基于TDLAS技术的喉栓式变推力发动机羽流速度特性

为研究喉栓式变推力发动机动态调节过程的羽流速度特性，采用有限速率化学反应模型和动网格方法，建立了考虑后燃反应的发动机羽流动态仿真模型。基于可调谐半导体激光吸收光谱（TDLAS）技术测速原理，对羽流速度测量结果进行了仿真计算。分析了喉栓往复调节过程的羽流瞬态流场结构，探究了后燃反应及测量位置对TDLAS羽流测速结果的影响。结果表明：发动机羽流场结构随着喉栓往复调节呈周期性变化，喉栓趋于关闭时，喷口附近出现强激波，下游羽流速度分布更均匀，速度梯度对TDLAS测量的影响降低；后燃反应导致羽流下游速度和H2O组分分布发生显著变化，沿下游方向，后燃反应对TDLAS所测沿光路平均速度振荡幅值的影响逐渐增大；实际测量时，选取距喷口更近的测量位置可以降低后燃反应和速度梯度的影响，获得更接近轴线测点速度的结果。     

负电子亲和半导体的二次电子发射

根据0.8keV≤Epomax≤5keV的负电子亲和(negative electron affinity,NEA)半导体二次电子发射(secondary electron emission,SEE)的特性，初级电子产额R，现有的次级电子产额δ的通用公式和实验数据，分别推导并实验证明了NEA金刚石的δ在0.5Epomax≤Epo≤10Epomax, GaN在2keV≤Epomax≤5keV, NEA金刚石的δ在08keV≤Epo≤3keV, GaN在08keV≤Epomax≤2keV的特殊公式;其中Epomax为δ达到最大值时的Epo, Epo为初级电子入射能。推导出了08keV≤Epomax≤5keV时NEA半导体的内部二次电子到达发射极表面后逃逸到真空中的概率B。还提出了计算08keV≤Epomax≤5keV NEA半导体1/α的方法;其中1/α为二次电子的平均逃逸深度。分析结果表明，B和1/α的理论研究有助于研究不同样品制备方法对NEA半导体中SEE的定量影响，从而生产出理想的NEA发射体，如NEA金刚石。     

电阻应变计敏感栅结构参数对其测量精度的影响

为了提高电阻应变计测量精度，建立了“简支梁-过渡层-基底-栅丝”结构的3维有限元模型，利用数值模拟方法研究了 敏感栅结构参数对测量精度的影响；提出横向效应长度比参数，统一了栅丝长度、间距、弯数3种结构参数，建立了测量误差与横 向效应长度比的函数关系，基于此函数关系推导出结构参数优化公式，并利用优化公式完成了敏感栅结构参数组合设计。结果表 明：栅丝直径越小，测量误差越小；栅丝长度、间距、弯数、长宽比存在最优值；测量误差与横向效应长度比成分段线性函数关系，且 当横向效应长度比为6.15%时测量误差最小；利用函数关系式可以快速估算出给定敏感栅结构参数的应变计测量误差，估算结果 与有限元计算结果的相对误差不超过4%；利用优化公式设计出的参数组合的测量误差不超过0.06%，且较单独优化的最优值参 数组合的减小0.1%左右。