基于扩展单脉冲比的拖曳式诱饵存在性检测

诱饵的存在性检测是对抗拖曳式有源雷达诱饵干扰的前提,也是决定抗干扰效果的重要因素.当导引头雷达发射多个不同频率的脉冲信号时,在一定的检测处理时长内目标回波信号幅度服从瑞利分布,而诱饵干扰信号则是幅度固定的.基于导引头雷达波束内诱饵存在导致的回波特征变化,通过提取诱饵存在/不存在两种情况下雷达接收回波信号的幅度特征差异以...     

双热流计稳态法材料导热性能测试装置与分析

在分析多层平板一维稳态热传导过程的基础上,确定了双热流计结构一维稳态热传导的物理模型和实现一维稳态热传导的技术条件,设计制作了一套可用于材料导热性能测试的双热流计实验装置。采用C 编制了可运行于Windows环境下的测试和数据处理软件,利用导热系数已知的三组试样:石英玻璃、聚苯乙烯、含碳0.45%钢在所研制的实验装置上进行了导热系数测试分析。实验结果表明,对于导热系数介于1~10 W/mK的材料,测试结果与文献报道数值吻合得很好。测试结果的重复性也比较好。可以满足实际工程导热系数测量的需要。     

LCCC电子封装结构的热疲劳寿命分析

以典型LCCC电子封装结构为研究对象,分别基于有限元仿真分析方法和工程算法开展电子封装结构在温循载荷作用下的疲劳寿命分析,分析结果表明,有限元仿真分析方法和工程算法所预测的结构疲劳寿命一致性较好。所探索的有限元方法和工程估算方法在解决电子封装结构的热疲劳寿命问题时具有很好地推广性。     

基于实验模态分析的航空电子机箱振动特性研究

论述了使用实验模态分析方法对某型号航空电子机箱测量频响函数的全过程;通过参数识别方法获得了产品的模态,进而确定了产品的振动特性;最后,使用有限元软件工具对产品FEA模型进行了动力学仿真分析,将仿真结果与模态实验结果进行比对,并修正了产品的有限元模型。     

小型无人直升机活塞式电喷发动机冲速段的控制策略

针对小型无人直升机使用的活塞式电喷发动机的冲速段特性, 给出了折线法的转速指令控制策略, 并与常用的固定斜率转速指令增量的方法进行比较。通过开车试验数据分析, 折线法能够有效地解决冲速段的富油和冲速问题, 实现冲速段的转速控制, 并且具备较强的鲁棒性。      

机载电子设备电磁兼容检测软件设计

提出了一套针对机载电子设备电磁兼容性检测系统的辅助测试软件设计的整体方案.该软件紧密结合用户的需求并充分考虑到操作人员的知识结构,具有智能化提示和分析、评估等功能,能够引导操作人员从初步分析人手,然后结合实际测试进一步对初步分析得到的结论进行验证、评估和最终判定,结果以评估报告的方式给出,并在需要时给出专家解决意见.该软件适应于实际需要,可以大大提高问题解决的时效,对装备任务的顺利实施和维护保障具有重要的实用价值,是检测系统的重要组成部分.     

航天电子对抗设备的可靠性验证研究

航天电子对抗设备的可靠性验证属国内外可靠性工程界的一个难题——极小子样长寿命或高可靠电子系统的可靠性验证问题。为解决这一难题，本文提出了一种简便实用的工程方法。该方法先采用元器件应力分析法从工程上计算出系统在一定应力条件下的失效率，参考能反映该产品可靠性的历史数据，初步评估出其任务可靠性和基本可靠性。然后，根据初步评估过程中得到的整机在正常应力与设定加速应力条件下的失效率，求出整机加速验证试验的加速因子和总试验时间，据此来设计并完成加速试验。最后；根据加速试验得到的数据，结合初步评估结果，综合评定系统的实际可靠性水平，文末给出了该方法的应用范围及一个在航天工程中的应用实例。     

雷达隐身和机载电子攻击组合增强的飞机作战生存力评估

作战生存力是新型军用飞机发展中要考虑的一个关键要素,雷达隐身和机载电子攻击是两个减缩飞机敏感性的主要技术.本文给出一个攻击任务的战术设定,研究了雷达散射截面和机载雷达干扰机对威胁雷达探测概率的影响,确定了雷达制导地空导弹和防空炮火在目标雷达散射截面减缩或/和干扰机辐射功率干扰下的制导精度,计算了飞机单发击毁概率,最后给出一架攻击机在一个假设敌对威胁环境中的出击架次生存力,说明综合使用雷达隐身和机载电子攻击技术使作战飞机的生存力得到增强,评估方法有效实用.     

Change of Electronic Structure and Magnetic Properties with MgO and Fe Thicknesses in Fe/MgO/Fe Magnetic Tunnel Junction

The effects of the thickness of MgO and Fe on the electronic structure and magnetic properties of Fe/MgO/Fe magnetic tunnel junction was studied using the first principle method. Two series of models with MgO of different thicknesses: Fe(3)MgO(t)Fe(3) (t=1,3,5,7) and with Fe of varied thicknesses: Fe(t)MgO(3)Fe(t) (t=3,4,5,6,7) were established. Calculated results show that in all the models the magnetic moment of Fe increases at the Fe/MgO interface and surface as compared with that of the inner layers. The mag-netic moment of each Fe layer was found to be independent of MgO thicknesses, while the spin-polarization of Fe layer at the interface shows a slight change in function of the MgO thicknesses. The tunneling magnetoresistance (TMR) ratio estimated by the Julliere model has the same change tendency as the spin-polarization has, and the largest value is obtained at the MgO thickness of 5 atomic layers. When the Fe thickness increases, the spin-polarization of interface Fe layer follows up an increase with a decrease. The highest TMR value is achieved when the Fe thickness is of 4 atomic layers.     

First-principle Calculations of V/Fe Doped Anatase TiO_2

The electronic structures of the titanium dioxide(TiO2) doped with V and Fe were analyzed by using first-principle calculations based on the density functional theory(DFT) with the full potential linearized augmented plane wave method (FP-LAPW). The fully optimized structure and the relaxation introduced by impurity were obtained by minimizing the total energy and atomic forces. The unit cell of the V-doped anatase TiO2 is smaller than that of the non-doped one, but for the Fe-doped one, the case is just the opposite. It is found that the apical Ti-O and impurity-O bond lengths of the V/Fe-doped anatase TiO2 are greater than those of the non-doped structure, but smaller for the equatorial bond length. Through the band structures and the density of states, the V-doped TiO2 is shown to be a kind of half-metal, while the Fe-doped TiO2 a kind of metal. The magnetic moments of the V/Fe-doped system are mainly generated by the dopants. The results may be helpful for us to understand the experimental outcome of this system.