以捷径法提高射线追踪效率

为改善计算效率,提出了一种捷径法对射线追踪法进行改进. 射线追踪的计算时间主要耗费在求交判断上. 通过实际计算并记录一条射线管的轨迹,作为其后若干条射线管求交计算的优先参考,避免了再次进行漫无目的的遍历式求交,从而大量减少进行实际计算的射线管数量,节省射线求交运算时间. 经编程计算验证,该优化算法能够在保证相当精度的前提下,大幅度提高射线追踪法的计算效率,具备一定的实用价值.      

辐照和EO灭菌对SIS材料免疫原性的对比研究

免疫反应大小是决定可植入生物材料能否开展临床应用的关键因素之一。研究评估了辐照和环氧乙烷（EO）两种灭菌方式处理后的小肠黏膜下层（SIS）脱细胞外基质材料在体内的免疫反应，旨在为其临床试验的开展提供可行依据。将两种灭菌方式处理的SIS脱细胞外基质材料皮下植入到BALB/c小鼠，第14和28天取样后，系统性地评估了其免疫反应。与仅手术不植入材料的阴性对照组相比，免疫器官（脾和淋巴结）的形态、质量、细胞数、淋巴细胞的体外增殖及酶联免疫吸附检测结果均无显著性差异，证明两种灭菌方式处理后的SIS脱细胞外基质材料都不会对小鼠引起明显的免疫排斥反应。流式细胞术分析及局部H&E染色结果表明，经EO灭菌处理的SIS脱细胞外基质材料对小鼠的免疫刺激更小，是更适用于此材料的灭菌方法。研究结果为SIS脱细胞外基质材料的灭菌程序及其临床应用提供了支持。      

SOI工艺抗辐照SRAM型FPGA设计与实现

为提升SRAM型FPGA电路块存储器和配置存储器抗单粒子翻转性能，本文提出一种脉冲屏蔽SRAM单元结构。该结构通过在标准的六管单元中加入延迟结构,增大单元对单粒子事件响应时间，实现对粒子入射产生的脉冲电流屏蔽作用。以64k SRAM作为验证电路进行单粒子翻转性能对比，电路的抗单粒子翻转阈值由采用标准六管单元的抗单粒子翻转阈值大于25 MeV·cm 2·mg -1 提升至大于45 MeV·cm 2·mg -1 ，加固单元面积较标准六管单元增大约21.3%。30万门级抗辐照FPGA电路通过脉冲屏蔽单元结合抗辐照SOI工艺实现，其抗辐照指标分别为：抗单粒子翻转阈值大于37.3 MeV·cm 2·mg -1 ，抗单粒子锁定阈值大于99.8 MeV·cm 2·mg -1 ，抗电离总剂量能力大于200 krad(Si)。     

小直径不锈钢导管钎焊接头射线检测技术探讨

分析了小直径不锈钢导管钎焊接头的射线检测工艺方法,通过工艺试验确定了最佳的检测方式,并对小直径不锈钢导管钎焊接头的典型故障进行分析,验证射线检测方法的有效性和可靠性。     

水汽对折光修正精度的影响分析

针对当前部分折光修正的工程应用常常忽略水汽影响的现状,选取了国内4个不同地域的气象站点,基于1995年的数百组历史气象探空数据,利用射线描迹法分别仿真计算包含水汽和忽略水汽2种情况下由于大气折射引起的测距误差和测角误差,并对这4个站点不同仰角和不同时间的测距偏差和测角偏差进行统计分析,结果表明：水汽是构成测量残差的一个重要误差源,对于精度要求较高的折光修正系统,水汽的影响不能忽略.该分析结果可为其他需要考虑大气折射效应影响的高精度光学测量工程领域提供参考.     

盘管对接焊缝射线检测

采用小管径对接焊接接头的γ射线照相技术.按照JB/T4730.2-2005标准规定,根据工件特点和检验要求,选择适当的Se75-射线检验方法.用此种方法透照所要检验的管对接焊缝,用固定板固定射源很方便,只要将所要透照的管对接焊缝接头找出最佳偏移距离,将γ源置于偏移距离处,即可固定射源方便又快捷地进行检验.     

光学材料带电粒子辐照效应等效模拟试验方法研究

文章研究了空间带电粒子对光学材料辐照效应的等效模拟试验方法.在辐照试验研究基础上,针对光学材料分析了空间带电粒子辐照试验中辐照源选择、能谱效应,综合与顺次辐照效应和加速试验等几个关键问题,并根据空间带电粒子对光学材料的损伤特点,提出了模拟材料内部吸收荆量分布的等效试验方法.     

钢管环焊缝射线检测常用标准的比较

通过对GB3323-87和JB4730-94中有关钢管环焊缝的射线检测相应条款的比较和分析，提高对两标准的正确掌握和使用的认识。     

常用火炸药及其成份分析在民航机场安检中应用的可能性

本文通过对常用火炸药的组成分类及大部分常用火炸药的化学成份及其分子特征分析，论述了在安检中对其进行化学成份分析鉴定的可能性，提出了安检中实用的对不明物的分子级鉴定方法。对安检中不明物的快速、安全、有效判定具有重大意义。     

产品缺陷无损检测方法的综合运用

叙述了某产品缺陷的检出综合运用了三种无损检测方法，并分析了三种方法的特点和局限性，提出了对提高无损检测可靠性的一些建议．