带栅格翼导弹超声速阶段滚转阻尼导数的数值研究

滚转阻尼导数是判断导弹动稳定性的重要气动参数。采用求解定常流场的方法,对超声速阶段平板翼翼身组合体和栅格翼翼身组合体的滚转特性进行数值模拟,并与平板翼翼身组合体的实验数据相比,符合较好。计算结果表明,栅格翼的滚转阻尼导数变化复杂,由于弹体背风面分离流和栅格翼翼面失速的影响,滚转阻尼导数随着攻角增加有两次明显转折;平板翼的滚转阻尼导数随着马赫数增加逐渐减小,而栅格翼的滚转阻尼导数随马赫数同样呈现两次转折,在Ma=3.5达到最大值。     

蜂窝夹芯结构板芯脱胶修补研究

 针对复合材料蜂窝夹芯结构面板与芯子脱胶损伤问题, 提出一模拟面板、胶层及芯子的有限元模型,采用NASTRAN 分析软件计算了板芯脱胶结构的剩余强度及修补后的强度恢复。研究了脱胶区域大小对剩余强度的影响及胶接修补质量对强度恢复的影响。     

现代飞机制造成本控制方法研究

介绍了作业成本法(Activity-BasedCosting-ABC)及其全新的成本管理和控制思想。通过对工业工程(IndustryEngineering-IE)的技术特性与ABC算法内在联系的探讨,建立了一个IE+ABC成本控制体系,目的是对飞机制造过程的成本实施有效控制。企业实证初步表明了这个成本控制体系的实际应用效果及其研究推广价值。     

轻型高精度卫星的变结构姿态控制器

针对某些小卫星高指向精度和高稳定精度的姿态控制要求,设计了能克服反作用轮转速过零扰动的变结构姿态控制器,并对反作用轮转速过零时低速摩擦对卫星姿态产生扰动的机理进行了分析,建立了仿真用反作用轮低速摩擦动力学模型。同 PID控制器相比,该变结构姿态控制器能有效抑制反作用轮的低速摩擦影响,并具有良好的鲁棒性。数学仿真进一步证明了该变结构姿态控制器的有效性,其指向精度和稳定精度分别可达 0.3°和 0.0 0 1°/     

复合材料三维四向矩形类编织物表面结构研究

针对有限元计算对几何参数的需要,详细研究了由四步1：1法编织的复合材料三维四向矩形截面类型预成形件的表面结构,为其建立了较准确的几何模型。以矢量分析方法导出表面纱段轴线,表面纱段与内部纱段的接触线等数学表达式。据此得到该材料表面结构的几何参数值和下面结果：表面纱段轴线由两条相互对称且位于正交面上的椭圆弧光滑连接而成;同一条纱线的表面段和内部段为光滑连接;接触线是椭圆弧,提出了由表面纱缎倾斜角推算纱线内部编织角应注意的一个问题。     

壁面加热湍流标度律的实验研究

用热线风速仪测量了风洞中壁面加热和不加热平板湍流边界层不同法向位置的流向速度和温度的时间序列信号，研究了壁面加热的边条件和不同法向位置的剪切作用对速度和温度增量的p阶结构函数的非线性反常标度律的影响，实验结果表明，壁面加热的边界条件不同法向位置的剪切作用对层次结构模型中间歇参数β和最奇异指数γ的影响明显存在，并初步分析了在具有强剪切作用的壁湍流中这种影响产生的原因。     

ZA27Ce合金组织形态对阻尼性能的影响

对铸态ZA2 7Ce合金进行固溶处理 ,获得单一均匀的固溶体后 ,分别进行 96℃ ,180℃和 2 5 0℃人工时效。采用悬挂弯曲共振法测量阻尼性能Q-1值 (阻尼本领 ) ,结果是 ,96℃人工时效后阻尼性能好于 180℃以及 2 5 0℃人工时效后的阻尼性能。利用SEM研究时效后微观组织 ,结果发现 ,96℃人工时效获得粒状组织 ,180℃以及2 5 0℃人工时效获得层片状组织。利用等轴晶界面滑动内耗机理分析认为 ,ZA2 7Ce合金粒状组织的阻尼性能好于层片状组织的阻尼性能     

可伸缩式转移居住舱结构方案的探讨

描述了一种新型的可伸缩式居住舱－可充气式转移居住舱（TransHab)。该项目可用于星际间的转移居住舱，也可装配到空间站上。发射时，所有要用到的仪器设备提前装入舱内，整个舱体呈收缩状态装入航天飞机的货舱内，待入轨后，舱体像气球一样充气展开。展开后舱体的容积大，而质量却轻得多。本文着重讨论了这种可充气转移居住舱的基本结构形式，并与其他几种美国先前研制的可伸缩结构进行了比较。提出了该种类型结构形式的技术难点，发展前景，以及我国进行该种结构研究的必要性。     

新型改性剂对酚醛树脂成碳性能影响的研究

研究了DA改性剂的种类、用量对酚醛树脂残碳率的影响，并用扫描电镜观察和分析了改性酚醛树脂的成碳结构。结果表明：DA改性剂可明显提高热固性酚醛和热塑性酚醛树脂的残碳率，其中DA1改性剂效果最好，用量为0．1％(质量分数)时可将树脂残碳率提高7％-8％，而且DA1改性剂可明显改善树脂成碳结构。     

CVD过程中温度对SiC涂层沉积速率及组织结构的影响

以CH3SiCl3 H2体系在1000～1300℃沉积了SiC涂层,研究了温度对涂层沉积速率的影响,应用自发形核理论解释了不同沉积温度下CVDSiC涂层的组织结构。结果表明,随着沉积温度的提高,CVDSiC涂层的沉积速率相应增大;1000～1200℃沉积过程为化学动力学控制过程,1200～1300℃沉积过程为质量转移控制,1000℃和1100℃沉积的SiC涂层表面光滑、致密;1200℃和1300℃沉积的SiC涂层表面粗糙、多孔;随着沉积温度的提高,CVDSiC涂层的晶体结构趋于完整,当温度超过1150℃时,涂层中除β SiC外还出现了少量α SiC。