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如前文所述,日、韩、台目前已部署的反导兵器均为具有反导能力的爱国者PAC-2地空导弹武器系统和霍克的最新改型,今后可能拥有的反导兵器型号有:日本自行研制的中萨姆,台湾自行研制的改型天弓2和天弓3,极有可能引进美国的PAC-3、THAAD和3B型标准2、4A型标准2、4A型标准2-LEAP,并有可能引进以、美合作研制的箭2;在2000年后,可能引进美以合作研制的车载战术高能激光防空与反导兵器系统、美国的机载激光反导武器系统等,也有可能与美国合作研制空基反导导弹。1.霍克系列地空导弹霍克是美国雷锡恩… 相似文献
965.
比较了两种不同工艺制备的针刺无纬布C/C复合材料。研究表明,在沥青浸渍/碳化之前对针刺预制体进行CVI预增密处理后,其C/C复合材料轴向拉伸强度提高了234%,层剪强度提高了126%;热扩散率明显升高,轴向线胀系数下降,表现出良好的综合性能。 相似文献
966.
为了补偿性能退化发动机的推力损失,减轻飞行员工作负担,提高推进系统的自动化程度,开展了涡扇发动机性能退化缓解控制(EPDMC)研究。针对某型涡扇发动机部件级模型设计了具备稳态控制、加/减速过渡态控制和极限保护等功能的基准控制器;在此基础上设计了外环推力控制回路,给出1种在多参数约束下的推力设定方法,并设计了合理的切换逻辑确保内外环控制器能协调工作。MATLAB/Simulink下的仿真结果表明:该智能改进控制系统架构可以在保证发动机安全工作的前提下,通过合理地设定期望推力,最大程度地补偿推力损失,维持油门杆角度和推力的对应关系近似不变。 相似文献
967.
雷达抗干扰效能是衡量雷达设备性能的重要指标,如何准确、客观、快捷地评估雷达抗干扰效能,对雷达、干扰双方均具有重要的现实意义。文章通过对雷达传统的抗干扰效能加权评估方法的分析,提出了基于神经网络的雷达抗干扰效能综合评估方法,并将该评估方法应用于雷达接收机抗干扰的技术等级评判实例中。实例结果表明,该评估方法能客观、定量地评估雷达抗干扰效能,具有一定的实用性。 相似文献
968.
为了表征多孔炭泡沫材料基体的结构与力学性能,采用碱催化法制备热固性酚醛树脂,经固化、高温炭化处理合成多孔炭泡沫材料的基体——酚醛树脂炭。研究酚醛树脂炭的微观结构、压缩强度及压缩断裂韧性。结果表明:酚醛树脂炭结构以树脂炭基体、微孔和微裂纹为主,其碳元素以sp3杂化的非晶炭形式存在;压缩强度为8.58 MPa,压缩断裂特征为脆性断裂模式;酚醛树脂炭的压缩断裂韧性较差,断裂过程中吸收的总能量为0.135 MJ/m3。 相似文献
969.
民用飞机空气起动系统性能评估方法 总被引:3,自引:0,他引:3
根据民用飞机起动系统设计特点,分别给出了起动轴功率检查和起动机进口参数检查2种起动性能评估方法,并对2种方法进行了对比,起动轴功率检查方法可以直接反映起动机轴功率的设计状态;而起动机进口参数检查方法可以直接反映出起动关键参数(流量、总温和总压)的设计状态。最后,以某型辅助动力装置供气的起动性能计算为例验证了基于起动机进口参数的计算方法。 相似文献
970.
MENG Xiang-ti HUANG Qian WANG Ji lin CHEN Pei-yi TSIEN Pei-hsin 《中国航空学报》2006,19(B12):192-197
The changes of DC characteristics of SiGe HBT after being submitted to γ-ray irradiation of 700 krad, 7 000 krad and 10 000 krad were compared to those of Si BJT. Generally speaking, Ib and Ib- Ib0 increase with the doses increasing. For SiGe HBT, with the doses increasing, Ic and Ic-Ic0 as well as the related changes of the current gain (β) will decrease at higher Vbe, while for Si BJT, with the doses increasing, after irradiation, Ib and Ic-Ic0 increase; ,8 and its related changes also decrease with their differences, however, tending to be very small at high doses of 7 000 krad and 10 000 krad. Moreover, given the same doses, the decreases of,a are much larger than SiGe HBT, which shows that SiGe HBT's anti-radiation performance proves to be better than Si BJT. Still, in SiGe HBT, some strange phenomena were observed: Ic-Ic0 will increase after the radiation of 7 000 krad in less than 0.65 V and as will ,8 in less than 0.75 V. The mechanism of radiation-induced change in DC characteristies was also discussed. 相似文献