双拦截弹拦截单目标边界型微分对策制导律研究

针对战术弹道导弹、高超声速巡航导弹和无人飞行器等新型具有高机动性能的防空目标,为提高成功拦截的概率,采用多枚拦截弹进行拦截。应用微分对策理论,将双拦截弹拦截单目标的末段制导问题建模为“二对一追踪-逃逸”对策模型。考虑最大加速度约束,研究了两枚拦截弹的拦截空间分解和对策空间分布,并通过仿真研究了制导律性能。结果表明：采用两枚拦截弹拦截时,脱靶量对目标机动方向的转变时间具有很好的鲁棒性。     

"对地观测数据处理与分析国际会议"在中国武汉召开

2008年12月27日至12月29日，“对地观测数据处理与分析国际会议”（International Conference on Earth Observation Data Ptocessing and Analysis）在武汉召开。共有来自中国、美国、瑞士、英国、澳大利亚、中国香港等国家和地区的400多名代表参加了会议。会议由武汉大学主办，中国测绘科学研究院协办，《航天器工程》作为特约媒体参加了会议。     

遥感技术在农业上的应用

遥感技术的应用在国内外农业领域已经取得了巨大的社会、经济效益。我国利用航空航天遥感技术完成了农业资源的调查、监测和区划工作。文章还介绍了国外农业遥感应用的一些情况并提出了我国今后农业遥感技术应用的设想。     

周向总压畸变对对转压气机影响效应分析

以对转压气机为研究对象,在数值方法校验的基础上,应用全通道定常流场分析手段计算了对转压气机不同周向畸变条件下的三维流场,获取了周向总压进气畸变对该压气机性能以及流场结构的影响效应,确定了对转压气机的临界畸变角,分析了不同畸变强度对压气机性能的影响规律,探讨了周向总压畸变在对转压气机中的发展演化过程。结果表明:(a)所研究的对转压气机临界畸变角约为72°,略高于传统动-静叶排交替的压气机临界畸变角;(b)相比均匀进气工况,当畸变指数为0.24时,对转压气机失速点压比和失速裕度分别下降3%和9.6%,当畸变指数为0.5时二者分别下降8.3%和19.8%;(c)未畸变区与畸变区流体之间存在的压力梯度影响转子叶片相对来流速度。进入畸变区叶片来流相对速度减小,负荷降低,退出畸变区叶片来流相对速度增大,负荷增大;(d)上游转子使得畸变水平提高,下游转子反向旋转效应抑制了来流相对速度变化趋势,增强了气流在其叶片通道中的掺混,使得畸变水平有所下降。     

肋角度对气膜冷却特性的影响

在光滑二次流通道的基础上,分析对比了两种带肋通道(135°肋和45°肋)对气膜冷却特性的影响.采用瞬态液晶测试技术获得了气膜孔下游表面传热系数比与气膜冷却效率分布.使用Fluent软件RANS数值方法对相应结构进行了数值模拟,并使用了realizable k-ε湍流模型.光滑二次流通道模型中,气膜孔内流线呈螺旋状分布,导致较大的孔内速度分离与流动损失.冷气射流分成两部分,其中一股形成一对偏斜的对转涡.135°肋结构中,二次流通道上部分的旋转涡为顺时针方向,使得气流易于流入气膜孔,气膜孔内流线呈直线分布.45°肋结构中,二次流通道上部分旋转涡为逆时针方向,增强了气膜孔内旋转涡.45°肋结构中冷气流入气膜孔之后的流动结构与光滑二次流通道结构相似.135°肋结构气膜冷却效率最大而表面传热系数比最低.     

端壁附面层抽吸对对转压气机性能的影响

以双级对转压气机为研究对象,通过在两排转子机匣处开设抽吸孔,采用数值方法研究了不同抽吸流量下端壁附面层抽吸对压气机性能的影响,为吸附式压气机优化设计提供参考。计算结果表明:在级环境下端壁附面层抽吸可以提升压气机失速裕度,但抽吸流量过大会对效率造成一定损失,当抽吸1.6%流量时失速裕度提升了3.8%,压气机性能达到最佳;失速主要由间隙泄漏涡引起并首先在第二排转子叶尖发生,抽吸削弱了泄漏涡的强度推迟失速发生;端壁附面层抽吸增大了叶尖流通能力,使转子叶尖效率和压比得到提升,并有效改善了出口导叶流场。     

太空新航线

哈准许俄在拜科努尔进行涉及新落区的发射6月15日,哈萨克斯坦总理马西莫夫表示,哈已准许俄在拜科努尔发射场进行两次涉及一个新火箭残骸落区的发射。     

图片新闻

“鹰”式（Hawk）是英国航宇公司研制的中级和高级教练机。该机为双座串置。具备防空和对地攻击能力，有“鹰”50、60、100、200等系列。50是最早的出口型，装一台罗罗公司生产的“阿杜尔”（Adour）涡轮风扇发动机，推力23．1千牛。100是60系列增强对地攻击能力的发展型。200是其单座多用途改型。以60系列为例，翼展9．39米，机长10．775米，     

基于AD7714的激光对中仪的设计与实现

为了提高机械轴对中的效率和准确度,研制了基于AD7714的激光对中仪系统,该系统通过一定的测量手段对设备的定轴和动轴的相对位置进行检测和调整,以保证其位于同一条直线上。系统通过自行研制的硬件对任意角度的激光点的位置信息进行测量,并通过LabVIEW的图形化界面和编程环境对数据进行采集和处理,最后给出垂直偏差和水平偏差。     

GaInP2外延膜中施主—受主对复合发光带的能量关量

通过变温与变激发强度的近红外光致发光研究了用ＭＯＣＶＤ方法、生长在ＧａＡｓ衬底上的Ｇａ０．５Ｉｎ０．５Ｐ（ＧａＩｎＰ２）外延薄膜的１．１７ｅＶ发射带的发光特性。１．１７ｅＶ发光带性质与０．９９ｅＶ及０．８５ｅＶ发光带的性质有着明显的差别。１．１７ｅＶ发光带的机理可用施主－受主对的复合发光来解释，其中施主－受主对系白处在Ｇａ格位上的Ｓｉ（ＳｉＧａ）及其最邻近的Ｇａ空位（ＶＧａ）所组成，记作ＳｉＧａ－ＶＧａ。考虑到ＧａＩｎＰ２中存在着很强的电子－格子耦合作用及其Ⅲ族子格子为部分有序，所以在施主－受主对复合发光中应计及Ｆｒａｎｃｋ－Ｃｏｎｄｏｎ位移△ＦＣ及该对在等效的部分有序势场中的相互作用能Ｅｓ（ＤＡＰ）。Ｘ—射线衍射实验表明，部分有序结构相当于成分调制，因而可用Ｋｒｏｎｉｇ－Ｐｅｎｎｅｙ模型来计算Ｅｓ（ＤＡＰ）值。这样，我们就导出了施主－受主对复合发光的新的能量表示式。