MEOSAR载荷设计及在轨测试

中圆轨道卫星搜救（MEOSAR）系统是近年来国际搜救卫星组织大力发展的卫星搜救系统，MEOSAR载荷作为该系统中的核心部分，实现全球范围内遇险信标信号的透明转发功能。文章提出一种MEOSAR载荷的设计方案，具有良好的兼容性和互操作性，具备ALC和FG两种增益模式以及90kHz带宽、50kHz带宽两种带宽模式，增益模式与带宽模式之间可自由组合，实现多种工作模式的灵活切换。采用国际搜救组织要求的两行根数（Two Line Elements，TLE）轨道参数对首次装载MEOSAR载荷的北斗全球系统第十三、十四颗组网卫星（MEO 13、MEO 14）进行跟踪，对MEOSAR载荷进行了详细的在轨测试，测试结果表明北斗MEOSAR载荷符合国际搜救组织互操作标准，经过入网测试后将为全球用户提供遇险报警及定位服务。     

广义轨道根数空间的轨道机动可达性

在由动量矩矢量和偏心率矢量定义的广义轨道根数度量空间内,研究了在初始轨道的任意点施加幅值固定的单脉冲后卫星的可达区域,包括脉冲施加的位置任意、方向固定和位置固定、方向任意2种情况,给出了广义轨道根数空间中轨道机动的可达性判据.通过比较脉冲作用前后的广义轨道根数,评估了单脉冲对广义轨道根数的影响,并且利用数值仿真分析了脉冲作用位置、方向与广义轨道根数空间中度量的关系.最后,在广义轨道根数空间中给出了轨道到轨道的机动策略,验证了广义轨道根数的可行性.     

航天器ISOP直流变换器控制策略研究

分析了电压型控制和电流型控制的输入串联-输出并联(ISOP)航天器直流变换器的输入均压、输出均流特性,指出了电压型控制可以实现其输入电压自动均压、输出电流自动均流;电流型控制时其输入端电压等分是不稳定平衡,不能实现其输入端自动均压、输出自动均流。在电流控制模式下提出新的输入均压控制策略。通过1kW样机的仿真和试验结果,验证了文章分析的正确性和控制方法的有效性。     

卫星地面站费用／性能评估

在轨或计划中的近地轨道科学卫星、地球资源卫星和全球通信卫星数据的迅速增长，要求一种大大降低地面测控费用的方法。从经济上考虑，为每个近地轨道卫星建立单一、专用的卫星测量站已不再可行。为了拓展商业空间市场，需要一种新的方法来降低近地轨道卫星数据业务的费用。本文论述了近地轨道测控所需的性能，提出一种独特的、创新的办法提供测控服务和有效载荷服务。     

分布式数据采集控制系统的现状及发展趋势

综述了ＤＣＳ系统的形成，现状及今后的发展方向，阐明了应用远智能Ｉ／Ｏ改进ＤＣＳ系统的优越性及向ＦＣＳ系统的过渡。     

空时自适应处理张量波束成形器的外积合成法

为了解决空时自适应处理（Space-Time Adaptive Processing，STAP）对足量平稳训练快拍的要求，给出了一种设计STAP张量波束成形器的新算法——空时自适应处理张量子波束合成（TSS-STAP）法。分析表明：STAP中所需要的张量波束成形器，可首先在张量的各个子维度上分别进行子波束成形器的设计，然后再由张量的外积运算合成各子波束成形器而得到。进一步分析表明：由于本文算法可在较低自由度（DoF）的子维度上对张量波束成形器进行设计，因此降低了设计所需要的训练快拍数和计算复杂度，同时也实现了有效的去相关处理，使得其在非均匀杂波环境下有更好的目标检测性能。在仿真实验中，所提算法有效提升了目标检测结果，同时降低了目标检测所消耗的时间。     

基于PXI总线的姿态角变换器高精密测试系统设计CSCD

为了验证遥测系统姿态角变换器的功能可靠性,研制了一种基于PXI总线的高精密测试系统。姿态角变换器高精密测试系统以PXI的模块化设计为平台,各功能模块板卡即插即拔,增强了硬件上的可扩展性;整个测试台为一体式设计,内嵌显示器。软件设计中采用针对测试系统的开发软件Lab Windows/CVI,采用C语言进行编写,为了充分利用系统资源,采用多线程技术,通过软定时器来控制各个线程的运行和停止,并实时刷新显示数据。实际测试结果验证了设计的可行性。     

生长在Si上的GaAs外延膜中有关深能级缺陷与其形貌间的关联研究

由于在GaAs和Si单晶材料间有着很大的格子常数及线性热膨胀系数差别，所以在St上生长的GaAs异质外延薄膜（GaAs／Si）中会存在着界面失配形变与高密度的结构缺陷。我们的实验显示，GaAs／Si外延膜的无序与其生长条件有关，尤其与其［As］／［Ga］比密切相关。与GaAs／Si无序相关的失配位错、线位错及畴区的形貌已用扫描电子显微镜作了观察;与深能级相关的缺陷与其形貌间的关联也已用实验说明。对于高有序GaAs／Si外延膜来说，其与离域相关的主发光峰的强度对温度的变化服从阿兰纽斯方程，而对低有序的GaAs／Si外延膜来说，其与局域相关的主发光峰的强度对温度的变化关系则遵循对无定型半导体才成立的另一种方程。