带座舱飞船高超声速再入非平衡流场的数值研究

本文针对带座舱飞船高超声速再入大气层过程中存在的严重气动加热现象 ,利用简单隐式TVD差分格式和激波捕捉法 ,数值求解三维化学非平衡Navier Stokes方程 ,其中化学模型是 7组分 1 5个化学反应的空气化学模型 ,对带座舱飞船再入高度为 70km和速度为6 7km/s的化学非平衡流场进行了数值模拟 ,给出了带座舱飞船再入迎角为 0°,1 0°和 2 0°情况下的壁面热流、表面压力和电子数密度等参数分布     

正癸烷预混燃烧的详细反应动力学数值模拟

提出了正癸烷预混燃烧的详细化学反应机理,并对正癸烷预混燃烧过程进行了数值计算.同时,详细分析了反应物、主要生成物及多种中间组分摩尔分数的变化趋势,并分别与采用正癸烷与航空煤油为燃料的燃烧火焰的实验结果进行了对比分析.结果表明,正癸烷与航空煤油预混燃烧火焰中反应物与生成物摩尔分数的变化趋势基本一致;通过数值计算所得到的主要反应物与生成物摩尔分数的变化趋势与两种燃料(正癸烷与航空煤油)燃烧火焰的实验值基本吻合,说明该详细反应机理能很好地反映正癸烷预混燃烧过程的详细动力学特性.同时,通过反应流分析发现,正癸烷的消耗主要通过热裂解反应以及H,OH自由基的提取反应来实现.      

冰花烤漆工艺研究

采用低浓度硫酸亚锡,采用合适的活性剂和稳定剂,这种酸性镀锡溶液,能获得牢固、光亮的镀层。针对其特性建立了工艺流程,论证了电流密度、电镀时间与冰花质量之间的关系,叙述了常见缺陷的排除方法,是一种冰花烤漆新工艺。     

高超声速钝体尾流的积分电子密度与尺寸度律

本文提出了一个高超声速非烧蚀钝体化学非平衡尾流流场的简化模型和简化的空气化学模型。应用该模型计算尾流的积分电子密度。计算结果与实验数据符合得很好。在此基础上,以P_∞D_N=375mmHg·mm为例,初步论证了尾流双尺度律的适用程度与范围,为弹道靶模型实验提供正确的导向。     

PVD和CVD涂层在切削刀具上的应用

采用物理气相沉积（ＰＶＤ）和化学气相沉积（ＣＶＤ）涂层技术是改善切削刀具性能的一个重要途径，它在很多加工工序中显示出其优越性，文中介绍了国内外切削刀具各种涂层类型，工艺质量控制及应用效果，重点分析了涂层刀具的经济效益，并对本单位发展刀具涂层提出了几点看法与建议。     

现代小卫星的微推进系统

现代小卫星,发展迅速,不仅要姿态控制,还要轨道控制,甚至要有轨道机动能力。为此,必须开发研究与其相应的微推进系统。文章首先研究现有推进系统的技术性能;提出对微推进系统的要求;给出适应小卫星的微推进系统,有四个种类,近20个微推进器;最后提出选择微推进器的原则和建议。     

浅谈GB/T 13911《金属镀覆和化学处理表示方法》新旧标准之差异

介绍了GB/T13911-1992《金属镀覆和化学处理表示方法》的主要内容,列表对比分析了其与旧标准GB1238-1976的差异。     

化学气相沉积碳及其碳/碳复合材料的结构与性能

本文全面阐述了化学气相沉积(CVD)碳的形成机理、结构特征以及各种因素对其性能的影响情况。概括了以CVD碳为基体的碳/碳复合材料结构与性能的最新发展,文中引用的CVD基碳/碳复合材料的表观密度(体积密度)与其开孔率的线性关系,宏观性能与其表观密度的指数关系,不仅使人们对于CVD基碳/碳复合材料的结构与性能有了新的认识,而且对我们的科研和生产具有重大的指导意义。     

Effects of the Fabrication Processes of NC-Si： H Films on Their Mechanical Properties

Studies of nanoindentation were performed on nc-Si：H films to evaluate the effects of the fabrication processes on their mechanical properties. It is observed that with the decrease of the SiH4 contents, the grain size of the films increases gradually, and as does the crystalline volume fraction. The smaller the grains become, the more homogeneous the films, and the more even the hardness as well as the modulus will be. The hardness and the modulus will increase with the substrate＇s temperature rising. The hardness and the modulus of the nc-Si：H films on the Si substrate prove to be higher than those on the glass substrate given the same technology parameters. How- ever, the films on the glass substrate appear to be more homogeneous.