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112.
介绍用脉冲电子束烧蚀法在不同温度的单晶硅 (1 1 0 )衬底上沉积铌酸锂铁电薄膜 ,以及用脉冲电子束进行薄膜晶化处理的实验结果 ;使用扫描电子显微镜 (SEM)、X射线衍射 (XRD)、光电子能谱 (XPS)等方法 ,对薄膜的成份、晶体结构及表面形貌进行分析测试。采用表面轮廓仪测定 LN薄膜的膜厚分布均匀性等。文中探讨了靶材料烧蚀和沉积过程中出现的诸多现象。研究表明 ,这种薄膜制备方法有许多独特之处 ,随着该项技术的不断改进和发展 ,将为光电集成电路提供一种新工艺和新技术 相似文献
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114.
115.
在真空度为5.4×10-2Pa,保持加速电压60 kV不变,表面聚焦状态下,改变电子束束流及焊接速度,对铬青铜(QCr0.8)与双相不锈钢(1Cr21Ni5Ti)进行了电子束对中焊接试验.通过光学金相、SEM对焊缝组织及接头断口进行了分析,并对接头进行了拉伸试验和接头区的微区显微硬度测试.研究表明,接头强度随焊接束流及焊接速度的改变呈近抛物线变化规律,接头断口呈典型的韧窝断裂特征,接头塑性较好,但总体强度偏低;焊缝区的显微硬度分布出现宏观不均. 相似文献
116.
设计了一种可编程电子束扫描控制系统,能够使电子束偏摆产生各种图形.该系统的控制软件能够计算、控制电子束偏摆获得所要的波形.使用本系统,温度梯度可以很精确地调整,且误差比较小.该系统适用于电子束硬化、重熔、钎焊和表面改性处理. 相似文献
117.
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119.
研究了电子束快速成形TC18钛合金(简称KTC 18)3种典型退火制度下显微组织演化规律及与显微硬度的关系.结果表明,在700~830℃单一退火条件下,合金相组成为初生α相与亚稳β相,随着温度升高,初生α相体积分数减少,基体显微硬度变化较小;在双重退火条件下,500~650℃之间低温退火过程中会析出细小、编织排列的条状α相,可显著提高基体硬度,随着低温退火温度升高,α析出相粗化且数量变少,导致基体硬度降低;三重退火条件下,高温炉冷和中温退火过程中会产生粗大的竹叶状一次α相,其数量随中温退火温度升高而减少,对显微硬度影响较小.低温退火析出的细小、弥散α相对KTC 18显微硬度影响最大,其数量和尺寸取决于其他类型α相的数量和低温退火制度. 相似文献
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