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对电离辐照环境中典型CMOS存储器的辐照效应进行了研究。分析了SRAM,EEPROM,FLASH ROM存储器在^60Coγ射线辐照及辐照后不同退火过程中,CMOS存储器的集成度、辐照偏置、退火时间和温度与电离辐照效应的关系。结果发现:不加电(冷备份)状态的^60Coγ射线辐照过程中,存储器的逻辑状态翻转出现较正常工作状态推迟1个量级以上;随着集成度的提高,SRAM,EEPROM存储器的辐照敏感度降低;试验器件经不同剂量的^60Coγ射线辐照后在不同温度下退火,所有试验器件均出现了逻辑状态翻转。 相似文献
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介绍了无损检验技术的现状及对未来5~20年发展趋势的分析。无损检验技术用来对零部件进行定量测量,它包括一系列检验方法,如X射线、超声、目视、电磁、声发射、磁粉 相似文献
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用高分辨的三晶体x—射线衍射仪测量了Zr、Cu金属交替的多层膜的x—射线小角反射谱。用扩展了的Born—wolf光学模型对Zr、Cu多层膜的x—射线小角反射数据进行了定量分析。结果表明,该金属多层膜在其生长方向具有超晶格结构。在两层金属膜之间的界面上,由于内扩散,形成了界面交混层,它使x—射线小角反射所产生的高阶Bragg峰的强度减弱。由于两种金属膜的晶格不匹配,使高阶Bragg峰加宽。界面的粗糙度可用来模拟x—射线小角反射曲线的阻尼振荡效应。 相似文献
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受快速傅里叶变换(fast Fourier transform,FFT)的影响,基于FFT和压缩感知(compressive sensing, CS)的脉冲星周期快速估计算法的计算量大。为进一步减小计算量并提高计算精度,利用离散余弦变换(discrete cosine transform,DCT)取代FFT,提出了一种基于DCT-CS的脉冲星周期超快速估计算法。在该方法中,利用DCT提取脉冲星信号的低频部分构建低频DCT矩阵;构建畸变轮廓字典并获取累积轮廓;提出了利用最大值超分辨率稀疏恢复估计脉冲星周期的方法。仿真结果表明,DCT-CS的脉冲星周期估计精度达到了3.82×10-12 s,计算时间达到了9.31 ms。与FFT-CS相比,周期估计精度提高了约16%,计算时间缩短了约37.5%,实现了实时高精度的脉冲星周期估计。 相似文献