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511.
在厚壁圆筒内、外压强作用下弹性应力解的基础上,利用三维问题的应力-应变关系,得到了厚壁圆筒内的应变和位移表达式;由圆管型药柱与复合材料壳体连接处的径向位移连续性条件,得到了内压作用下药柱与壳体之间的压强;讨论了该压强对药柱内应力和应变的影响,给出了药柱内的应力和应变表达式.结果表明,提高壳体圆筒的刚度或减小药柱的m数,... 相似文献
512.
介绍了BOTDR光纤应变测试仪的测试原理,并对仪器的重复性、稳定性和不确定度进行了测量评价,以测量结果验证该仪器技术说明书的计量特性值. 相似文献
513.
514.
各向异性弹性开孔泡沫压缩行为的数值模拟 总被引:3,自引:1,他引:2
基于各向异性开孔泡沫的随机模型,对低密度弹性开孔泡沫材料的压缩力学行为进行了有限元数值模拟,得到了其应力-应变曲线及弹性坍塌强度.讨论了模型的随机度、各向异性比及相对密度对力学性能的影响.结果表明,沿不同方向加载时,各向异性胞体的微观变形机制不尽相同,且变形较大时,支柱的弹性屈曲占主导地位;模型随机度的增大,使两个方向的压缩无量纲应力-应变曲线均有所降低,且 λ =1时的无量纲应力-应变曲线与实验曲线吻合得较好.此外,开孔泡沫各向异性比的增大可使胞体伸长方向的弹性坍塌强度增大,而垂直方向的弹性坍塌强度则减小. 相似文献
515.
516.
(在CP—MOCVD生长过程中)本文研究生长温度和生长过程对PN结结位的影响,并用它来控制InGaAs/InP量子阶激光器的p-n结结位,还探讨了在InP材料中使用DEZn和H2S做掺杂源时P型和N型的杂质浓度和PN结控制的条件,得出在0.5%压缩条件下有源区阶层InGaAs和InP的应变量子层激光器。用这一LD结构实现室温脉冲激射时,我们可获得峰值功率为106mW以上、阈值电流密度为2.6kA/cm2的应变三量子阱激光器。 相似文献
517.
疲劳寿命计电阻变化机理的研究 总被引:12,自引:0,他引:12
用退火去除电阻累计的方法,研究了3种交变应变量下疲劳寿命计电阻增加的机理,并对液氮处理和冷作变形后的性能进行了研究。实验结果表明:疲劳寿命计电阻增加的主要贡献来自基体原子排序的改变,而在较低应变水平下,位错和点缺陷是电阻增加的主要原因。冷作变形提高反向应变电阻值,低温下疲劳寿命计性能没有改变。 相似文献
518.
从非牛顿流体运动微分方程式出发,利用积分、级数展开和数值计算方法,对剪切稠化流体(n=2)在环形通道中的流动进行了分析和计算,推出了该流体在环形通道中流动的速度、流量、平均速度和平均应变速度等关系式,绘制了几种不同R1/R2比值条件下的流体在管道横断面上的速度分布图,讨论了压力降与流量、速度与环管半径之间的关系,为工程计算提供了可靠的理论依据。 相似文献
519.
应变能释放率是粘弹性裂纹扩展判断的重要依据。为了解决低质量网格条件下的高精度粘弹性应变能释放率的数值计算问题,提出了裂纹尖端虚拟网格方法。在原始网格位移场基础上通过插值手段获得虚拟网格位移场、应力及应变场分布;基于虚拟网格信息并结合虚拟裂纹闭合方法,开展应变能释放率的数值计算。虚拟网格方法在应对裂纹扩展过程中任意复杂网格形式的同时,不再需要对原始裂纹尖端进行精细网格划分。两种典型断裂模式下的算例仿真结果表明,全积分形式的虚拟网格方法可以实现低泊松比条件下应变能释放率的高精度数值计算,相对误差均在5%以内。为了应对高泊松比下的断裂问题,设计了虚拟网格方法的缩减积分方案;缩减积分方案下的应变能释放率相对误差在1%左右,计算精度较全积分方案大幅提高。 相似文献
520.
压气机叶片在加工过程中会造成加工成型的叶片与设计者的初衷有一定的偏差。为了获知偏差对叶片气动性能的影响,结合我国现有的叶片检测方法,采用单因素法数值研究了叶片扭转、轮廓度、前后缘半径、前后缘形状及弦长误差对叶片气动性能的影响规律。研究结果表明,不同位置、不同大小的误差对性能影响不一,其中叶型扭转、轮廓度及前缘(半径、形状)误差是影响性能的主要参数,而尾缘(半径、形状)误差对性能影响不明显。其中0.5°的扭转误差会恶化性能高达46.56%,0.1mm的轮廓误差最高恶化性能达20.40%。所获得的误差影响规律可以用于提供合理的加工技术要求及制定叶片质量评判标准。 相似文献