与中国航空市场一起成长

自1937年成立至今,作为全球电子测试测量仪器和微电子器件的领先供应商,艾法斯(Aeroflex)公司的产品广泛应用于航天、航空、国防、无线通信、     

《宇航计测技术》撰稿须知

一、征稿范围无线电、时间频率、电磁学、电离辐射、化学和光学等计量标准的设计、研制和计量测试技术、仪器仪表的检定维修技术、误差分析及数据处理技术;石英晶体器件的设计和研制、电子技术应用、自动化测量、计量产品介绍、国内外计量信息、计量测试动态及发展趋势等。     

惯性器件结构设计与材料选用的规范化

概述惯性器件结构设计原则,分析材料选择及其工艺性、使用性、经济性与安全性的特点,从签署责任制方面阐述惯性器件设计文件会签中应注意的问题.     

用于军用环境的塑封器件可靠性研究

对塑封器件鉴定试验中的强加速试验和温度循环试验进行了研究．对国外增强型塑封器件进行了简介，并对国外增强型塑封器件和国内定制塑封器件进行了可靠性对比试验研究。     

SiC MOSFET器件单粒子烧毁仿真分析

应用于航天器的宽禁带半导体功率器件会受到空间带电粒子的影响而存在单粒子烧毁（SEB）风险。为研究单粒子烧毁的机理及防护措施,文章利用半导体工艺器件仿真（TCAD）对SiC MOSFET器件进行了SEB仿真分析,发现粒子入射最敏感位置时器件发生SEB的阈值电压在500 V。同时,通过仿真获得器件微观电参数分布特性,分析认为器件发生SEB的机理是寄生晶体管的正反馈作用导致缓冲层和基区的电场强度（5.4 MV/cm和4.2 MV/cm）超过SiC材料击穿场强（3 MV/cm）。此外,针对仿真揭示的器件SEB薄弱区域,提出将P+源区的深度向下延伸至Pbase基区底部的工艺加固思路,并通过仿真验证表明该措施使器件发生SEB的阈值电压提高到近550 V。以上模拟结果可为该类器件的抗SEB设计提供技术支持。     

导电高分子电致变色材料及其在飞行器和军事伪装中的应用

概述了导电高分子(CPs)作为新型电致变色材料的特点、电致变色原理及红外发射器件的设计，并对国外在飞行器导热控制和红外、雷达伪装上的应用发展状况进行了介绍。     

基于DS18B20的智能温度控制器

基于DS18B20的智能温度控制器采用单总线数字温度传感器,硬件结构简单,测量精度高,抗干扰能力强,重点介绍DS18B20的特性和编程要点.     

MEMS惯性器件低应力封装过渡层研究

封装应力是影响MEMS惯性器件输出性能的主要因素之一，封装应力是由于封装过程中封装对象间材料热特性不匹配所引起的。封装应力除了受封装对象本身的材料性能影响外，还与芯片及基底间的过渡层形式有关。不同的过渡层形式不仅会影响封装应力的峰值，还会对应力的分布情况产生影响。为了研究不同形式的过渡层对三层结构MEMS惯性器件芯片封装应力的影响，首先利用COMSOL有限元仿真分析软件简要地分析了不同材料参数对封装应力的影响，并进一步研究了常见封装形式以及不同封装结构的应力分布规律。结果表明，不同的粘接材料、封装形式和封装结构都会引起封装应力的变化。     

一个新的研究领域——演化硬件

演化硬件的概念最初是由HugodeGaris于1992年提出的。硬件演化的目的在于使硬件系统能够像生物一样改变其自身的结构以适应环境的变化。本文首先给出演化硬件的定义,继而介绍演化硬件的物质基础──可编程专用集成电路和演化硬件的理论基础──演化算法。进而研究实现硬件演化的方法,最后讨论演化硬件的发展前景。