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101.
新型高推比涡轮风扇发动机盘时耦合振动分析 总被引:1,自引:1,他引:1
本文将群论算法和动态子结构技术结合起来,并采用计算效率极高的Benfield-Hruda的模态代入变换法,分析了某型发动机压气机的叶片/轮盘耦合系统的振动特性,计算了该叶片/轮盘耦合系统的前5阶振动频率和振型.根据叶片/轮盘耦合系统的共振条件进行共振分析,确定该发动机压气机有可能发生叶片/轮盘耦合共振. 相似文献
102.
介绍一种以大规模集成电路为核心组成的通用计数器的设计。该通用计数器具有输出标准信号、测量频率、测量周期、累加计数和自校等多种功能。 相似文献
103.
赵美君 《自动驾驶仪与红外技术》2003,(4):35-37
阐述一种采用电容储能型变换器拓扑结构作为主电路的无刷直流电机系统,介绍该系统换向所采用的新型无位置传感器技术-“三角计数换向法”。 相似文献
104.
本文用解析与数值结合法研究在含有椭圆孔的有限大小弹性板上,有一椭圆弹性环加强时,板及环上的应力场。假设板与环间处于无初应力的紧密接触状态,弹性板和弹性环的应力函数都可按复劳伦级数展开。根据孔与环的接触边界条件以及各自的外边界条件,运用节点配置法确定板、环的级数系数,从而求出板、环上的应力场。文中分析了级数项数一配点数对计算结果的影响。 相似文献
105.
<正> 1.混合动力学系统的Hopf分叉定理 本文将Marsden-McCracken关于分布参数的Hopf分叉定理推广至混合动力学系统。 设在积空间X=E×R~n中依赖参数μ的演化方程为 相似文献
106.
107.
制造误差对气体静压轴承涡流力矩影响分析方法研究 总被引:5,自引:0,他引:5
采用有限元方法研究了制造误差对狭缝节流气体静压轴颈—止推轴承的涡流力矩的影响。对于轴颈—止推相连结构的气体轴承,通过相容变换进行统一编程计算;在离散化过程中,利用加权余量法将二阶偏微分方程降低一阶,放松了对插值函数连续度的要求,便于借助有限元技术分析狭缝节流气体静压轴承的流场参数。分析了狭缝气膜宽度误差和轴颈圆度误差对涡流力矩的影响,以及轴颈的不同安装角度、偏心等因素对涡流力矩的影响。经对比验证,有限元计算结果与实测结果基本一致,研究结果对于气体静压轴颈—止推轴承的设计、装配优化和性能预测有重要指导意义。 相似文献
108.
高可靠性多路传输总线通讯接口的设计 总被引:1,自引:0,他引:1
多路传输总线通讯接口(MBI)是航空电子综合化系统的通讯基石,航空电子系统的任一分系统都要通过MBI才能进入1553B总线通讯系统中。为提高MBI最关键的性能指标──可靠性,最有效的途径之一就是优化MBI硬件电路设计。本文介绍了先进的混合集成电路芯片BUS61553的组成和功能,说明了采用该芯片实现高可靠性MBI的设计思想,并介绍了该MBI共享存贮器的划分方法与工作原理。 相似文献
109.
在迅速发展的市场环境中,决定建筑企业命运的是消费者的商品满意度[2]。商品的满意度来自商品的质量,因此企业必须通过确保质量管理来提高市场竞争力。以辨证法验证了各施工法全体项目资料的可信性。通过用Pearson卡方法对施工法中各项目的验证,综合分析了国内中小企业质量管理的现状。通过案例研究,探讨了将来持续有效发展建设质量管理的方向。这种案例研究统计资料是用SPSS/PC version 10.0处理的。 相似文献
110.
SHAN Lian-wei ZHANG Xian-you DONG Li-min WU Ze HAN Zhi-dong FU Xing-hua HOU Wen-ping 《中国航空学报》2006,19(B12):167-172
Sr05Ba0.5-xBixTiO3 (BST) thin films were fabricated on a Pt/SiO2/Si substrate by the sol-gel method. Then follows an investigation of the influeoces of bismuth (Bi) on the microstructures and the dielectric properties of Sr0.5Ba0.5-xBixTiO3 (BST) thin films. The microstructures of the BST thin films were examined by the XRD and the TEM techniques. Tetragonal perovskite crystal grains were observed in BST thin films. Increasing Bi^3+ doping ration in BST will lead to decrease of the grain size. It is found that Bi^3+ doping decreases the dielectric loss and improves the frequency dispersion of the BST thin films. Not only is compressed the peak of temperature-dependence of dielectric constant of Bi^3+-doped BST thin films but also moves into the low-temperature region. Moreover, the average Curie tem- perature decreases gradually with the Bi^3+ contents increasing. 相似文献