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341.
2012年7月26-27日,由电子工业出版社主办、《数字通信世界》杂志社承办的第七届全国应急通信研讨会暨应急通信系统设备展在北京远望楼宾馆举行。来自国内应急通信相关部门、单位、企业和科研单位的专家、领导出席了会议。会议开幕式由总参谋部网络技术管理中心主任张宁主持,电子工业出版社总编兼副社长李新社致欢迎词。工业和信息化部无线电管理局局长谢飞波、工业和信息化部军民结合推进司副司长曹志恒在开幕式上发言。在两天的时间里,来自总参谋部、中国卫星导航定位  相似文献   
342.
电子回旋共振离子推力器栅极光学系统的PIC/MCC模拟   总被引:2,自引:1,他引:1  
为了寻求日益昂贵的电推力器工质氙气的替代品,探讨氩气作为电子回旋共振离子推力器工质的适用性,采用混合PIC方法模拟了氩等离子体在栅极光学系统中输运过程,分析了氩离子束流的聚焦效果、氩等离子体的空间分布和流动特性。结果表明:氩离子束流在已有栅极系统中具有良好的聚焦效果;束流中CEX离子仅占离子总数的万分之一,影响较小;氩气作为工质时,离子喷射速度为75km/s,加速栅极后回流速度为38km/s,与电动力学理论预估值一致。  相似文献   
343.
电子设备是空间相机重要发热源,需要通过合理的热设计将热量及时导走,维持电子元器件温度不致过高。根据空间相机各电子设备所处空间环境、结构特点及内部电子元器件热特性,提出了相应的多种不同的热设计方法,采用热仿真分析、热平衡试验两种方法对设计进行了验证,对比了两种方法所获取的温度数据。结果表明两种方法所获取元器件结温均满足温度降额指标要求,且相差不大,充分验证了热设计方案的有效性和仿真分析的准确性。  相似文献   
344.
研究了固体推进剂中氧化剂AP的平均粒度对其撞击感度和摩擦感度的影响,以及当AP加入改性双基推进剂中后,其平均粒度对改性双基推进剂燃烧速度的影响。揭示了影响AP撞击感度、摩擦感度以及推进剂燃烧速度的主要原因,即AP颗粒大小与引起其分解所需的临界电子激发能之间的关系。这对超细AP在推进剂中的安全合理应用具有重要指导意义。  相似文献   
345.
面对复杂的电磁环境,雷达的抗干扰能力越来越受到重视,如何客观评估检验雷达抗干扰效果已成为各方关注的焦点。本文通过对现有雷达抗干扰技术进行分析,提出评估准则。建立雷达抗干扰系统模型,然后通过该模型进行搜索雷达抗干扰仿真。  相似文献   
346.
STK在航天领域的系统分析与仿真方面应用广泛,但是在应用中经常面临模型不完备、操作复杂等问题。以Matlab/STK接口模块为基础,综合Matlab建模和STK仿真优势,研究基于Matlab/STK的航天电子侦察效能仿真分析方法,该方法不需要直接操作STK,操作灵活。基于该方法仿真分析卫星的侦察效能、轨道设计以及优化电子侦察任务设计方案,可为航天电子侦察任务设计论证提供参考。  相似文献   
347.
地球同步轨道区域充满能量高达MeV的高能电子,其对航天器威胁极大.电子微分通量预报有助于及时有效地预警高能电子事件,降低高能电子对航天器造成的危害.本文以此为背景提出了一种基于经验正交函数(EOF)方法的地球同步轨道相对论电子微分通量预报模型.该模型利用太阳风参数及地磁指数拟合后一天的电子通量EOF系数,结合EOF基函数给出后一天中大于2MeV电子微分通量预报.对2003年1月至2006年6月的样本测试结果表明,该模型可以重构出电子微分通量的真实变化,给出较好的5min微分通量预报,其平均预报效率达到67%左右.   相似文献   
348.
随着微放电效应研究的不断深入,低能电子影响在微放电过程中越来越不可忽视。当前常用的微放电模型在处理低能电子问题上具有一定的局限性,为了精确模拟这一过程,在深入研究二次电子和背散射电子发射理论的基础上,分别针对材料表面条件不同引起的二次电子发射系数不确定性、低能电子的背散射系数以及电子入射角等问题进行了分析和讨论,并在此基础上建立了一个二次电子发射模型,最后通过数值计算讨论了模型的正确性和适用范围。这一模型同时考虑材料表面条件参数、低能电子的背散射系数以及入射角等因素影响,能够兼容较低能量电子的二次发射,提升微放电数值模拟的精确度和适用性,为微放电数值模拟的发展起到推进作用。  相似文献   
349.
    
针对同时收发认知抗干扰(SCAJ)系统中IQ通道失衡产生的镜像干扰降低网电空间数据链(CDL)抗干扰能力的问题,研究了IQ通道失衡的单/多频带SCAJ接收机干扰感知性能,推导出基于能量检测的IQ通道失衡接收机干扰检测概率和虚警概率,并据此提出了删除镜像信道干扰信号的有效方法。仿真结果表明,IQ通道失衡产生的镜像干扰降低了SCAJ接收机的检测概率,提出的镜像信道干扰信号删除方法可以减小IQ通道失衡的不利影响,从而提高数据链SCAJ系统性能。  相似文献   
350.
调频多普勒引信抗调幅干扰性能分析   总被引:1,自引:1,他引:0  
为提高调频多普勒引信抗调幅干扰性能,定量研究了调幅干扰对其作用机理,以信干比(SJR)增益作为表征参量定量研究了不同调幅干扰作用下调频多普勒引信的抗干扰性能。详细推导了正弦波调幅、方波调幅和三角波调幅干扰作用下调频多普勒引信的信干比增益,并对其进行了仿真验证。定量分析、仿真与引信实验测试结果表明:在调幅干扰下调频多普勒引信总信干比增益在10 d B量级;调频多普勒引信抗各种调制样式调幅干扰能力相当,对调幅干扰调制样式不敏感;调幅指数对调频多普勒引信抗干扰性能基本无影响;减小多普勒滤波器带宽可以一定程度提高调频多普勒引信系统抗干扰性能。  相似文献   
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