波瓣喷管/气膜冷却混合管气动和红外辐射特性实验

 针对某型后向进气、前向排气的涡轴发动机用红外抑制器,提出了波瓣喷管和气膜冷却混合管组合的红外抑制概念,旨在进一步降低混合管壁面红外辐射强度。用实验的方法,对气膜混合管内流特性、红外辐射特性进行了研究。研究结果表明：混合管壁面的3个引射入口的静压都低于外界大气压力,从而自然形成引射驱动动力;引射流量比与主、次流温度比有关,通过实验得到的温度修正指数可以将冷态实验结果外推到热态情况;与一般混合管相比,整体引射流量提高30％,在3~5 μm波段内,红外辐射强度降低了12%~27%,在8~14 μm波段内,红外辐射强度降低了12%~28%,其总压损失仅仅提高了1%。     

离子辅助沉积Al膜层增强Ti811钛合金高温微动疲劳抗力

为提高Ti811钛合金高温微动疲劳抗力,利用离子辅助沉积技术在Ti811钛合金表面制备Al膜层。对比研究多弧离子镀(MIP)和离子辅助多弧沉积(IAD)Al膜层的膜基界面成分分布、膜基结合强度、显微硬度、摩擦学性能。探讨IAD铝膜层对Ti811合金微动疲劳抗力的影响。结果表明,利用离子辅助多弧沉积技术可以获得膜基结合强度高、硬度低、减摩润滑性能好的Al膜层,该膜层能够显著提高Ti811钛合金350℃时的微动疲劳抗力。     

不同横槽结构对气膜冷却效率影响的数值研究

在不同吹风比下,对几种带有横槽的离散孔气膜冷却结构的流动过程和气膜冷却效率进行了数值模拟,分析了在相同槽深的情况下,宽槽、窄槽和斜槽对冷却效率的影响;并将斜槽的模拟结果与异型孔的结果进行了对比.结果表明:在横槽的作用下,由于面积的突扩,使得气膜孔射流向主流的穿透能力有所降低;在横槽下游,二次流能够更好地贴附壁面,气膜冷却效率有一定的提高;在低吹风比下,斜槽冷却效果明显,而在高吹风比下,窄槽冷却效果较明显;斜槽的气膜孔冷却效果优于异型孔;宽槽内出现了横向涡,窄槽内出现了涡锥,斜槽内出现了反向涡对,槽下缘处的固壁对冷却气流的横向扩散有重要作用.      

用热膜法测跨音速机翼抖振边界

 本文给出了一种测试机翼抖振的新方法——热膜法,并描述了热膜法测量机翼抖振的原理及技术。实验结果与有关资料相比有较好的一致性。这表明热膜法是机翼抖振测量的好方法。     

星用抗静电导电膜光电性能评价方法

对卫星表面某些高绝缘材料表面,通过物理气相淀积(PVD)技术进行改性使之满足卫星表面控制充电的要求,是一种极为有效的技术途径。但为了高可靠与长寿命,必须对所制备的膜进行充分和必要的各项性能检验与考核。这包括充电性能、光电性能和膜在各种条件下的稳定性试验。文章就这一系列的试验要求和目的作了讨论。     

填充聚四氟乙烯无油润滑滑动磨损机理的研究

文章研究了填充聚四氟乙烯/铁基金属摩擦副在无油润滑滑动条件下的磨损机理。提出了疲劳为其主要磨损机制,同时伴有不同程度的磨料磨损。研究了聚四氟乙烯/铁基金属摩擦副运转膜的形成和老化过程。研究了填充聚四氟乙烯向金属匹配面的转移模型。根据金属表面对填充聚四氟乙烯每一组分吸附的动态过程分析,提出了摩擦界面氧化物之间的“n-p-n”假说。     

聚酰亚胺管膜成型技术研究进展

分别介绍了螺旋缠绕、金属丝、浇铸、离心浇铸、芯棒气化和挤出等6种聚酰亚胺管膜成型技术。指出了聚酰亚胺管膜成型过程中的关键技术问题和解决途径,并强调研制和开发这一技术的必要性,展望了聚酰亚胺管膜的应用前景。     

Fe-Cr-Al/Si非晶态薄膜的电阻-应力特性

 对非晶态Fe-Cr-Al/Si薄膜研究了方块电阻与灵敏度、电阻温度系数、电阻率以及薄膜厚度等的关系;根据升温时薄膜电阻开始剧变推算了薄膜的晶化温度,并评估了Fe-Cr-Al/Si薄膜作为力传感器敏感材料的品质。     

喷管超声段壁面冷却热态试验研究

在高温条件下，对三种轴对称收－扩喷管超声段壁面排气引射冷却方案（缝隙式气膜冷却、离散孔气膜冷却和冲击－气膜组合冷却）进行了试验研究。得到了不同冷却方案的壁面压力分布、壁面温度分布和红外辐射特性，以及冷却气流量对这些性能的影响。结果表明：采用排气引射冷却技术可以大幅度降低喷管的壁温和红外信号特征，其中缝隙式气膜冷却的应用前景最好，离散孔式气膜冷却值得深入研究，冲击－气膜组合冷却不适合作为喷管排气引射冷却的基本方案。     

TiNi基形状记忆合金薄膜的相变特征研究

利用磁控溅射的方法在单晶Si和非晶SiO2基片上制备了TiNi和TiNiCu形状记忆合金薄膜,并利用示差扫描量热法和基片曲率法研究了薄膜的相变特征及应力随温度的变化.研究结果表明450℃溅射形成的记忆合金薄膜具有良好的形状记忆效应,在微电子机械系统有很好的应用前景.TiNi薄膜降温时出现R相变,因而发生两步相变,而TiNiCu薄膜中马氏体和奥氏体间直接转变.基片以及薄膜成份对相变点有很大的影响.单晶Si片作为基片时,记忆合金薄膜和基片间有很好的结合力,而SiO2作为基片时,记忆合金薄膜容易剥落.