高Q 腔法与准光腔法用于毫米波段室温介电性能测试比对研究

介绍了用于毫米波段的介电性能测试的高Q腔法和准光腔法的原理及物理模型,并分别对其进行了仿真分析,建立了相应的测试装置,进行了空腔和石英玻璃的测试.结果表明,准光腔法要比高Q腔法在品质因数、可分辨的频点、样品尺寸、测试精度等方面更有优势.     

喷油杆与凹腔支板稳定器近距匹配雾化特性

以水和煤油为雾化介质,采用马尔文激光粒度仪研究了来流马赫数为0.16~0.24、喷雾压差为0.30~0.90MPa、喷油杆与凹腔支板稳定器间隔为31.5mm且顺喷时液雾在轴向不同位置处的雾化特性.研究结果表明:液滴索太尔平均直径(SMD)随来流马赫数增大而减小,随喷雾压差升高而减小,但凹腔支板稳定器下游远方截面的液滴SMD在主流区对马赫数不敏感,在回流区对喷雾压差不敏感.此外,喷油杆下游液滴SMD沿轴向逐渐减小,沿径向在主流区逐渐增大,在回流区逐渐减小.      

航空发动机用M210石墨材料耐湿热老化性能研究

为适应海洋环境高温、高湿的气候条件,对航空发动机用高性能抗氧化石墨材料M210,选取不浸渍不浸油、浸渍不浸油、浸渍后浸油3种不同处理方式的试样进行湿热老化试验,对比研究湿热环境对不同处理方式的M210石墨材料在外观形貌、抗压强度和抗折强度等方面的影响.研究表明：M210石墨材料表现出良好的抗湿热老化性能,浸渍处理可以增强M210石墨材料在湿热环境下的抗压强度,且不受浸油的影响.3种处理方式的试样在湿热环境下均表现出优异的抗折性能.     

电子束固化高模量纤维增强复合材料力学性能研究

用湿法缠绕工艺制备了M40／EB99—1预浸料，研究了电子束固化高模量石墨化碳纤维M40增强EB99-1环氧树脂复合材料的常规力学性能、耐热疲劳性能和热物理性能，并与M40／5228、M40/4211等热固化复合材料的性能进行了比较。实验研究表明，除了剪切强度稍逊于热固化M40/5228复合材料外，其它常规力学性能都优于热固化M40／5228、M40/211复合材料，表现了较好的综合力学性能。电子束固化M40／EB99—1复合材料经冷热交变循环后的性能明显优于热固化M40／5228、M40/4211复合材料，表现了较好的耐热疲劳性能。     

影响SiC陶瓷纤维力学性能的因素评价

在SiC陶瓷纤维整个制备工艺过程中，影响因素繁多而且交叉作用，每个因素的变化都对SiC纤维的力学性能产生很大影响。本文以先驱体转化法为例，针对SiC陶瓷纤维整个制备工艺过程中的四个阶段，综述了各个因素对SiC陶瓷纤维最终力学性能的影响。     

ZA27Ce合金组织形态对阻尼性能的影响

对铸态ZA2 7Ce合金进行固溶处理 ,获得单一均匀的固溶体后 ,分别进行 96℃ ,180℃和 2 5 0℃人工时效。采用悬挂弯曲共振法测量阻尼性能Q-1值 (阻尼本领 ) ,结果是 ,96℃人工时效后阻尼性能好于 180℃以及 2 5 0℃人工时效后的阻尼性能。利用SEM研究时效后微观组织 ,结果发现 ,96℃人工时效获得粒状组织 ,180℃以及2 5 0℃人工时效获得层片状组织。利用等轴晶界面滑动内耗机理分析认为 ,ZA2 7Ce合金粒状组织的阻尼性能好于层片状组织的阻尼性能     

一种用于电子薄膜导热系数和发射率测量的实验方案

薄膜传热性能对微电子设备的传热能力及其性能和可靠性有重大影响,测量薄膜的热物性参数并进一步研究其影响因素,可为微电子电路的设计和发展提供科学依据。评述了薄膜导热系数测量和研究的现状,在此基础上提出了一种新的能同时测量衬底薄膜导热系数和发射率的实验方案,并通过建立衬底薄膜试样传热的数学模型和分析推导,论证了该实验方案的可行性。本实验方案可推广应用于确定淀积在衬底薄膜上各种极小厚度薄膜的导热系数和发射率。     

下颔式进气道实验研究

为了验证下颔式进气道 /前机身一体化设计方案的合理性及其进气道性能 ,对下颔式进气道 /前机身一体化设计方案进行了实验研究。测出了进气道总压恢复系数、畸变指数随流量系数、攻角、侧滑角的变化规律。结果表明 ,进气道性能较好 ,进气道 /发动机匹配良好。最后提出了下颔式进气道的进一步改进措施     

X-cor夹层结构试制与性能研究

以航空应用为背景，研究了新型X-cor夹层结构的成形工艺及力学性能。完成了Z-pin的研制、夹层结构成形和力学性能试验。研究结果表明：与不含Z-pin的泡沫夹层结构相比，X-cor夹层结构的刚度性能有很大的提高。     

抗氧化处理对3D C/C复合材料性能的影响

研究了采用化学气相反应法制备的SiC抗氧化涂层对3D整体编织C／C复合材料的密度、力学性能以及微观结构的影响。结果表明，3D C／C复合材料经抗氧化处理后，其密度、开孔率以及力学性能均有不同程度的提高。由SEM微观结构可以看出，其力学性能提高是由于气态Si渗入到材料基体内部，并与内部的C反应生成SiC，在一定程度上弥合了材料中的缺陷所致。