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采用磁控溅射方法,在石英衬底上制备了光电性能优良的ZnO紫外探测器。通过紫外光电性能测试、扫描电子显微镜(SEM)观察及X射线衍射(XRD)分析,研究了ZnO紫外探测器的光电特性。结果表明:探测器的光电流高出暗电流近3个数量级,紫外波段的光响应高出可见光波段近2个数量级,所制备ZnO紫外探测器达到了高辐射灵敏度和可见盲特性的要求。 相似文献
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本文提出了平面薄板极限分析中的一种新的弯曲三角形元素,简化了元素刚阵的形成,大大降低了结构刚阵阶数。用塑性应变模态思想对平面薄板结构进行了极限分析。本文方法具有物理意义明显、数学形式简洁、元素简单、计算量小、实用性强等优点,在若干算例中均取得了满意的结果。 相似文献
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本文讨论了复合材料圆柱壳体稳定性的复杂性,总结了已经取得的研究成果,并与有关实验进行了比较。重点评述了几何非线性、物理非线性、初始缺陷、横向剪切效应和前屈曲变形状态等因素对失稳性能的影响。对今后的工作给出了建议。 相似文献
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采用理论与实际相结合的方式,对悬臂状态下纤维增强复合薄板的固有频率进行了计算及验证.首先,针对纤维增强复合薄板的结构特点,考虑了纤维方向的影响,对其进行了理论建模.然后,基于正交多项式法来表示振型函数,并通过Ritz法对该类型复合薄板的固有频率进行求解.最后,搭建了该类型复合薄板结构的固有特性测试系统,并以TC500碳纤维/树脂基复合薄板为例,对其固有频率进行了测试.验证结果表明:基于正交多项式法的纤维增强复合薄板固有频率计算结果与实验结果的相对误差在2.2%~9.7%之间,进而验证了所提出的固有频率计算方法的正确性. 相似文献
48.
以光学滤光片薄膜边缘应力作为对象,研究了Ge/Zn S单、多层光学薄膜应力的变化规律。通过实验研究了离子束轰击能量以及真空退火温度等因素对Ge/Zn S光学薄膜应力类型、大小、变化及其分布的影响规律。Zn S薄膜的应力为压应力,采用离子束辅助工艺后薄膜边缘应力变得均匀;真空退火使Zn S薄膜的应力减小为原来的一半。通过优化沉积参数和张应力、压应力薄膜的组合降低了Ge/Zn S多层光学薄膜的应力,结果表明其平均应力分别为0.1 MPa,而且处于压应力状态。 相似文献
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全固态薄膜锂电池研究进展和产业化展望 总被引:1,自引:0,他引:1
全固态薄膜锂电池利用固态电解质替代传统电解液,采用多层薄膜堆垛的平面结构,属于新一代的锂离子电池,在军民两用的可穿戴设备、便携式移动电源、汽车和航空动力电池等领域应用前景广阔。该类电池因高安全性、长循环寿命、高比容量和高能量密度等优势性能受到业界广泛关注。本文概述薄膜锂电池的分类和充放电原理,总结正负极、电解质薄膜材料的发展历程和薄膜制备手段的改进,对比各类电池材料的电化学性能,引入该方向最新的研究进展:三维薄膜锂电池,可变形的柔性电池,高电压、大容量电池组。汇总国外商用电池产品、关键优势技术、电池制备设备,提出薄膜锂电池亟待解决的科学问题和国内潜在的产业化方向。 相似文献
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SHAN Lian-weia * ZHANG Xian-youa DONG Li-mina WU Zea HAN Zhi-donga FU Xing-huab HOU Wen-pingb aDepartment of Materials Science Engineering Harbin University of Science Technology Harbin China bDepartment of Materials Science Engineering Jinan University Jinan China 《中国航空学报》2006,19(Z1)
Sr0.5Ba0.5–xBixTiO3 (BST) thin films were fabricated on a Pt/SiO2/Si substrate by the sol-gel method. Then follows an investigation of the influences of bismuth (Bi) on the microstructures and the dielectric properties of Sr0.5Ba0.5-xBixTiO3 (BST) thin films. The micro-structures of the BST thin films were examined by the XRD and the TEM techniques. Tetragonal perovskite crystal grains were observed in BST thin films. Increasing Bi3 doping ration in BST will lead to decrease of the grain size. It is found that Bi3 doping decreases the dielectric loss and improves the frequency dispersion of the BST thin films. Not only is compressed the peak of temperature-dependence of dielectric constant of Bi3 -doped BST thin films but also moves into the low-temperature region. Moreover, the average Curie tem-perature decreases gradually with the Bi3 contents increasing. 相似文献