科技成果

欧盟先进硅材料研究取得重大突破 据中国科技部网站2012年5月2日消息，欧盟信息通信技术（ICT）主题资助850万欧元的研发项目“互补金属氧化物半导体的光电子功能集成”（HELIOS），近日取得了重大创造性突破。由法国原子能委员会电子与信息技术实验室（CEA-Leti）领导的法、英和比利时等欧盟成员国研究团队，首次研发出世界上第一个硅基材料可调谐发射器，     

SIMOX样品导电类型反型的研究

氧离子注入Ｐ型（１００）单晶硅形成ＳＩＭＯＸ样品，经俄歇电子能谱、扩展电阻仪测试，形成了ＳＯＩ结构；经霍尔测试仪测试，制备的ＳＩＭＯＸ样品表层硅膜反型为Ｎ型导电类型，ＳＩＭＯＸ样品的反型是硅中的氧施主所致，由近自由电子的类氦模型计算，氧施主电离能力为０．１５ｅＶ，该值与早期文献报道的实验值一致。     

频率调制半导体激光绝对干涉测距研究现状

介绍了近年来研制的频率调制半导体激光绝对干涉测距系统，对其优缺点进行了分析，并指出该技术今后发展需要解决的几个问题．     

应用于空间粒子探测的Si-PIN传感器电子辐照测试

长期的高能电子辐照会对Si-PIN传感器探测性能造成影响,为了考核应用器件耐电子辐照能力,采用电子辐照源模拟空间电子环境对半导体传感器进行辐照试验.试验结果表明:传感器在接收7.64×1014辐照剂量情况下,传感器能量响应能力未发生改变,计数效率稍有下降;随着辐照剂量的增大,虽然传感器漏电流不断增大,但是噪声水平较平稳,传感器的性能不影响载荷工作指标.      

空间磁场环境模拟线圈驱动恒流源设计

针对空间磁场环境模拟线圈磁感应强度0~20 Gs连续可调,磁场稳定度优于1%的要求,采用前级电压源与后级电流源串联的主电路拓扑结构,结合电压双闭环控制和电流闭环负反馈控制的方法,实现了稳定的电流输出,减小了功率金属-氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)的功耗,提高了恒流源的效率.测试结果表明:恒流源输出电流0~10 A连续可调,霍姆赫兹线圈中心磁感应强度能达到20 Gs的设计要求,电流稳定度优于0.1%,磁场稳定度优于1%.      

JK—20D型半导体激光治疗仪的研制

本文介绍了一种医用半导体激光的光路、恒流源及控制保护电路、温控、结构等方面的设计。该仪器的激光波长810nm,输出光功率0－468mW连续可调，可用于激光理疗和激光针灸等临床应用。     

具有半导体特性的往复走丝电火花线切割研究

针对超高厚度切割、细丝切割、金属基陶瓷复合材料切割等一系列具有半导体特性的电火花线切割,提出一种具有半导体特性的电火花加工理论体系。其实质是：由于工件、电极丝或者两者已具有不可忽略的电阻,从而具有了半导体特性,已不能将其作为传统电火花加工中的等势体对待。分析了半导体特性下的往复走丝电火花线切割的加工特征及采用传统电火花线切割加工伺服控制方法失效的原因,提出了使用辨识度更高、基于电流脉冲概率的检测来判断极间的加工状态;同时为了做到长久稳定切割,对于往复走丝时正反向走丝差异明显的工况,应采用正反向不同的伺服控制策略。     

谐振式光纤陀螺用激光器最优工作区间探究

激光器为谐振式光纤陀螺(R-FOG)的关键器件,根据R-FOG对激光器的要求,提出了一种R-FOG用激光器最佳工作点及最优工作区间的确立方法,制定了激光器性能自动化测试方案,得到激光器光功率、中心波长与电流、温度的变化关系。由此推导出2个激光器电流与温度的最佳工作点,并利用拍频检测原理确立2个激光器电流与温度的最优工作区域。激光器最优工作区域的掌握,为其应用于R-FOG提供了详实的参数指标。