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81.
在涤纶基布上分别进行铁氧体/碳化硅、碳化硅/石墨双层复合涂层整理,制备两种双层涂层柔性复合材料.分别研究吸波剂含量对复合材料介电常数实部、虚部、损耗角正切的影响.鉴于该材料多用于工程领域,测试了该复合材料的机械性能.结果表明,该复合材料在低频范围内具备良好的介电性能,且具备一定的力学性能. 相似文献
82.
采用CVD法制备了SiC涂层包覆短碳纤维,并通过凝胶注模成型工艺制备了(SiC)C_f/Si_3N_4复合陶瓷,探讨了烧结温度对复合陶瓷中(SiC)C_f形貌的影响。同时研究了(SiC)C_f的含量对复合陶瓷力学以及介电性能的影响,当(SiC)C_f含量达到10wt%时,样品的抗弯强度比纯Si_3N_4陶瓷降低了112 MPa,但断裂韧性显著提高,增加了11.5 MPa·m~(1/2),介电常数实部和虚部达到最大,介电实部约为15~18,虚部约为6~8;反射衰减随(SiC)C_f的含量和厚度的增加而向低频移动。 相似文献
83.
在Pt/TiO2/SiO2/Si衬底上,用金属有机物分解(MOD)法制备了SrBi2Ta2O9(SBT)铁电薄膜。通过对SBT薄膜表面形貌变化的结果表明,SBT薄膜经过氮氢混合气氛(forming gas,95%N2 5%H2)退火后,由于氢的还原作用造成了Bi的缺失,从而导致了薄膜铁电性能的退化,SEM结果表明还原出来的Bi在薄膜表面形成柱状结构。而SBT薄膜经过1h 750℃的氧气氛退火处理后.由于Bi被重新氧化,SBT薄膜的铁电性能可以得到恢复。 相似文献
相控阵天线阵面的制造、安装产生结构误差,结构误差会导致天线电性能的下降,严重制约高性能相控阵天线的发展.因此,将阵面存在的结构误差作为附加的相位因子引入到天线方向图函数中,建立了平面六边形相控阵天线阵面结构误差与天线电性能之间的结构-电磁耦合模型,并分析了平面度和阵元安装精度与天线电性能的直接影响关系,给出了满足天线电性能要求时的阵面结构误差临界值,为工程设计人员制定天线加工公差提供参考. 相似文献
85.
研究了预烧结对反应烧结多孔氮化硅陶瓷的介电性能和力学性能的影响。通过添加30wt%的成孔剂颗粒,制备出孔隙率在55%左右的具有宏观球形孔的多孔氮化硅陶瓷。反应烧结前,在低于硅熔点的温度下,对多孔硅坯体进行不同温度和不同时间的预烧。结果表明,随着预烧结温度的增高和时间的加长,反应烧结后烧结体的强度明显提高,介电常数ε′和介电损耗tanδ都有小幅度的增加。在硅粉中添加5wt%Y2O3 5wt%Al2O3进行预烧,可以减小反应烧结后试样的ε′,并且随预烧结时间的增加而减小。 相似文献
86.
87.
88.
89.
铝含量对铜镍电阻薄膜结构及电性能的影响 总被引:1,自引:0,他引:1
采用磁控溅射法制备了铝含量分别为 0wt% ,10wt% ,2 0wt% ,30wt %的CuNi系电阻薄膜 ,应用透射电镜(TEM )、X光衍射仪 (XRD)分析薄膜在热处理前后的晶化行为 ,结合X光电子能谱仪 (XPS)分析了膜层表面结构组成。结果表明 ,当未加入铝元素时 ,溅射态CuNi薄膜析出孤岛状分布的CuNi晶化相 ;随着铝元素加入到一定量 ,CuNi薄膜将相继分解出链状分布的细小有序相 (Cu ,Ni) 9Al4 以及呈均匀连续状态的有序相 (Cu ,Ni)Al。经大气中退火处理 ,薄膜具有与溅射态相似的晶化相结构类型 ;未加入铝元素的退火态CuNi薄膜表面主要由疏松的氧化铜构成 ,而铝含量在 10wt%以上的CuNi薄膜表面主要由致密的三氧化二铝构成。随着薄膜中铝元素增多 ,CuNi薄膜电阻率呈下降趋势 ;铝含量为 10wt%~ 2 0wt %范围的CuNi薄膜具有最小的电阻温度系数值。随热处理温度提高 ,未含铝元素CuNi薄膜电阻率有增大倾向 ,电阻温度系数变化无一定规律 ;加至一定量铝元素的CuNi系薄膜电阻率随热处理温度的提高而减少 ,电阻温度系数朝正向移动 相似文献
90.
为了满足现代高性能雷达天线罩结构粘接的要求,采用环氧树脂和热塑性树脂改性氰酸酯树脂的方法研制了改性氰酸酯胶膜。利用FTIR谱图法测定固化反应过程中—OCN基的转化率。胶膜有良好工艺黏性,室温贮存期为20 d。胶膜在200℃下的剪切强度>10 MPa。测试频率为9.375 GHz时,胶膜的介电常数为3.09,介电损耗为0.014。 相似文献