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21.
跨声速风洞试验段低噪声壁板模型的声学试验 总被引:2,自引:0,他引:2
介绍了跨声速风洞试验段低噪声壁板模型的声学试验。实验结果表明:(1)斜孔所产生的边缘音是最主要的声源;(2)用加网和加隔片都是抑制边缘音的有效方法;(3)文献[1]介绍的低噪声壁板的方法具有实用性。 相似文献
22.
本文介绍用于陆地卫星地面站中X波段GaAs FET(砷化镓场效应晶体管)低噪声放大器的功能、结构及热电致冷器,该冷却器将场放前二只管子冷却到-50℃,整个场效应放大器(由4只管子组成)的性能可与同波段常温参放相比美。对美国SATELINK公司生产的场放进行測试,在8025—8400MHz频带范围内,场放噪声温度小于86.1K,增益大于40dB.在整机中,以太阳为标准源对系统G/T进行测试,当俯仰角≥5°时,G/T≥31.05dB/K,满足原设计指标要求。 相似文献
23.
介绍了一种采用0.25um SiGe BiCMOS工艺集成的低压低功率X波段低噪声放大器(LNA),比较了此种放大器与IEEE 802.11a LNA的设计。X波段LNA和IEEE 802.11a LNA的工作频率分别为10GHz和5.8GHz。所设计的LNA都采用了相同的结构和电压,并耗费同量的电流。两种LNA都只需要1.5V的电压,消耗1.5mW的直流功率。两种电路的差异是它们有不同的输入与输出匹配和负载。本文介绍的LNA在10GHz时的电压增益为11.49dB,噪声系数(NF)为3.84dB,输入反射损失为-15.37dB,输出反射损失为-17dB,P1dB为-3.75dBm。在5.8GHz时的电压增益为16.07dB,噪声系数为3.07dB,输入反射损失为-18.1dB,输出反射损失为-15.23dB,P1dB为-6.54dBm。两电路的关键特征是:低压、低功率和良好的噪声匹配。频率为IOGHz和5.8GHz时,噪声系数与最小噪声系数之差分别只有0.03dB和0.05dB。验证了一种高频(X波段)低成本设计,与其他技术(如GaAs、SiBJT、JFET、PHMET和MESFET等)相比,它是在SiGe BiCMOS中设计的。 相似文献
24.
负反馈技术是实现宽带放大器电路设计的重要方法之一,得到了非常广泛的应用。文中叙述负反馈技术的基本原理,介绍分别使用串联和并联负反馈技术实现4~8GHz和0.2~2GHz宽带低噪声放大器的设计情况。测试结果与CAD仿真基本吻合,4~8GHz和0.2~2GHz宽带低噪声放大器的噪声系数分别小于1.5dB和1.6dB。 相似文献
25.
基于0.25μm 砷化镓赝品高电子迁移率晶体管(GaAs pHEMT)工艺,设计了一款应用于星载微波接收机的L波段单片微波集成电路(MMIC)低噪声放大器(LNA)。该低噪声放大器采用电流复用拓扑结构,降低了芯片的工作电流,节省了宝贵的卫星能量资源;通过两级负反馈方式优化了器件的稳定性和增益平坦度,提高了卫星通信质量;恒流源的偏置结构使得工作电流随工艺波动较小,芯片维持在稳定的工作状态下。测试结果表明:该放大器工作电流为35mA,在频率范围0.9~1.8GHz内,增益大于33dB,噪声系数小于0.6dB,增益平坦度小于0.5dB;芯片尺寸为2.0mm×1.3mm,满足航天产品的高性能小型化应用需求。 相似文献
26.
27.
CCD遥感相机信号处理电路降噪方法 总被引:1,自引:0,他引:1
针对中国遥感高分辨率传输型相机的发展趋势,提出了一些降低信号处理电路噪声的方法;从信号完整性理论出发,利用电子设计自动化(EDA)工具Cadence软件进行了仿真与验证,并经实际电路测试验证取得了良好的效果。 相似文献
28.
采用格林函数法和FDTD计算法,分别分析和计算了微波、毫米波接收前端中多芯片组件的不同摆放位置对系统的噪声系数和功率增益的影响.理论计算与试验结果吻合,表明微波多芯片组件的位置是影响宽频微波、毫米波接收系统性能的重要因素. 相似文献
29.
本文根据机载工作环境对低噪声放大器的要求,应用ADS软件仿真和优化,设计了一种高性能的平衡结构低噪声放大器。 相似文献
30.