沉积温度对碳化硅基体及其复合材料的影响

研究了沉积温度对化学气相渗透ＳｉＣ基体微观结构２及其纤维增强复合材料性能的影响。９５０℃沉积碳化硅为非晶态；１０００℃以上沉积出的碳化硅为结晶态，１０５０℃沉积碳化硅晶体取向为主：１２５０℃沉积碳化硅晶体取向为主。沉积温度升高，沉积深度和均匀性降低。     

RB—SiC高致密、超光滑SiC表面改性涂层的制备

为了获得高质量光学表面的碳化硅反射镜,利用射频磁控溅射方法,在直径80mm的RB—SiC基片上沉积了厚约60μm的SiC致密改性涂层,使用传统机械抛光方法对改性层进行超光滑加工,并测试了改性前后的表面粗糙度。结果表明,抛光后SiC表面改性RB—SiC反射镜表面粗糙度均方根（rms）值达到了0．316nm。获得了具有较高...     

SiC／A12O3纳米复合材料压痕周围残余应力的压谱特性研究

提出了用拉曼显微镜测试SiC／A12O3纳米复合材料表层V氏压痕周围残余应力的新方法。试验结果表明，其荧光光谱R曲线峰频率随高压痕中心的距离大小而变化，压头施加在材料上的载荷的大小，严重影响R曲线频率的变化。中假定应力张量横向各向异性，并以加压之前材料的荧光光谱作为基值，确定压痕周围的残余应力。最后，采用等静应力解释并比较了压痕周围残余应力与压痕载荷、高压痕中心距离之间的关系．     

SiCw／Al复合材料塑性加工型材的组织与性能

本文对用挤压铸造法制备的ＳｉＣｗ／Ａｌ复合材料进行了挤压和轧制变形。用扫描电镜和透射电镜对变形后的ＳｉＣｗ／Ａｌ复合材料微观组织进行了观察，发现变形后的复合材料中晶须折断，并沿变形方向取内，同时基体合金中产生了较高密度的位错和位错缠结。性能测试结果表明，挤压和轧制变形不同程度地提高了ＳｉＣｗ／Ａｌ复合材料的拉伸强度。其原因主要是晶须取向、基体变形强化以及由于基体的提高而导致的复合材料中晶须临界长度     

热压碳化硅陶瓷的电火花加工试验研究

通过提高单个脉冲能量、改进伺服进给系统判别能力,能实现热压碳化硅陶瓷的电火花加工。本文对电火花加工HP-SiC的工艺规律进行了初步探讨。新的工艺途径能增加热压碳化硅陶瓷的实用可能。     

冲压发动机C/SiC喷管承压失效研究

新型三维编织碳/碳化硅复合材料存在较强的各向异性,而各个方向的性能数据积累不足,复合材料的强度计算方法尚不完善,为了发现新型三维编织碳/碳化硅复合材料在冲压发动机喷管中应用可能遇到的问题,并找到相应地解决措施,开展了这种复合材料应用于冲压发动机喷管的承压强度计算和承压实验研究.对承压实验中出现的低压破坏情况进行了分析,分析了低压破裂的原因,提出了改进措施.分析结果表明:C/SiC喷管喉部密度较低,导致强度较低,承载能力下降,是首次强度验证实验过程中该局部破坏的原因;为提高喷管强度,需要通过其形状设计并控制沉积流场,保证其喉部的沉积密度达到1.9g/cm3以上.对改进后的喷管进行了实验验证,实验结果与计算结果基本一致,满足要求.因此,在实际应用中应对喷管喉部和纵向密度的分布进行工业CT无损检测,确保喷管密度的分布均匀.     

航天用新材料——CVD法SiC纤维及其复合材料

概述了近年来国风ＣＶＤ法ＳｉＣ纤维及其复合材料研制的进展以及在航天领域的初步应用情况。目前国产ＣＶＤ法ＳｉＣ纤维的综合性能达到国际同类产品的先进水平。这种纤维与树脂、金属铝等基体有良好的相容性，其复合材料具有较高的力学性能或电性能，在航天领域有着广阔的应用前景。     

CVI工艺对CVI—SiC基体及C/SiC复合材料性能的影响

通过SEM和XRD分析研究了在不同条件下反应生成的SiC基体的微观结构和组分。结果表明，反应温度对沉积SiC晶体的取向有很大的影响，温度在1100℃以下沉积SiC为单一取向(111)(2θ≈35°)面，温度在1100℃以上，沉积SiC主要有两种取向(111)面和(220)(2θ≈60°)面，还有少量的(311)(2θ≈70°)面。不同条件下生成的SiC晶粒的堆积方式有所不同，这直接影响了SiC基体的性能，从而影响了其复合材料的性能。此外反应气体流量也对SiC基体和复合材料性能有很大影响。本文进行了沉积温度和气体流量对SiC基体性能影响的研究，优化了CVI—SiC工艺。     

电化学处理后CVD法SiC纤维阻抗特性及电阻率测量

采用交流阻抗法在50Hz～50000Hz范围内测量了电化学处理前后的CVD法SiC纤维样品，确定其具有电阻阻抗特征。通过模拟电路分析推导出计算纤维平均体电阻率及表面层电阻率的方法，并计算出SiC纤维表面氧化层的电阻率为5×104Ω·m左右。讨论了电阻率的影响因素。