中国航天员中心之歌

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航空发动机性能图像纹理片段划分方法

为了解决深度学习在航空发动机性能异常检测中出现的数据不平衡的问题，在高频次纹理片段对应性能稳定状态、低 频次纹理片段对应异常波动状态的合理假设下，提出了一种航空发动机性能图像纹理片段划分方法。通过研究性能数据空间与 RGB彩色空间的映射，提出高维性能数据图像化。引入分形盒维理论，定义纹理特征维数表征性能图像纹理特征，提出基于高频 次生长树的图像纹理片段划分方法，实现性能图像按纹理出现频次的精细划分，建立正常样本和异常样本数量接近的数据集。选 取多个航段发动机性能数据，与时频图和采样法生成的数据集进行对比验证。验证结果表明：该方法可以生成数量相当且真实 客观的正常样本和异常样本，在ResNet50模型上的准确率达91.72%，减小了数据不平衡对准确率的影响。     

螺旋形纳米碳纤维的电磁波吸收特性分析

根据手征材料的本构方程,讨论了螺旋形手征纳米气相生长碳纤维(VGCF)手征参数ξ与电磁参数ε,μ的关系,并分析螺旋形VGCF几何结构产生的手征特性,与电磁波相互作用时产生电磁交叉极化的耦合吸收电磁波的机理,研究了改善手征材料ξ和性能的方法。结果表明,取螺旋形VGCF半径与螺距比为0.23左右,增加手征体含量可改善手征介质的手征参数,手征体的含量适当、螺旋形VGCF的尺寸与电磁波的波长接近能提高材料的吸波能力。     

来自太阳的威胁

俗话说:万物生长靠太阳。太阳是我们的太阳系的中心天体,也是地球万物生长的天然能量源泉。但是每过去11年,到了太阳活动周期的顶峰时,剧烈的太阳活动就会扰乱近地空间环境,引起一系列严重后果。     

在 Si 上生长的 GaAs 外延薄膜的近红外光致发光(英文)

在Ｓｉ上生长的异质ＧａＡｓ外延薄膜（记作ＧａＡｓ／Ｓｉ）中，存在着深能级，它们是由各类缺陷的各种不同荷电态所导致的。这些缺陷则是由于ＧａＡｓ与Ｓｉ之间存在着很大的晶格失配及热膨胀系数差异所引起的。研究了与ＧａＡｓ／Ｓｉ的深能级有关的变温与变激发强度的近红外光致发光谱。实验中所用的ＧａＡｓ／Ｓｉ样品是用ＭＯＣＶＤ方法生长的，而且具有不同的［Ａｓ］／［Ｇａ］比。利用组态模型，通过测量发光峰在半极大处的全宽度随温度的变化，获得了Ｆｒａｎｃｋ－Ｃｏｎｄｏｎ位移。考虑了ＧａＡｓ／Ｓｉ的带隙随温度与随失配形变的移动。利用所获得的Ｆｒａｎｃｋ－Ｃｏｎｄｏｎ位移及带隙移动，修正了施主－受主对、导带－受主及施主－价带间跃迁的能量关系式，给出了新的表达式。按照建立的新的跃迁能量表达式及ＧａＡｓ／Ｓｉ外延薄膜发光谱的特征，鉴定出ＧａＡｓ／Ｓｉ中的三个发光峰属施主－受主对复合发光，另外两个发光峰则是由Ａｓ填隙－Ｇａ空位的复合发光中心所产生。     

国内外频率标准发展现状

时间频率在国家经济建设、科学研究、国家安全具有十分重要的意义。本文介绍了国内外高稳晶振、铷原子频率标准、守时型氢原子频率标准和铯原子频率标准、微型相干布局囚禁原子钟、低温蓝宝石微波源和超稳激光微波源以及铯原子喷泉钟的国内外发展情况、技术指标等。铷原子频率标准打破国外垄断，为北斗导航系统提供高精度的时间基准，守时型氢原子频率标准和铯原子频率标准已实现工程化，但日频率稳定度和日频率漂移率指标有待进一步提高，铯喷泉基准方面已接近国际先进水平，新型原子频标发展方兴未艾。     

基于不同成核层的碳化硅基底反射镜特性研究

不同的成核材料对金属Ag薄膜生长具有不同的细化作用,材料晶格常数差异会导致不同薄膜材料在生长过程中产生不同的表面弛豫现象,导致薄膜生长模式差异。由于材料特性及制备工艺限制,成型SiC材料表面和坯体中会存在一定的孔洞缺陷,抛光后的SiC,特别是反应烧结SiC基底表面粗糙度依然较大,表面镀制的金属膜由于对基底形貌的复制,具有较大的散射,影响光学系统的成像品质。为改善具有表面孔洞RB-SiC材料的表面特性,利用热蒸发工艺分别在抛光RB-SiC表面沉积了10nm厚的Cr、Ti、Ge三种不同成核材料,对孔洞形貌改变、表面粗糙度进行分析;并进一步研究了RB-SiC基底沉积三种成核材料金属Ag反射镜的特性。研究结果表明,由于材料晶格常数差异导致不同薄膜材料在生长过程中产生的表面弛豫强弱不同,Cr、Ti、Ge三种成核材料在RB-SiC表面孔洞中的生长方式不同;金属Ti具有更好的孔洞修补能力,并且沉积100nm金属Ag后对可见光谱的杂散光最小。     

毒死蜱降解菌枝孢霉菌的紫外诱变和筛选

通过紫外诱变毒死蜱降解菌枝孢霉菌Cladosporium cladosporioides Hu-01,利用高效液相色谱(HPLC)检测,筛选获得12株突变菌株,其中突变株Hu-01-4和Hu-01-6的降解效果明显高于初始菌株Hu-01.突变株Hu-01-4和Hu-01-6经过加药斜面传种10代,Hu-01-6的降解率比初始菌株提高11.74%,并且保持良好的稳定性.突变菌株Hu-01-6在28 ℃、pH6.5培养条件下的生长量最大,降解率最高,且均明显高于初始菌株Hu-01.     

硅基底上外延生长过渡金属硅化物薄膜的研究

过渡金属与硅的接触系统一直被人们所关注,是因为它们在界面处具有肖特基势垒的形成、过渡金属硅化物的外延生长、制作器件的稳定和耐高温等重要性.因此在硅基底上形成金属硅化物薄膜也被广泛应用于半导体工业.对硅衬底上蒸发的Cr、Fe、Mn薄膜进行热处理,通过固相反应法(SPR)制备过渡金属硅化物薄膜,即经过对过渡金属硅化物(薄膜)/Si系统进行各种温度、不同时间的热处理,制备出各种过渡金属硅化物薄膜.对于制成的各种硅化物薄膜,用X射线衍射法(XRD)和软X射线发射分光光谱法(SXES)对它们的组成成分进行了分析和确认.并且,由这两种分析方法表明:各种过渡金属硅化物薄膜在硅衬底上各形成了单一相的均匀层硅化物薄膜.     

基于Kalman滤波的GPS跟踪环路晶振闪烁噪声建模方法

由于晶振频率漂移对GPS接收机的载波相位和频率跟踪带来了误差,在载波跟踪系统中需要对晶振误差进行建模。传统基于Kalman滤波的跟踪方法无法对非白的闪烁晶振误差进行准确建模,导致跟踪环路建模产生一定的误差。针对上述问题,文章重点分析了晶振的频域模型建模过程和噪声协方差求解问题,提出了Kalman滤波中晶振闪烁噪声的近似建模方法,并用实际卫星数据验证了建模的正确性。