着重于复相结构的分析;对于B4C着重于烧结工艺及陶瓷性能方面的概述。并对防弹陶瓷今后的发展进行了预测,列举了几种较新的防弹陶瓷材料并提出了将纳米复相陶瓷用于防弹方面的设想。  相似文献   
59.
反应烧结碳化硅陶瓷航天器燃烧室的研制   总被引:2,自引:0,他引:2  
采用反应烧结碳化硅陶瓷制备形状较复杂且尺寸精度要求高的某航天器燃烧室。研制结果表明:用反应烧结碳化硅陶瓷制备某航天器燃烧室是合适的,其强度随Si含量的变化而有较大变化,在本文试验条件下,制件的最佳Si含量为10.5% ;该方法适于制备使用温度在1500℃以下尺寸精度要求高的高温结构件。  相似文献   
60.
建立了C/SiC材料的热化学平衡烧蚀模型,进行了C/SiC材料烧蚀机理的计算研究和试验验证,理论计算结果和试验数据符合良好。计算结果表明,在高温空气环境下,C/SiC材料的无因次质量烧蚀率B与材料中C元素、Si元素的质量分数及温度、压力有关。在同样条件下,C/SiC材料主动氧化烧蚀速率大于C/C复合材料烧蚀速率。  相似文献   
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