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831.
双扇形孔气膜冷却效率的研究 总被引:1,自引:0,他引:1
对平板表面的双扇形孔排气膜冷却特性进行了研究,包括孔节距、动量比和主流湍流度对气膜冷却效率的影响.气膜孔的直径为d,气膜孔与主流方向的夹角为45°.孔节距有2d,3d和4d,动量比有1,2和4,主流湍流度有0.4%和8%.结果表明,气膜冷却效率随孔节距增大而降低;孔节距为2d时,动量比增大会引起气膜冷却效率显著增加;孔节距为4d时,气膜冷却效率受动量比的影响相对较小;在孔节距及动量比均较大时,主流湍流度的增大会导致气膜冷却效率较为明显的下降. 相似文献
832.
航空电子双层任务分区调度设计 总被引:6,自引:3,他引:3
针对严格实时的航空电子分区调度问题,建立了操作系统采用轮转调度策略,分区里采用动态优先级调度策略的双层任务调度模型.针对可调度性分析问题,利用轮转调度周期和分区任务执行系数作为关键参数,在任务时间需求函数的基础上,计算系统消耗时间,得出了系统可调度性的判定定理;同时考察存在释放抖动的时候可调度情况,提出了可调度性的计算边界;通过考察任务周期和轮转调度长度的关系,得出了分区可调度情况下任务负载的理论上限.针对分区设计问题,通过考察关键时刻点,给出了分区调度关键参数的解析模型,在此基础上提出了分区可设计的判定定理,最后给出实例进行具体说明. 相似文献
833.
磁层顶附近的流场剪切度与磁层顶附近能量转换的程度有关.很多磁层顶数值模拟用到流场剪切度这个输入参数,但一直是假设的.本文利用Cluster多卫星同时观测数据及独特的时空分辨功能,采用线性插值和重心坐标的方法确定了磁层顶附近流场的剪切度.通过对晨侧和昏侧磁层顶及附近磁层磁鞘流场剪切度的真实空间分布的研究结果表明,在平静的太阳风条件和地磁条件下磁层顶附近流场剪切度有时也很大,可达每百公里330 km/s的相对速度差.但在很多情况下流场是弱剪切的,在上千公里的距离上只有每秒几十公里的相对速度差.本文确定流场剪切度的方法可以推广用来确定任一位置的流场剪切度. 相似文献
834.
835.
改进的重要度抽样法在机构可靠性中的应用 总被引:5,自引:2,他引:3
在对响应面法和重要度抽样法研究的基础上,针对机构可靠性分析的特点,研究了将重要度抽样和响应面法相结合的机构可靠性分析方法,同时根据以上方法开发了相应的计算仿真软件,并对某型飞机升降舵操纵机构在规定时间内下偏到位的可靠性进行了分析计算.结果表明:该方法可显著提高机构可靠度计算的效率,是一种较好的机构可靠性分析方法. 相似文献
836.
837.
导弹发射特性的刚体动力学仿真 总被引:1,自引:0,他引:1
应用ADAMS虚拟样机软件,建立了某地空导弹简化的发射系统虚拟样机。通过调试该样机,对发射进行刚体动力学仿真,获得了发射导轨存在波纹度以及弹性发射梁条件下导弹的运动参数。该方法具有表达直观、工作效率高的优点,适用于各种发射方式。 相似文献
838.
VRS网络RTK关键算法与技术及精度分析 总被引:1,自引:0,他引:1
针对VRS的特点,对VRS算法中的两个关键问题及技术进行了研究,提 出了一种经过改进的模糊度在线解算方法:首先用伪距宽巷组合计算出宽巷模糊度;再利用 无电离层约束组合解算L1模糊度浮点解;最后用LAMBDA算法搜索和固定L1、
L2模糊度。验证其准确性和可靠性。同时研究分析低阶曲面模型生成综合误差算法, 证明其准确性及可靠性。提出了利用虚拟站与主参考站的综合误差虚拟生成虚拟参考站观测 值的算法。研究采用Ntrip协议进行网络差分信息的传输。最后,通过实地试验测试验证了 自主开发的VRS网络差分系统的准确性和可靠性,其VRS/RTK定位结果的外符合精度为:网 内X方向为2cm,Y方向为4cm,Z方向为6cm,符合精度要求。证明 了该系统能够实现24小时无人值守稳定安全运行。
相似文献
L2模糊度。验证其准确性和可靠性。同时研究分析低阶曲面模型生成综合误差算法, 证明其准确性及可靠性。提出了利用虚拟站与主参考站的综合误差虚拟生成虚拟参考站观测 值的算法。研究采用Ntrip协议进行网络差分信息的传输。最后,通过实地试验测试验证了 自主开发的VRS网络差分系统的准确性和可靠性,其VRS/RTK定位结果的外符合精度为:网 内X方向为2cm,Y方向为4cm,Z方向为6cm,符合精度要求。证明 了该系统能够实现24小时无人值守稳定安全运行。
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839.
工艺偏差对压阻式硅微压力传感器性能的影响 总被引:1,自引:0,他引:1
工艺实践表明,采用体硅湿法刻蚀工艺加工压阻式微型压力传感器时,敏感膜片会存在厚度偏差,电阻条偏离应力最大区域导致位置偏差,电阻条偏离期望的[110]晶向造成角向偏差.结合工艺实验并借助有限元法分析了上述几种主要工艺偏差对灵敏度、线性度等性能的影响.研究表明,2μm的厚度偏差会使灵敏度下降大约10%,线性度会明显下降;位置偏差会使敏感元件偏离应力最大区域而降低灵敏度:5°的电阻条角向偏差会使灵敏度下降大约3%.相关研究可为最大程度减小工艺偏差的影响提供参考依据. 相似文献
840.