通用智能传感器

本文概述一种生产灵活的通用智能传感器的方法,这种传感器可直接接口到微处理机,并可用标准的微电子生产过程来制造。文中对相应的电路及有关问题作了简介。     

用于荧光细胞观察的制冷CCD成像系统

细胞成像技术是研究细胞运动、分裂和凋亡的必要手段,所以荧光条件下的细胞成像技术显得尤为重要。为满足荧光细胞观察对微弱光信号的检测和成像的要求,文章通过结构和电路设计,研制了一种用于荧光细胞观察的制冷CCD成像系统。通过分析各组件的技术特点,设计了高效制冷结构,提高了细胞荧光观察输出图像质量。     

碳化硅在导热材料中的应用及其最新研究进展

随着社会的发展和科学技术的进步,电子设备和仪器越来越趋向精密化、小型化和高性能化,而效能提升随即带来对导热散热的高需求.其中,碳化硅(SiC)由于具有良好的耐磨性、高温力学性、抗氧化性、宽带隙等特性,在半导体、核能、国防及空间技术等高科技领域具有广阔的应用前景.除此之外,SiC具有的高导热系数奠定了其在第三代半导体材料...     

自主创新 科学发展 努力向国际一流电子技术大所迈进

中国航天科技集团公司第九研究院第771研究所始建于1965年10月,地处古都西安,是全国唯一的集专用微计算机、半导体集成电路和混合集成电路科研生产为一体的大型专业研究所,现有在职职工4855人,各类专业技术人才2300余人。45年的发展中,771所创造了我国计算机和集成电路发展史上的＂十个第一＂,成功参加了以神舟飞船、嫦娥一号、二号探月卫星等为代表的780余次国家重点工程研制及发射任务,为我国航天事业的崛起与腾飞作出了重要贡献。共取得科研成果2000多项,其中国家级40项,省部级240项。     

线性调频半导体激光衍射光栅干涉仪

介绍一种以线性调频半导体激光为光源的衍射光栅干涉仪。激光与光栅上衍射的±１级衍射波会合，由于有光程差而发生光拍频，测量拍频信号的相位移则可测得光栅的位移。设计了一种克服激光波长漂移和空气折射率变化影响的对称差动光路，使这种方法达到实用化的程度，分辨力达到纳米级。此外，还介绍了应用于接触干涉仪的实验情况。     

Ⅲ—Ⅴ族四元固溶体中原子近邻及次近邻的键长表达方式

基于ＦＤＵＣ模型和Ⅲ－Ⅴ族元素共价半径不变的假设，本文出了Ⅲ－Ⅴ族固溶体中原子近邻和次近邻的键长表达式。这套键长表达式除依赖于四个Ⅲ－Ⅴ族元素的含量（ｘ，ｙ）外，只与四个纯化合物的晶胞参数或这四个Ⅲ－Ⅴ族元素的共价半径有关。而且也含盖了相应的伪二元固溶体的情况。本文还对其他的理论模型作了进一步的比较和讨论。     

魅力无穷的太空发电站

在1876年，两位英国科学工作者亚当斯和戴首先发现：用硒半导体可以把太阳光直接转变成电能。尽管这种转变的效率只有1％，即用100瓦的太阳光能只能得到1瓦的电能，但这仍然是一个历史性的发现和突破!太阳光能的转变效率至今仍停留在20％的水平上，预计不久可提高到30％～40％。     

多路并联半导体桥点火器同步发火故障机理研究

半导体桥点火器在工程应用中通常为多个产品并联在同一供电回路中使用，以实现火工装置同步点火。在实际应用中有时会出现某个火工装置点火失败的现象。当前，研究主要集中在半导体桥点火器本身电阻变化对单路点火过程电流、电压的影响，对多路并联半导体桥电流响应特性的研究较少。半导体桥点火器在多路并联同步使用时，作用机理及故障原理不清限制了其在该场合中的应用。文章设计搭建了多路并联半导体桥点火器点火电路，通过试验发现点火器多路并联使用时，支路电流存在突然下降或上升速度缓慢的现象，均可能造成点火器半导体桥区烧蚀不完全或瞎火。结合半导体桥点火器的点火机理分析得出电路电流突然下降会导致相变过程中止、电流上升较慢会导致相变能量不足，均会造成半导体桥电爆能量无法正常释放，进而无法正常激发内部起爆药，这是半导体桥点火器用在多路并联电路情况时出现点火失败的重要原因。     

一种用于光传飞控系统的光纤温度传感器研究

利用半导体光吸收原理，设计出一种光纤温度传感器，它可实现强电磁干扰下高空无人机内的环境温度测量，具有体积小，结构简单的特点。该测试仪用GaAs晶片作为温度敏感元件，采用透射式结构，利用双光束补偿原理消除了光路扰动产生的误差。实验结果表明该传感器在-20-85℃的范围内有良好的温度响应。