基于故障行为模型的产品寿命分析方法

针对传统可靠性工程方法无法满足高可靠长寿命需求产品设计与分析要求的现状。本文充分考虑引起产品寿命分散性的内因和外因的不确定性,在产品功能模型或数字样机模型的基础上,结合产品的故障行为模型,建立了一种基于产品故障行为模型的产品寿命分析方法。在该方法中,内因参数与外因参数的分散性分别可以用相应的概率密度函数来表示,都是通过对实际使用情况和生产条件的估计得到的,因此,按照这种方法评估得到的产品寿命特征,能够弥补基于故障物理的可靠性预计方法无法体现产品正常使用条件的不足。      

扰动形状对钝头体非对称流动的影响

通过在钝头体头部施加人工扰动块可以得到确定的大攻角下的非对称背涡结构。为了研究扰动块形状对非对称背涡结构的影响,本文在攻角50°、雷诺数Re_D=1.54×105的条件下,利用数值模拟对周向角90°、子午角10°的扰动位置的半球形、D型及方形3种扰动块形状分别进行了研究。研究发现在同一扰动位置,半球形扰动主控下的背涡结构为右涡型,而D型扰动和方形扰动主控下的背涡结构呈现左涡型,且方形扰动主控下的背涡结构的非对称性弱于其他2种扰动主控的非对称背涡。通过分析发现扰动块所引起的微流动直接影响钝头体非对称背涡结构。因此为了更精准地通过施加人工扰动得到确定的非对称背涡结构,应尽量选择形状简单、表面平滑过渡的扰动块形状。      

火星着陆探测任务关键环节技术途径分析

火星进入、下降与着陆技术(entry,descent and landing,EDL)是火星着陆探测最为关键的环节。火星与地球再入返回过程相比,由于火星大气成分、物理性质与地球大气存在较大差别,且具有较大不确定性,使火星EDL过程历经时间短、状态变化快,对减速性能要求高,时序紧张。从工程实现角度分阶段开展了任务分析,识别了火星EDL环节面临的问题和挑战,提出了关键环节技术途径选择。     

航天嵌入式软件数组越界缺陷特征研究

根据统计,数组越界是航天嵌入式软件开发过程中出现最多且最容易被遗漏的缺陷类型之一.目前自动化检测数组越界多基于抽象解释、符号执行、程序模型检验等方法,这些方法在误报、漏报、可扩展性等方面的表现依赖于软件及缺陷特征.分析了近三年航天嵌入式软件第三方测试中发现的94个数组越界问题,从缺陷模式和缺陷表现形式两方面分析得出10...     

终端短路涂层金属圆波导的电磁散射特性分析

本文用光学法与广义散射矩阵技术相结合的方法,根据波导在入射平面电磁波照射下所激励的波导模式,分析了终端短路金属圆波导的电磁散射特性。在此基础上,假设金属波导内壁涂层厚度τ远小于波导半径a,且波导入口段的涂层厚度从零线性增加至τ,运用微扰法求出终端短路涂层金属圆波导内各波导模的传播常数,从而获得涂层圆波导的电磁散射特性。通过计算机仿真,计算了终端短路涂层金属圆波导的雷达截面(RCS),并与相同条件下内壁无涂层金属圆波导的雷达截面进行比较,结果令人满意。     

奇异摄动法解最优拦截问题

本文应用奇异摄动法探讨水平面内飞机的中远程拦截问题。在介绍航迹优化的一般方法之后,通过采用三重时间尺度分离法建立奇异摄动的数学模型,求出了外层解、边界层解和一致有效的组合解,导出了以推力参数和滚转角为控制变量的最短时间拦截的最优控制律。并以F-4飞机为例,计算了拦截成功的最短时间和最优航迹。其结果可作为空中拦截实时在线优化的参考。     

混合电路仿真的新方法

实际的数字系统均由数字电路和模拟电路组成，分析数字电路的方法与分析模拟电路的方法是完全不同的。本文将给出一种仿真混合电路的新方法及相应的模拟器。ＭＣ－ＳＩＭ的主要原理如下：首先把被模拟电路划分成许多模拟模块和数字模块，模拟（数字）模块只有模拟（数字）输出；任一模拟输入均视一系列发生在离散的时间点上的事件；模拟模块在达到之前与数字模块一样参加排队；不论是数字模块还是模拟模块都在统一的时间轮下进行计算     

受拉螺栓的应变疲劳可靠性分析

分析了受拉螺栓的应力与变形，指出这种螺栓的强度失效的主要原因是应变疲劳破坏，进一步在探讨应力-应变统计特性的基础上，提出了确定螺检应变疲劳可靠性寿命的方法，因此方法可进行螺栓可靠性寿命的预测。     

线性矩阵方程AXB－CXD＝E的误差界

首先讨论线性矩阵方程ＡＸＢ－ＣＸＤ＝Ｅ在有唯一解的条件下方程之解Ｘ的一个上界，再考虑系数矩阵Ａ，Ｂ，Ｃ，Ｄ，Ｅ发生小扰动时，线性矩阵方程（Ａ＋δＡ）Ｘ（Ｂ十δＢ）－（Ｃ＋δＣ）Ｘ（Ｄ＋δＤ）＝Ｅ＋δＥ之解Ｘ作为Ｘ的近似值的相对误差的一个上界。     

非线性薄梁结构对冲击波载荷的大挠度响应分析

采用大挠度弹性梁理论和中心差分法分析计算了非线性薄梁结构对冲击波载荷作用的大挠度响应，模型包括了纵向变形和横向变形之间的弹性耦合。算例给出了拉－弯耦合、拉／弯刚度比和冲击波冲量对挠度响应的影响。