十、黑洞发电机和黑洞激光器

黑洞发电奇想 相反相成是宇宙事物的发展规律，最令人恐怖的黑洞，有着最广泛的开发和利用价值。这里分别介绍黑洞发电机和黑洞激光器。     

VO2薄膜制备工艺及电阻开关特性研究

用溶胶－凝胶法在非晶玻璃上制备VO2薄膜，经过熔融、涂膜、烘干和热处理等工艺最后得到电阻相变2－3个量级的VO2薄膜。对烘干温度、熔融温度、膜厚和热处理温度对薄膜电阻开关特性的影响进行了研究。通过XRD（X－ray diffraction)和XPS（X－ray photoelectron spectroscopy）对薄膜的结构和价态进行分析，表明用溶胶－凝胶法制图VO2膜工艺简单，重复性好。     

智能磁航向传感器的研制及误差补偿算法分析

介绍了微型智能磁传感器的设计,分析了影响磁航向精度的误差来源.在此基础上提出了基于BP神经元网络、最小二乘及最佳椭圆拟合等3种不同的磁航向误差补偿算法,详细分析了每种算法的工作原理,并立足于算法的具体实现,通过现场试验,从精度、速度、效率等3个方面对算法的有效性加以分析验证,并得出结论.      

空空导弹敏捷转弯反作用喷气控制研究

为了提高近距空空导弹离轴发射和攻击载机后半球目标的能力,在俯仰平面内研究了使用反作用喷气控制空空导弹敏捷转弯的问题.为了实现导弹的敏捷转弯,提出了通过控制导弹姿态来控制导弹速度方向的方法,从理论上证明了该方法的可行性.考虑到反作用喷气输入的开关特性,使用滑动模态方法设计了导弹的姿态控制系统,滑动模态可达的一个充分条件为反作用喷气提供的可控力矩不小于导弹的最大气动俯仰力矩.反馈增益可以通过非线性仿真或者优化来选择.非线性仿真的结果再次表明本文提出的转弯方法的可行性,同时也表明了滑动模态姿态控制方法的有效性.      

无轴承开关磁阻电机拓扑及解耦机理分析

无轴承开关 磁阻电机（Bearingless switched reluctance motor ,BSRM）是一个多变量、非线性且强 耦合的复杂系统。为提高悬浮精度和发挥电机性能,需提升悬浮电流的跟踪及斩波控制水平 ,以及实现转矩与悬浮力的解耦控制,发展结构上具有自解耦功能的新型BSRM拓扑是解决该 问题的有效手段之一。根据现有BSRM转矩与悬浮力的解耦机理和构造特点,对结构上可解耦 的BSRM拓扑进行了归纳与分类,并对每种电机的结构、运行机理及优缺点进行了解析。有别 于现有电机结构,分别提出了双凸定子齿BSRM、宽转子齿BSRM、复合结构BSRM、锥形结构BS RM等4类具有自解耦特性的新型拓扑,并衍生出了每类结构下的不同实现形式,从而进一步 拓展无轴承电机的悬浮理论与应用范围。结合每类结构自身特点,构建与之相适应的运行模 式,以实现旋转和悬浮功能的解耦,从而强化其解耦应用特色。简要分析每种电机转矩和悬 浮力在结构上自解耦的机理,并利用有限元仿真验证其可行性。     

无线电高度表信号模拟器射频信号延时/衰减模块设计

无线电高度表程控信号模拟器是无线电高度表自动测试系统（ATE,ATS）的重要组成部分,而射频信号延时/衰减模块则是无线电高度表程控信号模拟器3个功能模块组件中的核心模块。研制了一种采用声表面波（SAW）延迟线作为射频信号延时器件、射频衰减器作为射频信号功率衰减器件,通过程控射频开关控制不同声表面波延迟线的切换,包含射频信号变频、放大等结构电路的无线电高度表信号模拟器射频信号延时/衰减模块。经无线电高度表自动测试系统的实际工程应用表明,该无线电高度表射频信号延时/衰减模块对C波段（4.2～4.4 GHz）射频调制信号的延时精度高、衰减范围大,体小、质轻,适合置于无线电高度表测试适配器内部使用,具有较高的工程应用价值。     

MSMA振动发电机的建模与仿真

振动发电就是利用电磁感应、压电技术、智能材料等将外部的机械振动能量通过一定装置转换成电能,实现机械振动能量和电能的转换.在分析磁控形状记忆合金（Magnetic Shape MemoryAlloy,简称MSMA）振动发电原理的基础上,利用MSMA智能材料的维拉利效应对振动能量进行收集,建立了MSMA振动发电机的数学模型,求出振动发电机感应电动势与压应力及外加磁场的数学关系.分析了振动应力幅值、频率的响应特性,仿真结果验证了MSMA振动发电的可行性.     

改善开关磁阻ISG性能的控制策略研究

 针对宽转速范围开关磁阻ISG 的起动转矩平稳性差和发电性能不理想, 提出用TMS302C31 和CPLD 协调工作以改善开关磁阻ISG 性能的控制思路, 给出了起动和发电状态详细的CPLD 时序控制逻辑仿真图、绕组相电流波形仿真图和原理样机实测波形图; 讨论了I SG 在典型状态的DSP 的控制策略框图, 试验结果表明, 发电状态在4 倍负载突加、2 倍突卸条件下, 其稳态和瞬态性能仍满足MIL-STD-704E 标准。     

Co/NM/FM(NiFe and Co)纳米多层膜的层间耦合效应

巨磁电阻自旋阀多层膜作为磁敏传感器材料与磁随机存储器(MRAM)材料，具有高的可靠性与灵敏度，在航空航天等高科技领域有着极大的应用前景。研究多层膜各层间的耦合效应与各层厚度、磁学性能之间的内在关系，对提高自旋阀的巨磁电阻效应、磁灵敏性等具有重要的作用。本研究采用磁控溅射沉积制备了(Cu／Co、Cu／NiFe，Ta／NiFe双层膜与Co／Cu／Co、Co／Cu／NiFe、Co／Ta／NiFe)三明治结构薄膜。采用振动样品磁强计对薄膜磁性、四探针法对薄膜磁阻性能进行了测试研究，采用洛仑兹电子显微镜法观察了薄膜的磁畴结构。研究结果表明，层间耦合效应不仅与非磁性中间层的厚度相关，而且与中间层材料的特性相关。磁阻与磁畴观察均表明层间耦合效应随中间层厚度的增加而减小，而Cu作为中间层的多层膜的层间耦合大于Ta作为中间层的层间耦合。     

10kV IGBT固态脉冲调制器技术研究

描述了一种用于材料表面改性的新技术--等离子体浸泡式离子注入,以及它的关键设备--高压脉冲调制器.我们研制了1台用于材料表面改性的光纤隔离同步控制的10 kV IGBT固态脉冲调制器.试验结果表明技术性能优良,输出电压幅值可在1～10 kV范围内调节,脉冲宽度可在2～100μs范围内改变,重复频率可在10 Hz～8.5 kHz范围内变化;在纯阻性负载时,注入电压波形的上升时间和下降时间分别为350 ns和1.64μs;在等离子体负载时,由于电缆电容和下拉电阻较大,上升时间增加到2μs,下降时间增加到30μs;如果减小电缆电容和下拉电阻,上升时间可以进一步减小,下降时间可以减小到15μs.