X射线衍射技术对InSb材料的无损检测

采用2θ-ω对称扫描,对(111)、(333)、(044)不同衍射面进行了ω扫描,得到了InSb不同衍射面之间强度和半峰宽度的规律;对晶片上不同位置进行了同一衍射面的ω扫描,得到半峰宽度的mapping,此外,还对材料进行了倒易空间(RSM)扫描。测试结果表明InSb材料结晶质量完好,均匀性好,符合制造良好光电器件的标准。     

受限空间中天线产生的电波覆盖研究

受限空间中的有效电波覆盖直接影响通信质量和可靠性,对天线系统的布局优化尤为重要.然而现有的研究很少考虑本来就处于隧道中的天线参数对电波覆盖的影响.针对铁路隧道这种特殊的受限空间情况首先介绍了电波覆盖的研究方法和现状,然后利用射线追踪方法、波导模式方法和矢量抛物方程方法对电波覆盖进行了预估,针对笔形方向图的特征采用高斯方向图重点研究了不同的天线主瓣宽度、波束指向以及在隧道截面的位置对电波覆盖的影响,分析了沿隧道轴向不同区域内电波覆盖的不同特征,最后研究了受限空间中电波覆盖的三段式模型.本文的方法和模型可以为隧道内的天线选型及优化布局提供理论依据和参考.      

空间用功率MOSFET器件2N7266总剂量

文章针对空间用功率MOSFET器件2N7266进行了60Co源γ射线辐射试验研究。在辐射过程中,采用JT-1型晶体管特性图示仪和计算机控制的摄像机实时监测器件电参数随辐射剂量变化的特征,通过试验研究获得了被试器件阈值电压、漏电流和击穿电压随总剂量变化的特征,得出了被试器件抗总剂量辐射的指标。研究结果可为被试器件在航天器型号的使用提供技术参考依据。     

长寿命载人航天器热控白漆退化性能试验研究

针对长寿命载人航天器热控白漆在空间环境下的性能退化评估需要,文章对KS-ZA白漆热控涂层进行了地面原子氧、近紫外远紫外和电子质子辐照试验,获取了涂层的空间环境退化数据,得到了涂层与原子氧的反应率,分析了涂层的长期原子氧剥蚀情况。利用经验模型对涂层的紫外辐照性能进行了数据拟合和退化预示,评估了涂层长期紫外辐照退化性能。结果表明,KS-ZA白漆具有良好的空间环境稳定性,可以满足长寿命载人航天器的热控需要。研究结果将为载人航天器热控设计与分析提供试验和退化数据支持。     

GE推出适用于电子制造业的高性能X射线检测系统——phoenix xlaminer

2011年5月12日,GE检测控制技术宣布最新推出的新型phoenix x|aminer是一个微焦点X射线检测系统,有5个轴,主要用于电子元件分装的质量控制,并适用于焊点的可靠精确检测。     

航天器AIT中心典型霉菌形态及其消杀效果研究

航天器总装厂房是航天器携带微生物的重要环境来源之一,厂房内的微生物检测与鉴定及其杀菌方法研究对于航天器的微生物安全与防控技术研究具有重要意义。本文报道了航天器AIT中心分离的青霉属、曲霉属和枝孢霉属等8个种属的典型霉菌菌落和孢子形态,为航天器霉菌鉴定和菌种库的构建提供了参考;同时研究了消毒剂、UVC辐照和热处理对这些霉菌的消杀效果,以期为航天器的霉菌防控技术研究提供科学依据。研究结果表明不同种属霉菌对3种消杀方法的敏感性具有较大的差异性。结合我国不同地区AIT中心霉菌种属的多样性,在进行我国AIT中心霉菌的消杀工作时应有针对性地科学选择不同消杀方法或综合应用多种消杀方法。     

GE传感与检测科技在世界无损检测大会上展示创新技术

传感2与00检8测年科10技月在2世6界日无,G损E检测大会(WCNDT)1152号展台展出其在无损检测(NDT)解决方案领域最新的创新技术。本次GE展出的产品包括:(1)Phythm软件平台。Rhythm是一套集检测数据的采集、报告、检查以及存档功能于一身的软件平台。Rhythm的功能现已扩展到了超声波检测方面,     

基于蒙特卡罗法辐射传递系数的统计分析

文章基于蒙特卡罗方法定义了表面热辐射换热辐射传递系数的表达式,确定其概率分布和置信度水平并进行统计分析。推导封闭腔内辐射传递系数的相对和绝对误差公式,为求解辐射传递系数所需追踪射线数量提供参考依据。     

ZnO透明导电薄膜制备及紫外辐照处理特性研究

ZnO作为一种典型的透明导电氧化物（Transparent conductive oxide,TCO）材料,具有同氧化铟锡(Indium tin oxide,ITO)相比拟的光电性能,其原料丰富、绿色环保、易于制备、生成成本低等优点使ZnO成为最有希望替代ITO的材料。本文以玻璃为衬底,利用量子点种子层作为缓冲层,采用传统水热方法制备了低成本ZnO透明导电薄膜,采用特殊的紫外光辐照工艺对薄膜进行后处理,探索薄膜生长参数和紫外光辐照处理工艺对其透光率和导电性的影响。结果表明,紫外辐照处理不影响薄膜的透光性能,而使材料的方块电阻降低3个数量级,数值从没处理时的1.5×105 Ω/□降低到 150 Ω/□,极大地提高了薄膜的电导率,为ZnO薄膜材料电导率的提高提供了一个简单高效的途径。     

电离辐照诱发面阵电荷耦合器暗信号增大试验

针对电荷耦合器件(CCD)在空间轨道环境中应用时易受到辐射损伤的影响,对面阵CCD的电离辐照损伤效应问题进行了试验研究.首先,通过开展面阵CCD60 Co γ射线电离辐照效应试验,在暗场条件下测试了面阵CCD辐照后输出信号随积分时间的变化,并拟合计算出暗信号斜率.然后,对比分析了不同偏置条件下辐照后暗信号退化的试验规律;分析了不同偏置条件下辐照后暗信号的退火恢复情况;分析了不同积分时间、不同总剂量下的暗信号不均匀性的变化规律.最后,阐述了电离辐照损伤诱发面阵CCD暗信号增大的物理机制.结果表明:面阵CCD对电离辐照损伤很敏感,在进行航天器成像系统设计时,要充分考虑CCD受电离辐照损伤带来的影响.