FGH4096合金的动态再结晶与晶粒细化研究

使用Gleeble-1500D热模拟试验机对热等静压态FGH4096合金进行变形温度1080～1140℃,应变速率0.02～1s-1,变形量15%,35%和50%的等温压缩实验.通过观察微观组织,分析了粉末高温合金动态再结晶的组织演化规律,并通过透射电镜研究了再结晶的形核位置.当变形量在35%及以下时,得到不完全再结晶...     

衬底温度对共溅射法制备的Cu2ZnSnS4薄膜晶粒生长的影响

研究了衬底温度对采用Cu2ZnSnS4靶和Cu靶共溅射制备的Cu2ZnSnS4薄膜晶粒生长的影响。采用拉曼光谱、X射线能量色散谱仪、扫描电子显微镜和紫外 可见 近红外分光光度计对在不同衬底温度条件下制备的Cu2ZnSnS4薄膜 的元素比例、形貌以及光学带隙进行了表征与分析。结果表明制备的Cu2ZnSnS4薄膜晶粒生长遵循不同规律。室温衬底条件下制备的Cu2ZnSnS4薄膜晶粒生长遵循两步法,导致颗粒尺寸和元素分布不均;而在120~200 ℃衬底温度条件下制备的Cu-Zn-Sn-S预置层在溅射过程中已有Cu2ZnSnS4晶粒形成,这些晶粒在后续硫化生长过程中起到形核点的作用, 促进了Cu2ZnSnS4晶粒的长大与元素的均匀分布。随着衬底温度的升高,Cu-Zn-Sn-S预置层及由此制备出的Cu2ZnSnS4薄膜的结晶性变好,Cu2ZnSnS4薄膜的带隙先升高后减小至1.55 eV。     

细晶处理对磷微合金化GH761合金力学性能的影响

实验使用添加0.023%磷进行微合金化的GH761合金,采用6种不同处理制度进行细晶化处理.结果表明,一次热处理温度在780～950℃范围内变化时,对合金的晶粒组织影响不大,但与标准热处理组织相比,晶粒组织显著细化.采用830℃×4 h,AC,720℃×24 h,AC的热处理制度时,合金的综合力学性能较好.与标准处理相比,室温和650℃的抗拉强度和屈服强度均明显提高,塑性也有所改善,而且650℃/690 MPa持久寿命比普通GH761合金650℃/637 MPa的持久寿命长.     

Influences of Mechanical Vibration on Rapidly Solidified Al2O3/YSZ Ceramics Prepared by Combustion Synthesis

Al2O3/YSZ composite ceramics was fabricated with combustion synthesis technology, and the influences of mechanical vibration on its microstructures and properties were investigated. It is found that under the mechanical vibration of ever-increasing frequency, increasing combustion temperature, accelerating ceramics/metal liquid-liquid separation and quickening ceramic solidification could not only reduce the average diameter and the size distribution of aligned ZrO2 nano-micron fibers in rod-shaped Al2O3 matrix grains, but also make the randomly-oriented rod-shaped grains finer and increase their aspect ratios. As a result, a remarkable increase in flexural strength and fracture toughness of the ceramics can be observed.     

直线与任意曲线求交算法在晶粒度计算的应用

对于晶粒度测量的计算机化问题,从材料学的角度讨论了其可行性.采用平均直径法对一幅经过处理的晶界图像进行晶粒度计算.基于Freeman码的原理,分析了欧氏空间下与泛欧空间下直线与曲线交点求法的差异性,提出了"伪交点"的概念,在理论上给出了求交的解决方案,同时也从计算机图形学的角度分析了影响计算直线与曲线交点的因素,在算法上也给出了相应的解决方案.最终计算结果和试验结果吻合较好,表明这种方法计算晶粒度快捷有效,可以应用于工程分析.     

碲化铋基热电半导体晶体空间生长

碲化铋基热电半导体是中低温区高性能热电材料,在热电致冷、电子器件精确控温领域获得了重要应用,且在更多领域具有广泛应用前景.碲化铋基材料通常采用区熔法制备,材料的性能优值ZT约为0.8.应用要求进一步提高其ZT值.合金化和掺杂优化是提高碲化铋基材料性能的有效途径,但会使得材料的化学成分越来越复杂.重力条件下区熔的固有问题是,重力导致的浮力对流和壁附效应凸显,使区熔碲化铋基材料成分和性能波动较大.空间微重力可以消除重力导致的浮力对流和壁附效应,有望提高碲化铋基材料的成分均匀性和热电性能.本文根据碲化铋基材料空间微重力下区熔生长研究状况,对实践十号科学实验卫星和天宫二号空间实验室将开展的碲化铋基材料空间微重力区熔生长研究进行了分析.      

正激变换器脉冲变压器的优化设计

以正激变换器为例讨论了电路拓扑（磁复位绕组电路和有源箝位电路）和铁心材料（铁氧体，超微晶）两个因素对变压器体积，重量和损耗的影响。研究结果表明，有源箍位正激变换器对正激变压器体积的减小，重量的减轻和效率的提高有着明显的作用。超微晶材料在一定的工作频率范围内可以减小变压器的体积，重量和损耗，是一种优良的新型磁性材料。     

水晶釜多点电脑控温系统

为了提高水晶生长的质量，我们研制了一种为水晶生长专用的电脑控温系统，该系统可同时测控三台水晶釜的温度，在一定的周期内，依次循环显示各釜上、下点的温度，并作出相应的输出调节。输入输出采用了新颖的“飞容”隔离电路、ＰＩＤ调节使比例乘法器高精度分配过零冲电路、光耦隔离输出可控硅触发电路，消除了传统的调相控制造成的电网污染，提高了系统的抗干扰能力和可靠性。     

Luminescent Nanocrystalline Silicon Carbide Thin Film Deposited by Helicon Wave Plasma Enhanced Chemical Vapour Deposition

Hydrogenated nanocrystalline silicon carbide （SIC） thin films were deposited on the single-crystal silicon substrate using the helicon wave plasma enhanced chemical vapor deposition （HW-PECVD） technique. The influences of magnetic field and hydrogen dilution ratio on the structures of SiC thin film were investigated with the atomic force microscopy （AFM）, the Fourier transform infrared absorption （FTIR） and the transmission electron microscopy （TEM）. The results indicate that the high plasma activity of the helicon wave mode proves to be a key factor to grow crystalline SiC thin films at a relative low substrate temperature. Also, the decrease in the grain sizes from the level of microcrystalline to that of nanocrystalline can be achieved by increasing the hydrogen dilution ratios. Transmission electron microscopy measurements reveal that the size of most nanocrystals in the film deposited under the higher hydrogen dilution ratios is smaller than the doubled Bohr radius of 3C-SiC （approximately 5.4 nm）, and the light emission measurements also show a strong blue photoluminescence at the room temperature, which is considered to be caused by the quantum confinement effect of small-sized SiC nanocrystals.     

铸型搅动细晶铸造与力学性能

对比研究了高温合金铸型搅动细晶铸造和普通铸造叶轮的力学性能。研究结果表明,细晶铸造显著提高了K418B合金叶轮的室温和高温拉伸以及中温持久性能,并大幅度改善了合金的低周疲劳性能。细晶铸造K418B整体叶轮650℃的低周疲劳寿命为普通铸造的3倍。