星载晶振短稳对导航增强系统PPP精度的影响分析

分析星载恒温晶振（Oven Controlled Crystal Oscillator，OCXO）短稳对导航增强系统精密单点定位（Precise Point Positioning，PPP）精度的影响。本文首先介绍了OCXO短期频率稳定度的概念，然后根据其短稳特性进行噪声反演，最后建立了基于OCXO短稳噪声反演的系统PPP定位模型，将短稳量级不同的OCXO反演噪声引入模型并对系统最终PPP定位精度进行分析比较。实验表明：在无控制段调校星上时频的情况下，选用短稳量级为E-13的OCXO在中长观测时间段内（<1 000 s）可满足系统厘米级的定位需求。该分析可为低轨导航增强系统的时频指标设计提供一定参考。     

复合材料气瓶铝合金内衬泄漏失效分析北大核心CSCD

复合材料气瓶在自紧过程中发生泄漏。通过断口、金相、有限元分析及综合分析得出:气瓶瓶嘴根部各向异性的粗晶组织降低了气瓶瓶嘴根部的韧、塑性和强度是气瓶内衬自紧过程中发生低压力开裂泄漏的主要原因,通过改进和控制收口加热与旋压工艺,细化了气瓶瓶嘴根部的组织,最终解决了其自紧过程中泄漏问题,稳定复合材料气瓶的质量。     

植物油替代鱼油对凡纳滨对虾的生长性能和肝体比的影响

试验选用初始体质量(0.33±0.00) g/尾的凡纳滨对虾Litopenaeus vannamei,在42 d的饲养期中分别投喂1种含6%鱼油的对照饲料(FO)和3种添加不同比例豆油替代鱼油的试验饲料,鱼油和豆油分别为:4.5%+1.5%,3.0%+3.0%和1.5%+4.5%(分别记作25SO、50SO和75SO),观察了不同比例豆油替代鱼油对凡纳滨对虾幼虾生长和肝体比的影响.养殖试验结束后,各试验组凡纳滨对虾的增质量率和特定生长率没有显著差异(P>0.05).随着豆油比例的增加,试验组存活率均显著高于对照组FO(P<0.05),其中75SO组存活率最高.与对照组FO相比,各试验组对虾的饲料系数均显著降低(P<0.05),其中75SO组饲料系数最低.随着豆油添加量增加,肝体比呈上升趋势,25SO组和50SO组肝体比与FO组无显著差异(P>0.05),75SO组肝体显著高于FO组(P<0.05).结果表明,在凡纳滨对虾幼虾饲料中,豆油可以部分替代鱼油,而不显著影响其生长性能.通过二次回归分析,得到增质量率(y)与饲料中不同比例豆油替代量(x)的关系为y=-0.016 8x2+1.207 4x+435.7,R2=0.781 9,当饲料中豆油替代鱼油比例为35.93%时,凡纳滨对虾获得最大增质量率457.39%.     

抽拉速率对定向凝固DZ4125合金温度场及晶粒竞争生长的影响

为探究定向凝固DZ4125柱晶高温合金中温度场分布情况，并研究不同抽拉速率对温度梯度及糊状区变化的影响规律，利用ProCAST软件对抽拉速率分别为3、5、7 mm/min的定向凝固过程进行模拟。结果表明：当试棒位于保温区时，等温线呈外侧低内侧高的倾斜分布，当试棒位于冷却区时，等温线呈外侧高内侧低的倾斜分布；随着抽拉速率的增加，温度梯度逐渐减小；糊状区形状取决于抽拉速率和距水冷盘的距离，当抽拉速率为5 mm/min时，凝固前沿水平状保持的时间最长；在此基础上，对定向凝固试棒进行精铸实验，并研究3mm/min和7 mm/min下试棒液相线形状与晶粒结构之间的关系，发现液相线呈凹形和凸形时，晶粒分别向试棒中心和表面方向生长，水平的液相线能促进晶粒沿试棒轴线方向生长。     

基于MOCVD欧姆再生长制备的高性能AlGaN/GaN HEMTs

本文基于MOCVD欧姆再生长技术，制备了高性能的AlGaN/GaN HEMTs。器件具有016Ω·mm的低欧姆接触电阻，并且在100K到425K的温度范围内，欧姆接触电阻表现出良好的热稳定性。由于欧姆接触电阻的改善，源漏间距Lsd为2μm，栅长Lg为100nm的器件的最大饱和电流密度ID,max为1350mA/mm，跨导峰值Gm,max为372mS/mm，导通电阻Ron为1.4Ω·mm，膝点电压Vknee为1.8V。此外，器件也表现出优异的射频特性，电流增益截止频率fT为60GHz，最大振荡频率fmax为109GHz，在3.6GHz下，VDS偏置在15V，器件的功率附加效率PAE为67.1%，最大输出功率密度Pout为3.2W/mm；在30GHz下，VDS偏置在20V，功率附加效率PAE为43.2%，最大输出功率密度Pout为5.6W/mm，这表明了基于MOCVD欧姆再生长技术制备的AlGaN/GaN HEMTs器件在Sub-6G以及毫米波波段的应用中具有巨大潜力。     

新型再生长沟道GaN基准垂直MOSFET仿真研究

电能在转化与运用过程中会不可避免地出现能量的损耗，而电力控制和电能转换过程中最核心部分即为电力电子器件。GaN基准垂直MOSFET器件具有高输入阻抗、开关速率快以及对表面态陷阱不太敏感等优点，从而成为目前研究的热点，但由于沟道载流子的迁移率较低造成导通电阻与损耗较大。通过对再生长沟道GaN基准垂直MOSFET进行仿真，证明该结构可以有效解决沟道载流子的迁移率过低的问题。在再生长沟道GaN基准垂直MOSFET的基础上进行了结构改进，主要针对器件在源极区域与漂移区域的载流子分布进行了优化。其中，源极区域通过对源电极金属帽子下方Al2O3进行刻蚀，使得器件源极区域的电流导通路径得到了有效的缩短；而漂移区域通过在栅极下方插入一层载流子分布层，使得漂移区内载流子分布更加均匀。最终设计出了阈值电压为2.3V的新型再生长沟道GaN基准垂直MOSFET，器件的导通电阻低至18mΩ·cm2，击穿电压高达1053V。     

金华猪MyoG基因多态性与部分生长性能的关系

应用PCR-RFLP技术研究了金华猪肌细胞生成素(MyoG)的基因型,并用SPSS 13.0软件分析了各基因型与生长速度的相关性.结果表明:金华猪肌细胞生成素基因具有AA、AB、BB 3种基因型,且不同基因型间的个体初生体质量、1～6月龄体质量差异不显著(P>0.05).