化学气相沉积工艺制备SiC涂层

利用化学气相沉积工艺制备了SiC涂层，对涂层进行了SEM及XRD分析，考察了温度，载气和稀释气体对涂层微观结构的影响；对不同基体进行了对照试验。在1100℃－1300℃沉积时，随着温度的升高，SiC涂层积速度加快，SiC颗粒变大，同时颗粒间的孔隙也变大，涂层的致密度降低，Ar流量相对小时，制备的涂层致密，光滑。以SiCp/SiC作基体时，涂层和基体结合得很牢固，SiC颗粒会向基体中渗透，从而增强了涂层和基体之间的结合力。     

大尺寸整体C/SiC复合材料蒙皮骨架松动问题分析

针对大尺寸整体C/SiC复合材料骨架和蒙皮结构在165 dB热噪声试验调试过程中出现的蒙皮松动问题进行分析,提出了蒙皮与骨架装配时空悬面积过大引起蒙皮呼吸振动幅度增加,从而导致噪声振动环境中蒙皮松动的现象.仿真分析表明,在相同的加速度激励下随着蒙皮与骨架局部空悬面积变大,位移响应增大约1.72倍;通过装配间隙为0.2、...     

电阻率可调的含钛碳化硅纤维的制备与性能研究

以Ｔｉ（ＯＢｕ）４与低分子量聚硅烷（ＬＰＳ）为原料合成不同含钛量的聚钛碳硅烷,经熔融纺丝、空气不熔化、高温烧结制备出力学性能良好、电阻率为１０３～１０Ω·ｃｍ的Ｓｉ—Ｔｉ—Ｃ—Ｏ纤维。通过ＩＲ、ＧＰＣ、ＶＰＯ、ＸＰＳ等分析手段系统研究了钛含量对纤维的制备、结构及其电性能的影响。     

高温吸波材料研究现状

论述了常见的石墨、乙炔炭黑吸收剂、碳纤维和碳化硅高温吸收剂的性能和应用概况，重点论述了碳化硅纤维、纳米碳化硅吸收剂处理方法和性能。综述了高温吸波材料的研究及应用概况。     

CVI工艺对CVI—SiC基体及C/SiC复合材料性能的影响

通过SEM和XRD分析研究了在不同条件下反应生成的SiC基体的微观结构和组分。结果表明，反应温度对沉积SiC晶体的取向有很大的影响，温度在1100℃以下沉积SiC为单一取向(111)(2θ≈35°)面，温度在1100℃以上，沉积SiC主要有两种取向(111)面和(220)(2θ≈60°)面，还有少量的(311)(2θ≈70°)面。不同条件下生成的SiC晶粒的堆积方式有所不同，这直接影响了SiC基体的性能，从而影响了其复合材料的性能。此外反应气体流量也对SiC基体和复合材料性能有很大影响。本文进行了沉积温度和气体流量对SiC基体性能影响的研究，优化了CVI—SiC工艺。     

异型(三叶形)截面碳化硅纤维的异形度控制

以聚碳硅烷（ＰＣＳ）为原料,采用熔融纺丝制备三叶形ＰＣＳ纤维后,经不熔化和烧成制得异形度为０．６５～０．８５的三叶形碳化硅纤维。研究了纺丝温度、压力、收丝速度等对纤维异形度的影响,并对预氧化和烧成工艺进行了研究,研究表明,氏的纺丝温度、适当主的纺丝压力和较低的转率有效于提高纤维的异形度,聚碳硅烷原丝经预氧化和烧结后,纤维异形度基本保持不变。     

平纹机织多元多层碳化硅陶瓷基复合材料的等效弹性模量预测

 针对平纹机织多元多层碳化硅陶瓷基复合材料,按照“从底向上”的顺序考虑了纤维丝/界面/基体尺度以及纤维束/基体/涂层尺度下的微结构有限元模型。采用能量法依次进行了两个尺度上的等效性能计算,首先在纤维丝/界面/基体的尺度上计算了纤维束的等效弹性参数,然后将这些参数代入到纤维束/基体/涂层尺度微结构模型中,计算得到复合材料的整体弹性常数。数值计算结果与实验结果吻合较好,验证了所提计算方法以及模型的有效性。     

SiCW增强锌基复合材料时效反应动力学研究

采用差示扫描量热计研究了碳化硅晶须增强锌基复合材料的时效动力学,分别采用两种不同方法测定了时效反应的激活能,并比较了其优缺点,最后提出了自己的看法。     

SiCw／Al复合材料塑性加工型材的组织与性能

本文对用挤压铸造法制备的ＳｉＣｗ／Ａｌ复合材料进行了挤压和轧制变形。用扫描电镜和透射电镜对变形后的ＳｉＣｗ／Ａｌ复合材料微观组织进行了观察，发现变形后的复合材料中晶须折断，并沿变形方向取内，同时基体合金中产生了较高密度的位错和位错缠结。性能测试结果表明，挤压和轧制变形不同程度地提高了ＳｉＣｗ／Ａｌ复合材料的拉伸强度。其原因主要是晶须取向、基体变形强化以及由于基体的提高而导致的复合材料中晶须临界长度     

热压碳化硅陶瓷的电火花加工试验研究

通过提高单个脉冲能量、改进伺服进给系统判别能力,能实现热压碳化硅陶瓷的电火花加工。本文对电火花加工HP-SiC的工艺规律进行了初步探讨。新的工艺途径能增加热压碳化硅陶瓷的实用可能。