小束斑电子束脉冲轰击偏压电源的研制

为了获得一种性价比较高的电子束表面处理技术,采用定频调压电路,研制出一种新型偏压脉冲电源。这种电源由偏压主电路拓扑、偏压变压器和偏压整流滤波电路组成,其中偏压主电路由偏压基值发生电路和偏压脉冲发生电路组成。偏压基值发生电路控制偏压脉冲基值,偏压脉冲发生电路控制偏压脉冲频率和占空比。脉冲偏压电源的脉冲基值、脉冲频率、占空比均连续可调,相应实现脉冲束流的幅值、束流频率和占空比的调节。检测分析了脉冲偏压电源的输出电压波形,带载时的输出束流波形,并观察分析了电子束轰击后钨合金组织变化规律。结果表明所研制的脉冲偏压电源输出电压稳定、可调性好,能满足小束斑脉冲电子束轰击工艺的要求。     

电子束粉床熔融制备镍基高温合金构件的研究进展

镍基高温合金是涡轮发动机和燃气轮机中的重要结构材料,然而其制件传统加工过程复杂、成本高昂且原材料利用率不高。电子束粉末床熔融（electron beam powder bed fusion,EBPBF）技术能够实现复杂结构制件近净成形,是一种高温合金成形的新方案。EBPBF技术实现了以Inconel 718、Inconel 625为代表的高温合金材料构件的成形,并且发展至能够成形无裂纹的高比例γ′相难焊镍基高温合金,甚至直接制备单晶体镍基高温合金构件,材料的性能达到了传统铸锻件的水平。本文回顾近年来以EBPBF镍基高温合金作为研究对象的相关文献,从工艺过程、组织调控、力学性能等角度对EBPBF制备镍基高温合金构件研究现状进行分析总结,并对未来的研究工作提出了展望。     

K4169铸造镍基高温合金电子束焊接裂纹特征分析

对K4169和GH4169形成的对接接头进行了电子束焊接,利用金相分析和扫描电镜对K4169铸造高温合金一侧电子束焊接热影响区微裂纹行为进行了分析。研究发现,K4169一侧电子束焊接裂纹均发生于熔合线附近的热影响区,该区域化学组分不均匀,偏析严重,低熔点共晶易在晶间聚集,轻微的形成胡须组织,较严重的表现为裂纹。通过改善散热条件和优化工艺参数有助于减小热影响区微裂纹倾向。     

锻造TC4钛合金电子束焊接接头的疲劳破坏机制

对锻造TC4钛合金电子束焊接(EBW)接头进行了应力控制的高周疲劳试验和应变控制的低周疲劳试验,利用扫描电子显微镜对疲劳断口进行观察与分析,研究了疲劳裂纹的起裂机制.研究结果表明:所有的高周疲劳试样裂纹起裂位置和最后断裂位置均发生在母材区,而低周疲劳试验试样断裂位置表现出不确定性,在焊缝区和母材区均可导致裂纹起裂.高周疲劳载荷下,裂纹起源于表面滑移;低周疲劳时,裂纹可能在接头母材区的表面起裂,也可能在接头焊缝的内部缺陷处起裂,裂纹起裂模式取决于载荷大小.      

焊后热处理对300M超高强度钢电子束焊接接头组织及性能的影响

研究了300M超高强度钢电子束焊接接头在油淬、正火1油淬、正火2油淬三种焊后热处理状态下的室温拉伸及冲击性能,并与母材油淬状态下的室温拉伸及冲击性能进行了对比。对三种焊后热处理工艺下的接头组织及冲击断口进行了扫描电镜观察。结果表明:焊后热处理并没有消除焊缝中粗大柱状晶组织,但是正火油淬工艺使柱状晶轮廓及焊缝与热影响区的分界变得模糊。接头正火2油淬状态的强度、塑性和冲击韧度明显优于接头油淬状态。与母材油淬状态相比,正火2油淬状态接头的抗拉强度更高,伸长率及断面收缩率分别达到前者的93.6%和81%,冲击韧度与前者相当。接头油淬状态冲击断口表面沿裂纹扩展方向有大量柱状晶被撕裂并翘起,粗大柱状晶沿晶开裂。     

薄壁TC4钛合金电子束焊接应用研究

针对某薄壁TC4钛合金零件的电子束焊接,设计了焊接工装夹具,保证了焊接变形要求。通过工艺试验,确定了合理的焊接方案,成功的实现了该零件的电子束焊接。同时,针对其成功应用的研究过程,从焊接工艺及加工方案上总结出经验,为薄壁类钛合金零件的电子束焊接提供了借鉴依据。     

压气机整体转子电子束焊接

电子束焊接是一种高能密度的焊接方法，本文介绍了转子部件鼓筒材料的焊接性、焊接接头力学性能、焊接接头形式、电子束焊接程序及焊接尺寸精度等内容。     

高压电子束焊机计算机参数控制系统

介绍了ＺＤ１５０—１５Ａ高压电子束焊机参数的工业计算机控制系统的硬件和软件。     

电子束物理气相沉积热障涂层的研究

７０年代以来，陶瓷热障涂层技术被广泛用于保护航空发动机的热端部件。热障涂层具有减少热流、降低热端部件工作温度（或提高发动机工作温度）、防止腐蚀和磨损、提高效率、节约燃料、延长零件工作寿命的功能。采用电子束物理气相沉积制备的热障涂层具有更高的抗氧化腐蚀剥落能力、界面结合力及热循环寿命。     

新颖测试手段——电子束微探针

在分析测试芯片中，微探针已使用了ZO余年之久。但近几年来，世界上90％以上的先进半导体公司都配备了电子束微探针装置。预计在未来数年内，电子束技术在半导体行业中将会得到广泛应用。随着芯片几何尺寸的不断缩小，传统的机械式微探针已显得愈益不适应。其原因之一是微探针难以与亚微米线宽的金属层引线可靠接触。另一原因是，芯片中的节点电容已低至5～10fF，微探针产生的信号衰减已超出允许的范围。电子束微探针不存在上述问题。与普通的电子扫描显微镜一样，电子束微探针是用聚焦得颇细的电子来去扫描集成电路的表面，然后采集芯片…